Продукція > TOSHIBA > Всі товари виробника TOSHIBA (49004) > Сторінка 698 з 817

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 81 162 243 324 405 486 567 648 693 694 695 696 697 698 699 700 701 702 703 729 810 817  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
XPH13016MC,L1XHQ(O XPH13016MC,L1XHQ(O TOSHIBA Description: TOSHIBA - XPH13016MC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0129 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0129ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.32 грн
10+ 127.4 грн
100+ 95.55 грн
500+ 78.16 грн
1000+ 61.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
XPN6R706NC,L1XHQ(O XPN6R706NC,L1XHQ(O TOSHIBA Description: TOSHIBA - XPN6R706NC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0067 ohm, TSON Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.02 грн
10+ 89.48 грн
100+ 67.64 грн
500+ 54.85 грн
1000+ 43.48 грн
5000+ 42.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
XPN6R706NC,L1XHQ(O XPN6R706NC,L1XHQ(O TOSHIBA Description: TOSHIBA - XPN6R706NC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0067 ohm, TSON Advance, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON Advance
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.02 грн
10+ 89.48 грн
100+ 67.64 грн
500+ 54.85 грн
1000+ 43.48 грн
5000+ 42.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
SSM6J501NU,LF(T SSM6J501NU,LF(T TOSHIBA 3622444.pdf Description: TOSHIBA - SSM6J501NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.012 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.4 грн
28+ 28.06 грн
100+ 13.88 грн
500+ 10.42 грн
1000+ 7.34 грн
5000+ 6.63 грн
Мінімальне замовлення: 21
SSM6J501NU,LF(T SSM6J501NU,LF(T TOSHIBA 3622444.pdf Description: TOSHIBA - SSM6J501NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.012 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.88 грн
500+ 10.42 грн
1000+ 7.34 грн
5000+ 6.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
TK35N65W5,S1F(S TK35N65W5,S1F(S TOSHIBA 3934697.pdf Description: TOSHIBA - TK35N65W5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+627.14 грн
5+ 569.51 грн
10+ 511.88 грн
50+ 437.99 грн
100+ 369.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK5R1P08QM,RQ(S2 TK5R1P08QM,RQ(S2 TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK5R1P08QM,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 105 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+112.23 грн
10+ 85.69 грн
100+ 62.87 грн
500+ 49.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
TK5R1P08QM,RQ(S2 TK5R1P08QM,RQ(S2 TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK5R1P08QM,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 105 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.87 грн
500+ 49.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
TW140N120C,S1F(S TW140N120C,S1F(S TOSHIBA 3760628.pdf Description: TOSHIBA - TW140N120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 1.2 kV, 0.182 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+818.24 грн
5+ 693.12 грн
10+ 567.99 грн
50+ 522.49 грн
100+ 477.1 грн
TK18A50D(STA4,X,M) TK18A50D(STA4,X,M) TOSHIBA 2007926.pdf Description: TOSHIBA - TK18A50D(STA4,X,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.22 ohm, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+194.89 грн
10+ 149.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
TPD4164K,F(S TPD4164K,F(S TOSHIBA 4159907.pdf Description: TOSHIBA - TPD4164K,F(S - Motortreiber, bürstenloser DC-Motor, 1 Ausgang, 13.5-16.5V Versorgung, 2Aout, -40 bis 135°C, HDIP-30
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Ausgangsstrom: 2A
Motortyp: Bürstenloser Gleichstrommotor
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: HDIP
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 13.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 30Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 16.5V
Betriebstemperatur, max.: 135°C
Anzahl der Ausgänge: 1Outputs
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+570.27 грн
10+ 515.67 грн
25+ 488.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
TPD4163K,F(S TPD4163K,F(S TOSHIBA 4159908.pdf Description: TOSHIBA - TPD4163K,F(S - Motortreiber, bürstenloser DC-Motor, 1 Ausgang, 13.5-16.5V Versorgung, 1Aout, -40 bis 135°C, HDIP-30
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Ausgangsstrom: 1A
Motortyp: Bürstenloser Gleichstrommotor
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: HDIP
