EGL41D-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 1436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 35.86 грн |
11+ | 26.82 грн |
100+ | 16.11 грн |
500+ | 14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EGL41D-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - EGL41D-E3/96 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-213AB, Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1V, Sperrverzögerungszeit: 50ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: EGL41, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції EGL41D-E3/96 за ціною від 9.8 грн до 42.18 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
EGL41D-E3/96 | Виробник : Vishay General Semiconductor | Rectifiers RECOMMENDED ALT US1D-E3 |
на замовлення 26332 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
EGL41D-E3/96 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - EGL41D-E3/96 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-213AB Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: EGL41 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 3081 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
EGL41D-E3/96 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
на замовлення 1436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |