Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > Всі товари виробника VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION (37311) > Сторінка 165 з 622

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 62 124 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 186 248 310 372 434 496 558 620 622  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
EGL41B-E3/96 EGL41B-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl41.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 3432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.86 грн
11+ 26.82 грн
100+ 16.11 грн
500+ 14 грн
Мінімальне замовлення: 9
EGL41D-E3/96 EGL41D-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl41.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 1436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.86 грн
11+ 26.82 грн
100+ 16.11 грн
500+ 14 грн
Мінімальне замовлення: 9
EGL41G-E3/96 EGL41G-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl41.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 12206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.86 грн
11+ 26.82 грн
100+ 16.11 грн
500+ 14 грн
Мінімальне замовлення: 9
ES1A-E3/61T ES1A-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division es1.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 4014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.23 грн
16+ 19.32 грн
100+ 9.76 грн
500+ 8.11 грн
Мінімальне замовлення: 11
ES1B-E3/61T ES1B-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division es1.pdf description Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 119556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.84 грн
22+ 13.59 грн
100+ 6.83 грн
500+ 5.68 грн
Мінімальне замовлення: 16
ES2A-E3/52T ES2A-E3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division es2.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
на замовлення 3244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.76 грн
12+ 24.76 грн
100+ 17.23 грн
Мінімальне замовлення: 11
GF1A-E3/67A GF1A-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division gf1.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 2519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.63 грн
10+ 30.05 грн
100+ 22.44 грн
500+ 16.55 грн
Мінімальне замовлення: 9
GF1B-E3/67A GF1B-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division gf1.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 22562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.63 грн
10+ 30.05 грн
100+ 22.44 грн
500+ 16.55 грн
Мінімальне замовлення: 9
GF1G-E3/67A GF1G-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division gf1x.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 30697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.34 грн
11+ 27.92 грн
100+ 19.44 грн
500+ 14.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
GF1J-E3/67A GF1J-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division gf1.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 9430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.63 грн
10+ 30.05 грн
100+ 22.44 грн
500+ 16.55 грн
Мінімальне замовлення: 9
GF1M-E3/67A GF1M-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division gf1x.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 63920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.2 грн
10+ 33.87 грн
100+ 23.52 грн
500+ 17.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
GL34G-E3/98 GL34G-E3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gl34a.pdf Description: DIODE GP 400V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.23 грн
13+ 23.37 грн
100+ 16.25 грн
500+ 11.9 грн
1000+ 9.68 грн
Мінімальне замовлення: 11
GL34J-E3/98 GL34J-E3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gl34a.pdf Description: DIODE GP 600V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 4864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.23 грн
13+ 23.37 грн
100+ 16.25 грн
500+ 11.9 грн
1000+ 9.68 грн
Мінімальне замовлення: 11
GL41G-E3/96 GL41G-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 26967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.34 грн
11+ 28.22 грн
100+ 19.6 грн
500+ 14.36 грн
Мінімальне замовлення: 9
GL41J-E3/96 GL41J-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 7323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.42 грн
15+ 20.06 грн
100+ 13.98 грн
500+ 10.24 грн
Мінімальне замовлення: 13
GL41M-E3/96 GL41M-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 19236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.1 грн
11+ 28.66 грн
100+ 19.88 грн
500+ 14.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
GL41Y-E3/96 GL41Y-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V
на замовлення 11201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.1 грн
11+ 28.66 грн
100+ 19.88 грн
500+ 14.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
GP02-30-E3/73 GP02-30-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gp0220.pdf Description: DIODE GEN PURP 3KV 250MA DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 3000 V
на замовлення 2898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.97 грн
10+ 34.83 грн
100+ 24.2 грн
500+ 17.73 грн
1000+ 14.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
MURS140-E3/52T MURS140-E3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division murs140.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 14794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.28 грн
12+ 26.01 грн
100+ 18.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
MURS160-E3/5BT MURS160-E3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division murs140.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 23355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.34 грн
12+ 25.72 грн
100+ 15.44 грн
500+ 13.42 грн
1000+ 9.12 грн
Мінімальне замовлення: 9
P600G-E3/54 P600G-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division p600a.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 6A P600
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: P600
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 11048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.33 грн
10+ 49.89 грн
100+ 38.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
P600J-E3/54 P600J-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division p600a.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 6A P600
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: P600
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 30053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.2 грн
10+ 60.18 грн
100+ 46.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
P600J-E3/73 P600J-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division p600a.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 6A P600
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: P600
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.75 грн
10+ 49.97 грн
100+ 38.3 грн
Мінімальне замовлення: 6
P600M-E3/54 P600M-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division p600a.pdf Description: DIODE P600 1000V 6A 175C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: P600
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 34310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.26 грн
10+ 34.98 грн
100+ 27.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
RGF1D-E3/67A RGF1D-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division rgf1.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 25718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.44 грн
10+ 33.36 грн
100+ 24.94 грн
500+ 18.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
RGF1G-E3/67A RGF1G-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division rgf1.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 6157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.39 грн
10+ 31.01 грн
100+ 21.59 грн
500+ 15.82 грн
Мінімальне замовлення: 9
RGF1J-E3/67A RGF1J-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division rgf1.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 19622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.2 грн
10+ 34.09 грн
100+ 25.43 грн
500+ 18.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
RGL34J-E3/98 RGL34J-E3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division rgl34a.pdf Description: DIODE GP 600V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 15918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.28 грн
12+ 25.35 грн
100+ 17.65 грн
500+ 12.93 грн
1000+ 10.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
RGL41D-E3/96 RGL41D-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym1150.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 9214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.81 грн
13+ 24.32 грн
100+ 14.6 грн
500+ 12.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
RGL41J-E3/96 RGL41J-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym1150.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 6475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.81 грн
13+ 24.32 грн
100+ 14.6 грн
500+ 12.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
RGL41M-E3/96 RGL41M-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym1150.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 10133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.05 грн
13+ 24.03 грн
100+ 14.39 грн
500+ 12.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
RGP02-16E-E3/73 RGP02-16E-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division rgp02.pdf Description: DIODE GP 1.6KV 500MA DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1600 V
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.44 грн
10+ 33.73 грн
100+ 23.36 грн
500+ 18.31 грн
1000+ 15.59 грн
Мінімальне замовлення: 8
RGP30M-E3/54 RGP30M-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division rgp30a.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 3182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.33 грн
10+ 72.45 грн
100+ 56.37 грн
500+ 44.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
RS1A-E3/61T RS1A-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division rs1a.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.05 грн
14+ 21.75 грн
100+ 10.98 грн
500+ 8.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
RS1B-E3/61T RS1B-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division rs1a.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 50082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.05 грн
14+ 21.97 грн
100+ 11.09 грн
500+ 8.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
RS1G-E3/61T RS1G-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division rs1a.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 7189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.81 грн
14+ 22.19 грн
100+ 11.21 грн
500+ 8.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
RS3K-E3/57T RS3K-E3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division rs3a.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 34pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 10245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.02 грн
10+ 37.18 грн
100+ 25.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
