RGF1J-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 16.44 грн |
| 3000+ | 14.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGF1J-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214BA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214BA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 250 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-214BA (GF1), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V.
Інші пропозиції RGF1J-E3/67A за ціною від 10.26 грн до 41.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGF1J-E3/67A | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 250ns; DO214AB,SMC; Ufmax: 1.3V Type of diode: rectifying Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward impulse current: 30A Semiconductor structure: single diode Case: DO214AB; SMC Mounting: SMD Leakage current: 0.1mA Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: fast switching Capacitance: 8.5pF Load current: 1A Max. forward voltage: 1.3V Reverse recovery time: 250ns |
на замовлення 4709 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RGF1J-E3/67A | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 250ns; DO214AB,SMC; Ufmax: 1.3V Type of diode: rectifying Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward impulse current: 30A Semiconductor structure: single diode Case: DO214AB; SMC Mounting: SMD Leakage current: 0.1mA Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: fast switching Capacitance: 8.5pF Load current: 1A Max. forward voltage: 1.3V Reverse recovery time: 250ns кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 4709 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RGF1J-E3/67A | Виробник : Vishay General Semiconductor |
Diodes - General Purpose, Power, Switching 1 Amp 600 Volt 250ns 30 Amp IFSM |
на замовлення 6391 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RGF1J-E3/67A | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214BA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 19622 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|