![GF1B-E3/67A GF1B-E3/67A](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/3/1/7/26/42/363/vsh_/manual/88617-pt-medium.jpg)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1500+ | 8.94 грн |
3000+ | 8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GF1B-E3/67A Vishay
Description: VISHAY - GF1B-E3/67A - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 3 µs, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-214BA, Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Sperrverzögerungszeit: 3µs, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: GF1B, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Інші пропозиції GF1B-E3/67A за ціною від 8.71 грн до 41.75 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
GF1B-E3/67A | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V |
на замовлення 21365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
GF1B-E3/67A | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 2us; DO214BA; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 1A Reverse recovery time: 2µs Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Capacitance: 15pF Case: DO214BA Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape |
на замовлення 2070 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
GF1B-E3/67A | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 2us; DO214BA; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 1A Reverse recovery time: 2µs Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Capacitance: 15pF Case: DO214BA Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 2070 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
GF1B-E3/67A | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214BA Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 3µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: GF1B productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 47232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
GF1B-E3/67A | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V |
на замовлення 22562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
GF1B-E3/67A | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
на замовлення 26500 шт: термін постачання 274-283 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
GF1B-E3/67A | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214BA Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 3µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: GF1B productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 46737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
GF1B-E3/67A Код товару: 45509 |
![]() |
товар відсутній
|