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 13.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 30Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 16.5V
Betriebstemperatur, max.: 135°C
Anzahl der Ausgänge: 1Outputs
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+481.54 грн
10+ 435.28 грн
25+ 411.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
TPW1R104PB,L1Q(O TPW1R104PB,L1Q(O TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPW1R104PB,L1Q(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 950 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+253.28 грн
10+ 194.13 грн
100+ 143.32 грн
500+ 115.48 грн
1000+ 93.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
TPW1R104PB,L1Q(O TPW1R104PB,L1Q(O TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPW1R104PB,L1Q(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 950 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+143.32 грн
500+ 115.48 грн
1000+ 93.6 грн
Мінімальне замовлення: 100
TK7R7P10PL,RQ(S2 TK7R7P10PL,RQ(S2 TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK7R7P10PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 0.0065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
TK7R7P10PL,RQ(S2 TK7R7P10PL,RQ(S2 TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK7R7P10PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 0.0065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.9 грн
12+ 64 грн
100+ 46.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
SSM6L820R,LXHF(T SSM6L820R,LXHF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM6L820R,LXHF(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.0391 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP-F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H/U-MOSVI Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0391ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+60.36 грн
15+ 51.49 грн
100+ 39.96 грн
500+ 27.18 грн
1000+ 14.76 грн
Мінімальне замовлення: 13
XPQ1R00AQB,LXHQ(O XPQ1R00AQB,LXHQ(O TOSHIBA 4015103.pdf Description: TOSHIBA - XPQ1R00AQB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.00103 ohm, L-TOGL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: L-TOGL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00103ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+552.82 грн
10+ 410.26 грн
100+ 332.91 грн
500+ 278.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
XPQR3004PB,LXHQ(O XPQR3004PB,LXHQ(O TOSHIBA 3801527.pdf Description: TOSHIBA - XPQR3004PB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 400 A, 230 µohm, L-TOGL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: L-TOGL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 230µohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+370.82 грн
50+ 318.99 грн
100+ 258.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
XPJ1R004PB,LXHQ(O XPJ1R004PB,LXHQ(O TOSHIBA 4002395.pdf Description: TOSHIBA - XPJ1R004PB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 0.001 ohm, S-TOGL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Bauform - Transistor: S-TOGL
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+201.72 грн
10+ 156.22 грн
100+ 117.54 грн
500+ 95.77 грн
1000+ 75.4 грн
Мінімальне замовлення: 4
XPQR3004PB,LXHQ(O XPQR3004PB,LXHQ(O TOSHIBA 3801527.pdf Description: TOSHIBA - XPQR3004PB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 400 A, 230 µohm, L-TOGL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: L-TOGL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 230µohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+623.35 грн
5+ 455.76 грн
10+ 370.82 грн
50+ 318.99 грн
100+ 258.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
XPJ1R004PB,LXHQ(O XPJ1R004PB,LXHQ(O TOSHIBA 4002395.pdf Description: TOSHIBA - XPJ1R004PB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 0.001 ohm, S-TOGL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+117.54 грн
500+ 95.77 грн
1000+ 75.4 грн
Мінімальне замовлення: 100
XPQ1R00AQB,LXHQ(O XPQ1R00AQB,LXHQ(O TOSHIBA 4015103.pdf Description: TOSHIBA - XPQ1R00AQB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.00103 ohm, L-TOGL, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: true
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: L-TOGL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00103ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+552.82 грн
10+ 410.26 грн
100+ 332.91 грн
500+ 278.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK290P60Y,RQ(S TK290P60Y,RQ(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK290P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.23 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.48 грн