S1A-E3/61T S1A-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division s1.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
на замовлення 112701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
S1B-E3/61T S1B-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division s1.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
на замовлення 18856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29 грн
13+ 23.29 грн
100+ 12.31 грн
500+ 7.61 грн
Мінімальне замовлення: 11
S1G-E3/5AT S1G-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division s1.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
на замовлення 78180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.47 грн
14+ 21.46 грн
100+ 11.37 грн
500+ 7.03 грн
1000+ 4.78 грн
2000+ 4.31 грн
Мінімальне замовлення: 12
S1M-E3/5AT S1M-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division s1.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 67876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.18 грн
18+ 16.68 грн
100+ 8.13 грн
500+ 6.36 грн
1000+ 4.42 грн
2000+ 3.83 грн
Мінімальне замовлення: 13
S2A-E3/52T S2A-E3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division S2x.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO214AA
на замовлення 6194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.86 грн
12+ 25.86 грн
100+ 14.67 грн
Мінімальне замовлення: 9
S3A-E3/57T S3A-E3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division s3a.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.39 грн
11+ 27.55 грн
100+ 16.51 грн
Мінімальне замовлення: 9
S3K-E3/57T S3K-E3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division s3a.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SA2D-E3/61T SA2D-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division sa2b.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 11pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 200 V
на замовлення 7740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.23 грн
15+ 20.43 грн
100+ 11.55 грн
500+ 7.18 грн
Мінімальне замовлення: 11
SA2M-E3/61T SA2M-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division sa2b.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 11pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1000 V
на замовлення 12320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.47 грн
17+ 18.3 грн
100+ 9.24 грн
500+ 7.07 грн
Мінімальне замовлення: 12
SB140-E3/54 SB140-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division sb110.pdf Description: SCHOTTKY DO15 40V 1A 150C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 480 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
на замовлення 36623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29 грн
15+ 19.77 грн
100+ 10 грн
500+ 8.31 грн
1000+ 6.47 грн
2000+ 5.79 грн
Мінімальне замовлення: 11
SB150-E3/54 SB150-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division sb110.pdf Description: SCHOTTKY DO15 50V 1A 150C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V
на замовлення 27176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.81 грн
14+ 22.26 грн
100+ 11.21 грн
500+ 9.33 грн
1000+ 7.26 грн
2000+ 6.5 грн
Мінімальне замовлення: 10
SB160-E3/54 SB160-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division sb110.pdf Description: SCHOTTKY DO15 60V 1A 150C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
на замовлення 25864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.81 грн
14+ 22.48 грн
100+ 11.33 грн
500+ 9.42 грн
1000+ 7.33 грн
2000+ 6.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
SB360-E3/54 SB360-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division sb320.pdf Description: SCHOTTKY DO201 60V 3A 150C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 60
на замовлення 4245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.63 грн
10+ 30.13 грн
100+ 20.95 грн
500+ 15.35 грн
Мінімальне замовлення: 9
SGL41-30-E3/96 SGL41-30-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division packaging.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A GL41
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB (GL41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 6469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+51.89 грн
10+ 43.43 грн
100+ 30.03 грн
500+ 23.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
SGL41-40-E3/96 SGL41-40-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym13.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A GL41
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB (GL41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
на замовлення 4908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+51.89 грн
10+ 43.43 грн
100+ 30.03 грн
500+ 23.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
SL12-E3/61T SL12-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division sl12.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A DO214AC
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.92 грн
11+ 28.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
SS13-E3/61T SS13-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss12.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V
на замовлення 2668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.57 грн
14+ 22.48 грн
100+ 11.37 грн
500+ 8.7 грн
Мінімальне замовлення: 10
SS15-E3/61T SS15-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss12.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 50 V
на замовлення 82576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.71 грн
16+ 18.37 грн
100+ 9.26 грн
500+ 7.7 грн
Мінімальне замовлення: 12
SS23-E3/52T SS23-E3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss22.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 30 V
на замовлення 6637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.28 грн
12+ 25.94 грн
100+ 18.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
SS25-E3/52T SS25-E3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss22.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 50 V
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29 грн
13+ 24.17 грн
100+ 16.83 грн
Мінімальне замовлення: 11
SS33-E3/57T SS33-E3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss32.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.2 грн
10+ 34.17 грн
100+ 23.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
SS35-E3/57T SS35-E3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss32.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V
на замовлення 2323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.2 грн
10+ 34.46 грн
100+ 23.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
UF4001-E3/54 UF4001-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division uf4001.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 17pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
на замовлення 13180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.76 грн
14+ 22.12 грн
100+ 13.28 грн
500+ 11.54 грн
1000+ 7.85 грн
2000+ 7.23 грн
Мінімальне замовлення: 11
EGL41B-E3/96 egl41.pdf
EGL41B-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 3432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.86 грн
11+ 26.82 грн
100+ 16.11 грн
500+ 14 грн
Мінімальне замовлення: 9
EGL41D-E3/96 egl41.pdf
EGL41D-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 1436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.86 грн
11+ 26.82 грн
100+ 16.11 грн
500+ 14 грн
Мінімальне замовлення: 9
EGL41G-E3/96 egl41.pdf
EGL41G-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 12206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.86 грн
11+ 26.82 грн
100+ 16.11 грн
500+ 14 грн
Мінімальне замовлення: 9
ES1A-E3/61T es1.pdf
ES1A-E3/61T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 4014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.23 грн
16+ 19.32 грн
100+ 9.76 грн
500+ 8.11 грн
Мінімальне замовлення: 11
ES1B-E3/61T description es1.pdf
ES1B-E3/61T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 119556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+19.84 грн
22+ 13.59 грн
100+ 6.83 грн
500+ 5.68 грн
Мінімальне замовлення: 16
ES2A-E3/52T es2.pdf
ES2A-E3/52T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
на замовлення 3244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+29.76 грн
12+ 24.76 грн
100+ 17.23 грн
Мінімальне замовлення: 11
GF1A-E3/67A gf1.pdf
GF1A-E3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 2519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+36.63 грн
10+ 30.05 грн
100+ 22.44 грн
500+ 16.55 грн
Мінімальне замовлення: 9
GF1B-E3/67A gf1.pdf
GF1B-E3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 22562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+36.63 грн
10+ 30.05 грн
100+ 22.44 грн
500+ 16.55 грн
Мінімальне замовлення: 9
GF1G-E3/67A gf1x.pdf
GF1G-E3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 30697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.34 грн
11+ 27.92 грн
100+ 19.44 грн
500+ 14.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
GF1J-E3/67A gf1.pdf
GF1J-E3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 9430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+36.63 грн
10+ 30.05 грн
100+ 22.44 грн
500+ 16.55 грн
Мінімальне замовлення: 9
GF1M-E3/67A gf1x.pdf
GF1M-E3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 63920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.2 грн
10+ 33.87 грн
100+ 23.52 грн
500+ 17.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
GL34G-E3/98 gl34a.pdf
GL34G-E3/98
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 400V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.23 грн
13+ 23.37 грн
100+ 16.25 грн
500+ 11.9 грн
1000+ 9.68 грн
Мінімальне замовлення: 11
GL34J-E3/98 gl34a.pdf
GL34J-E3/98
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 600V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 4864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.23 грн
13+ 23.37 грн
100+ 16.25 грн
500+ 11.9 грн
1000+ 9.68 грн
Мінімальне замовлення: 11
GL41G-E3/96 bym10-xxx.pdf
GL41G-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 26967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.34 грн
11+ 28.22 грн
100+ 19.6 грн
500+ 14.36 грн
Мінімальне замовлення: 9
GL41J-E3/96 bym10-xxx.pdf
GL41J-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 7323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+24.42 грн
15+ 20.06 грн
100+ 13.98 грн
500+ 10.24 грн
Мінімальне замовлення: 13
GL41M-E3/96 bym10-xxx.pdf
GL41M-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 19236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.1 грн
11+ 28.66 грн
100+ 19.88 грн
500+ 14.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
GL41Y-E3/96 bym10-xxx.pdf
GL41Y-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V
на замовлення 11201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.1 грн
11+ 28.66 грн
100+ 19.88 грн
500+ 14.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
GP02-30-E3/73 gp0220.pdf
GP02-30-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 3KV 250MA DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 3000 V
на замовлення 2898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.97 грн
10+ 34.83 грн
100+ 24.2 грн
500+ 17.73 грн
1000+ 14.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
