![S1G-E3/5AT S1G-E3/5AT](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/3/1/7/4/14/920/vsh_/manual/85893-pt-medium.jpg)
на замовлення 403926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7500+ | 1.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S1G-E3/5AT Vishay
Description: VISHAY - S1G-E3/5AT - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 40 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-214AC (SMA), Durchlassstoßstrom: 40A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Sperrverzögerungszeit: 1.8µs, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції S1G-E3/5AT за ціною від 1.78 грн до 27.14 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
S1G-E3/5AT | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
S1G-E3/5AT | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 1.8us; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 1A Reverse recovery time: 1.8µs Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Case: DO214AC; SMA Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 40A Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape |
на замовлення 2890 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
S1G-E3/5AT | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 1.8us; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 1A Reverse recovery time: 1.8µs Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Case: DO214AC; SMA Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 40A Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 2890 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
S1G-E3/5AT | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 40A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 1.8µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 8389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
S1G-E3/5AT | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
на замовлення 45709 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
S1G-E3/5AT | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 40A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 1.8µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 8389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
S1G-E3/5AT | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() |
на замовлення 78180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|