11+ 72.19 грн
100+ 57.56 грн
500+ 47.6 грн
Мінімальне замовлення: 9
TK290P60Y,RQ(S TK290P60Y,RQ(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK290P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.23 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.48 грн
11+ 72.19 грн
100+ 57.56 грн
500+ 47.6 грн
Мінімальне замовлення: 9
BC560-B(TE2,F,T) Toshiba DISCRETE TRANSISTOR
товар відсутній
ULN2803APG(O,N,HZN ULN2803APG(O,N,HZN Toshiba 19698395254807981969837969716738uln2804apg_datasheet_en_20121126.pdf.pdf Trans Darlington NPN 50V 0.5A 18-Pin PDIP
товар відсутній
ULN2803AFWG(5,M) ULN2803AFWG(5,M) Toshiba 19698395254807981969837969716738uln2804apg_datasheet_en_20121126.pdf.pdf Trans Darlington NPN 50V 0.5A 18-Pin SOP
товар відсутній
ULN2803AFW(M) ULN2803AFW(M) Toshiba en_20040225_uln2803afw_datasheet.pdf Trans Darlington NPN 50V 0.5A 1310mW 18-Pin SOL
товар відсутній
ULN2803AFW(EL,M) ULN2803AFW(EL,M) Toshiba en_20040225_uln2803afw_datasheet.pdf Trans Darlington NPN 50V 0.5A 1310mW 18-Pin SOL T/R
товар відсутній
ULN2803AFWG(O,NELM ULN2803AFWG(O,NELM Toshiba 19698395254807981969837969716738uln2804apg_datasheet_en_20121126.pdf.pdf Trans Darlington NPN 50V 0.5A 18-Pin SOP T/R
товар відсутній
ULN2803APG(5,M) ULN2803APG(5,M) Toshiba 19698395254807981969837969716738uln2804apg_datasheet_en_20121126.pdf.pdf Trans Darlington NPN 50V 0.5A 18-Pin PDIP
товар відсутній
ULN2803AFWG(5,EL,M) ULN2803AFWG(5,EL,M) Toshiba 19698395254807981969837969716738uln2804apg_datasheet_en_20121126.pdf.pdf Trans Darlington NPN 50V 0.5A 18-Pin SOP T/R
товар відсутній
ULN2803AFWG(5,EL,M ULN2803AFWG(5,EL,M Toshiba 19698395254807981969837969716738uln2804apg_datasheet_en_20121126.pdf.pdf Trans Darlington NPN 50V 0.5A 18-Pin SOP T/R
товар відсутній
ULN2803AFWG(C,ELHA ULN2803AFWG(C,ELHA Toshiba 19698395254807981969837969716738uln2804apg_datasheet_en_20121126.pdf.pdf Trans Darlington NPN 50V 0.5A 18-Pin SOP
товар відсутній
ULN2803APG(CNHZN) Toshiba 19698395254807981969837969716738uln2804apg_datasheet_en_20121126.pdf.pdf Trans Darlington NPN 50V 0.5A 18-Pin PDIP
товар відсутній
ULN2803APG(CNHZN) ULN2803APG(CNHZN) Toshiba 19698395254807981969837969716738uln2804apg_datasheet_en_20121126.pdf.pdf Trans Darlington NPN 50V 0.5A 18-Pin PDIP
товар відсутній
SD-C04G2T2(PZCKP) Toshiba 04GB MicroSD Brand 19nm 3LC
товар відсутній
SD-C64G2T2(2ZGKY) Toshiba nods.pdf Flash Card 64G-byte MicroSD Card
товар відсутній
TLP3043(D4,S,C,F) TLP3043(D4,S,C,F) Toshiba tlp3042s_datasheet_en_20190617.pdf Optocoupler Triac AC-OUT 1-CH 400V 5-Pin PDIP
товар відсутній
TLP3043(S,C,F,T) TLP3043(S,C,F,T) Toshiba 15832428434855491583242216264145tlp3043s_datasheet_en_20180111.pdf.pdf Optocoupler Triac AC-OUT 1-CH 400V 5-Pin PDIP T/R
товар відсутній
TLP3043(S,C,F) TLP3043(S,C,F) Toshiba tlp3042s_datasheet_en_20190617.pdf Optocoupler Triac AC-OUT 1-CH 400V 5-Pin PDIP Magazine
товар відсутній
TLP3043 TLP3043 Toshiba tlp3042s_datasheet_en_20190617.pdf Optocoupler Triac AC-OUT 1-CH 400V 5-Pin PDIP
товар відсутній
74HC4051D 74HC4051D Toshiba 74hc4052d_datasheet_en_20201203.pdf Analog Multiplexer Single 8:1 16-Pin SOIC T/R
товар відсутній
74HC4051D(BJ) 74HC4051D(BJ) Toshiba 17115314026463317115263357857874hc4051d_datasheet_en_20160912.pdf.pdf Analog Multiplexer Single 8:1 16-Pin SOIC T/R
на замовлення 2333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 31
74HC595D(BJ) 74HC595D(BJ) Toshiba 12115238223880112115101068831474hc595d_datasheet_en_20161227.pdf.pdf Shift Register Single 8-Bit Serial to Serial/Parallel 16-Pin SOIC T/R
товар відсутній
2SC5198-O(Q) 2SC5198-O(Q) Toshiba 722sc5198_en_datasheet_101102.pdf Trans GP BJT NPN 140V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
товар відсутній
2SA1943-O(S1,F,S) 2SA1943-O(S1,F,S) Toshiba 1619583721211681619558254056702sa1943_datasheet_en_20160107.pdf.pdf Trans GP BJT PNP 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL Magazine
товар відсутній
2SA1943N(S1,X,S) Toshiba 2SA1943N(S1,X,S)
товар відсутній
2SA1943-O(Q) 2SA1943-O(Q) Toshiba 1619583721211681619558254056702sa1943_datasheet_en_20160107.pdf.pdf Trans GP BJT PNP 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL Tray
товар відсутній
2SA1943N(S1,E,S) 2SA1943N(S1,E,S) Toshiba 367docget.jspdid13908prodname2sa1943n.jspdid13908prodname2sa1943n.pd.pdf Trans GP BJT PNP 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine
товар відсутній
74HC04D Toshiba 518docget.jspdid37182prodname74hc04d.jspdid37182prodname74hc04d.pdf Inverter 6-Element CMOS 14-Pin SOIC T/R