MURS140-E3/52T murs140.pdf
MURS140-E3/52T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 14794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.28 грн
12+ 26.01 грн
100+ 18.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
MURS160-E3/5BT murs140.pdf
MURS160-E3/5BT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 23355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.34 грн
12+ 25.72 грн
100+ 15.44 грн
500+ 13.42 грн
1000+ 9.12 грн
Мінімальне замовлення: 9
P600G-E3/54 p600a.pdf
P600G-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 6A P600
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: P600
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 11048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.33 грн
10+ 49.89 грн
100+ 38.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
P600J-E3/54 p600a.pdf
P600J-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 6A P600
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: P600
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 30053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+70.2 грн
10+ 60.18 грн
100+ 46.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
P600J-E3/73 p600a.pdf
P600J-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 6A P600
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: P600
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+58.75 грн
10+ 49.97 грн
100+ 38.3 грн
Мінімальне замовлення: 6
P600M-E3/54 p600a.pdf
P600M-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE P600 1000V 6A 175C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: P600
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 34310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.26 грн
10+ 34.98 грн
100+ 27.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
RGF1D-E3/67A rgf1.pdf
RGF1D-E3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 25718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.44 грн
10+ 33.36 грн
100+ 24.94 грн
500+ 18.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
RGF1G-E3/67A rgf1.pdf
RGF1G-E3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 6157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+37.39 грн
10+ 31.01 грн
100+ 21.59 грн
500+ 15.82 грн
Мінімальне замовлення: 9
RGF1J-E3/67A rgf1.pdf
RGF1J-E3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 19622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.2 грн
10+ 34.09 грн
100+ 25.43 грн
500+ 18.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
RGL34J-E3/98 rgl34a.pdf
RGL34J-E3/98
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 600V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 15918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.28 грн
12+ 25.35 грн
100+ 17.65 грн
500+ 12.93 грн
1000+ 10.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
RGL41D-E3/96 bym1150.pdf
RGL41D-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 9214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.81 грн
13+ 24.32 грн
100+ 14.6 грн
500+ 12.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
RGL41J-E3/96 bym1150.pdf
RGL41J-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 6475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.81 грн
13+ 24.32 грн
100+ 14.6 грн
500+ 12.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
RGL41M-E3/96 bym1150.pdf
RGL41M-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 10133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.05 грн
13+ 24.03 грн
100+ 14.39 грн
500+ 12.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
RGP02-16E-E3/73 rgp02.pdf
RGP02-16E-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 1.6KV 500MA DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1600 V
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.44 грн
10+ 33.73 грн
100+ 23.36 грн
500+ 18.31 грн
1000+ 15.59 грн
Мінімальне замовлення: 8
RGP30M-E3/54 rgp30a.pdf
RGP30M-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 3182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+92.33 грн
10+ 72.45 грн
100+ 56.37 грн
500+ 44.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
RS1A-E3/61T rs1a.pdf
RS1A-E3/61T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.05 грн
14+ 21.75 грн
100+ 10.98 грн
500+ 8.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
RS1B-E3/61T rs1a.pdf
RS1B-E3/61T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 50082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.05 грн
14+ 21.97 грн
100+ 11.09 грн
500+ 8.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
RS1G-E3/61T rs1a.pdf
RS1G-E3/61T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 7189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.81 грн
14+ 22.19 грн
100+ 11.21 грн
500+ 8.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
RS3K-E3/57T rs3a.pdf
RS3K-E3/57T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 34pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 10245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+45.02 грн
10+ 37.18 грн
100+ 25.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
S1A-E3/61T s1.pdf
S1A-E3/61T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
на замовлення 112701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
S1B-E3/61T s1.pdf
S1B-E3/61T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
на замовлення 18856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+29 грн
13+ 23.29 грн
100+ 12.31 грн
500+ 7.61 грн
Мінімальне замовлення: 11
S1G-E3/5AT s1.pdf
S1G-E3/5AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
на замовлення 78180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+27.47 грн
14+ 21.46 грн
100+ 11.37 грн
500+ 7.03 грн
1000+ 4.78 грн
2000+ 4.31 грн
Мінімальне замовлення: 12
S1M-E3/5AT s1.pdf
S1M-E3/5AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 67876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+25.18 грн
18+ 16.68 грн
100+ 8.13 грн
500+ 6.36 грн
1000+ 4.42 грн
2000+ 3.83 грн
Мінімальне замовлення: 13
S2A-E3/52T S2x.pdf
S2A-E3/52T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO214AA
на замовлення 6194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.86 грн
12+ 25.86 грн
100+ 14.67 грн
Мінімальне замовлення: 9
S3A-E3/57T s3a.pdf
S3A-E3/57T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+37.39 грн
11+ 27.55 грн
100+ 16.51 грн
Мінімальне замовлення: 9
S3K-E3/57T s3a.pdf
S3K-E3/57T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SA2D-E3/61T sa2b.pdf
SA2D-E3/61T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 11pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 200 V
на замовлення 7740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.23 грн
15+ 20.43 грн
100+ 11.55 грн
500+ 7.18 грн
Мінімальне замовлення: 11
SA2M-E3/61T sa2b.pdf
SA2M-E3/61T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 11pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1000 V
на замовлення 12320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+27.47 грн
17+ 18.3 грн
100+ 9.24 грн
500+ 7.07 грн
Мінімальне замовлення: 12
SB140-E3/54 sb110.pdf
SB140-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: SCHOTTKY DO15 40V 1A 150C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 480 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
на замовлення 36623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+29 грн
15+ 19.77 грн
100+ 10 грн
500+ 8.31 грн
1000+ 6.47 грн
2000+ 5.79 грн
Мінімальне замовлення: 11
SB150-E3/54 sb110.pdf
SB150-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: SCHOTTKY DO15 50V 1A 150C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V
на замовлення 27176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.81 грн
14+ 22.26 грн
100+ 11.21 грн
500+ 9.33 грн
1000+ 7.26 грн
2000+ 6.5 грн
Мінімальне замовлення: 10
SB160-E3/54 sb110.pdf
SB160-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: SCHOTTKY DO15 60V 1A 150C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
на замовлення 25864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.81 грн
14+ 22.48 грн
100+ 11.33 грн
500+ 9.42 грн
1000+ 7.33 грн
2000+ 6.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
SB360-E3/54 sb320.pdf
SB360-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: SCHOTTKY DO201 60V 3A 150C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 60
на замовлення 4245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+36.63 грн
10+ 30.13 грн
100+ 20.95 грн
500+ 15.35 грн
Мінімальне замовлення: 9
SGL41-30-E3/96 packaging.pdf
SGL41-30-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A GL41
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB (GL41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 6469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+51.89 грн
10+ 43.43 грн
100+ 30.03 грн
500+ 23.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
SGL41-40-E3/96 bym13.pdf
SGL41-40-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A GL41
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB (GL41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
на замовлення 4908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+51.89 грн
10+ 43.43 грн
100+ 30.03 грн
500+ 23.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
SL12-E3/61T sl12.pdf
SL12-E3/61T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A DO214AC
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.92 грн
11+ 28.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
SS13-E3/61T ss12.pdf
SS13-E3/61T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V
на замовлення 2668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.57 грн
14+ 22.48 грн
100+ 11.37 грн
500+ 8.7 грн
Мінімальне замовлення: 10
SS15-E3/61T ss12.pdf
SS15-E3/61T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 50 V
на замовлення 82576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.71 грн
16+ 18.37 грн
100+ 9.26 грн
500+ 7.7 грн
Мінімальне замовлення: 12
SS23-E3/52T ss22.pdf
SS23-E3/52T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 30 V
на замовлення 6637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.28 грн
12+ 25.94 грн
100+ 18.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
SS25-E3/52T ss22.pdf
SS25-E3/52T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 50 V
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+29 грн
13+ 24.17 грн
100+ 16.83 грн
Мінімальне замовлення: 11
SS33-E3/57T ss32.pdf
SS33-E3/57T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.2 грн
10+ 34.17 грн
100+ 23.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
SS35-E3/57T ss32.pdf
SS35-E3/57T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V
на замовлення 2323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.2 грн
10+ 34.46 грн
100+ 23.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
UF4001-E3/54 uf4001.pdf
UF4001-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 17pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
на замовлення 13180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+29.76 грн
14+ 22.12 грн
100+ 13.28 грн
500+ 11.54 грн
1000+ 7.85 грн
2000+ 7.23 грн
Мінімальне замовлення: 11
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 62 124 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 186 248 310 372 434 496 558 620 622  [ Наступна Сторінка >> ]