![S1B-E3/61T S1B-E3/61T](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/3/1/7/4/14/920/vsh_/manual/85893-pt-medium.jpg)
на замовлення 30600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1800+ | 1.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S1B-E3/61T Vishay
Description: VISHAY - S1B-E3/61T - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-214AC (SMA), Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Sperrverzögerungszeit: 1.8µs, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: S1B, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції S1B-E3/61T за ціною від 1.46 грн до 30.2 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
S1B-E3/61T | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 826200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
S1B-E3/61T | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 826200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
S1B-E3/61T | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 30600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
S1B-E3/61T | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 30600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
S1B-E3/61T | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 39600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
S1B-E3/61T | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V |
на замовлення 28800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
S1B-E3/61T | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
S1B-E3/61T | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 1.8µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: S1B productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 8834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
S1B-E3/61T | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 1.8us; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 1A Reverse recovery time: 1.8µs Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Capacitance: 12pF Case: DO214AC; SMA Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1838 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
S1B-E3/61T | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 1.8us; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 1A Reverse recovery time: 1.8µs Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Capacitance: 12pF Case: DO214AC; SMA Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1838 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
S1B-E3/61T | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 10860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
S1B-E3/61T | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
S1B-E3/61T | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V |
на замовлення 31784 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
S1B-E3/61T | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9143 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
S1B-E3/61T | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 1.8µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: S1B productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 8834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|