товар відсутній
74HC04D(BJ) 74HC04D(BJ) Toshiba 518docget.jspdid37182prodname74hc04d.jspdid37182prodname74hc04d.pdf Inverter 6-Element CMOS 14-Pin SOIC T/R
товар відсутній
2SC5200-O(S1,F,S) 2SC5200-O(S1,F,S) Toshiba 1614797045679381614779178499292sc5200_datasheet_en_20160107.pdf.pdf Trans GP BJT NPN 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL Magazine
товар відсутній
2SC5200-O(Q) 2SC5200-O(Q) Toshiba 1614797045679381614779178499292sc5200_datasheet_en_20160107.pdf.pdf Trans GP BJT NPN 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL Tray
товар відсутній
2SC5200N(S1,E,S) 2SC5200N(S1,E,S) Toshiba 545docget.jspdid13909prodname2sc5200n.jspdid13909prodname2sc5200n.pd.pdf Trans GP BJT NPN 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine
товар відсутній
TK14N65W,S1F(S Toshiba PWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
74HC541D(BJ) 74HC541D(BJ) Toshiba 74hc540d_datasheet_en_20201117.pdf Buffer/Line Driver 8-CH Non-Inverting 3-ST CMOS 20-Pin SOIC T/R
на замовлення 1628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.4 грн
Мінімальне замовлення: 20
74HC573D(BJ) 74HC573D(BJ) Toshiba 74hc573d_datasheet_en_20201117.pdf Latch Transparent 3-ST 8-CH D-Type 20-Pin SOIC T/R
товар відсутній
74HCT08D(BJ) Toshiba 74hct08d_datasheet_en_20160524.pdf AND Gate 4-Element 2-IN CMOS 14-Pin SOIC T/R
товар відсутній
XPH13016MC,L1XHQ(O
XPH13016MC,L1XHQ(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPH13016MC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0129 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0129ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+165.32 грн
10+ 127.4 грн
100+ 95.55 грн
500+ 78.16 грн
1000+ 61.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
XPN6R706NC,L1XHQ(O
XPN6R706NC,L1XHQ(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPN6R706NC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0067 ohm, TSON Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+116.02 грн
10+ 89.48 грн
100+ 67.64 грн
500+ 54.85 грн
1000+ 43.48 грн
5000+ 42.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
XPN6R706NC,L1XHQ(O
XPN6R706NC,L1XHQ(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPN6R706NC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0067 ohm, TSON Advance, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON Advance
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+116.02 грн
10+ 89.48 грн
100+ 67.64 грн
500+ 54.85 грн
1000+ 43.48 грн
5000+ 42.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
SSM6J501NU,LF(T 3622444.pdf
SSM6J501NU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J501NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.012 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+36.4 грн
28+ 28.06 грн
100+ 13.88 грн
500+ 10.42 грн
1000+ 7.34 грн
5000+ 6.63 грн
Мінімальне замовлення: 21
SSM6J501NU,LF(T 3622444.pdf
SSM6J501NU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J501NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.012 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+13.88 грн
500+ 10.42 грн
1000+ 7.34 грн
5000+ 6.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
TK35N65W5,S1F(S 3934697.pdf
TK35N65W5,S1F(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK35N65W5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+627.14 грн
5+ 569.51 грн
10+ 511.88 грн
50+ 437.99 грн
100+ 369.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK5R1P08QM,RQ(S2
TK5R1P08QM,RQ(S2
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK5R1P08QM,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 105 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+112.23 грн
10+ 85.69 грн
100+ 62.87 грн
500+ 49.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
TK5R1P08QM,RQ(S2
TK5R1P08QM,RQ(S2
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK5R1P08QM,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 105 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+62.87 грн
500+ 49.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
TW140N120C,S1F(S 3760628.pdf
TW140N120C,S1F(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TW140N120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 1.2 kV, 0.182 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+818.24 грн
5+ 693.12 грн
10+ 567.99 грн
50+ 522.49 грн
100+ 477.1 грн
TK18A50D(STA4,X,M) 2007926.pdf
TK18A50D(STA4,X,M)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK18A50D(STA4,X,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.22 ohm, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+194.89 грн
10+ 149.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
TPD4164K,F(S 4159907.pdf
TPD4164K,F(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPD4164K,F(S - Motortreiber, bürstenloser DC-Motor, 1 Ausgang, 13.5-16.5V Versorgung, 2Aout, -40 bis 135°C, HDIP-30
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Ausgangsstrom: 2A
Motortyp: Bürstenloser Gleichstrommotor
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: HDIP
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 13.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 30Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 16.5V
Betriebstemperatur, max.: 135°C
Anzahl der Ausgänge: 1Outputs
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+570.27 грн
10+ 515.67 грн
25+ 488.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
TPD4163K,F(S 4159908.pdf
TPD4163K,F(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPD4163K,F(S - Motortreiber, bürstenloser DC-Motor, 1 Ausgang, 13.5-16.5V Versorgung, 1Aout, -40 bis 135°C, HDIP-30
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Ausgangsstrom: 1A
Motortyp: Bürstenloser Gleichstrommotor
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: HDIP
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 13.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 30Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 16.5V
Betriebstemperatur, max.: 135°C
Anzahl der Ausgänge: 1Outputs
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+481.54 грн
10+ 435.28 грн
25+ 411.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
TPW1R104PB,L1Q(O
TPW1R104PB,L1Q(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPW1R104PB,L1Q(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 950 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+253.28 грн
10+ 194.13 грн
100+ 143.32 грн
500+ 115.48 грн
1000+ 93.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
TPW1R104PB,L1Q(O
TPW1R104PB,L1Q(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPW1R104PB,L1Q(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 950 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+143.32 грн
500+ 115.48 грн
1000+ 93.6 грн
Мінімальне замовлення: 100
TK7R7P10PL,RQ(S2
TK7R7P10PL,RQ(S2
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK7R7P10PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 0.0065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+46.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
TK7R7P10PL,RQ(S2
TK7R7P10PL,RQ(S2
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK7R7P10PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 0.0065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+81.9 грн
12+ 64 грн
100+ 46.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
SSM6L820R,LXHF(T
SSM6L820R,LXHF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6L820R,LXHF(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.0391 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP-F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H/U-MOSVI Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0391ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+60.36 грн
15+ 51.49 грн
100+ 39.96 грн
500+ 27.18 грн
1000+ 14.76 грн
Мінімальне замовлення: 13
XPQ1R00AQB,LXHQ(O 4015103.pdf
XPQ1R00AQB,LXHQ(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPQ1R00AQB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.00103 ohm, L-TOGL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: L-TOGL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00103ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+552.82 грн
10+ 410.26 грн
100+ 332.91 грн
500+ 278.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
XPQR3004PB,LXHQ(O 3801527.pdf
XPQR3004PB,LXHQ(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPQR3004PB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 400 A, 230 µohm, L-TOGL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: L-TOGL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 230µohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+370.82 грн
50+ 318.99 грн
100+ 258.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
XPJ1R004PB,LXHQ(O 4002395.pdf
XPJ1R004PB,LXHQ(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPJ1R004PB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 0.001 ohm, S-TOGL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Bauform - Transistor: S-TOGL
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+201.72 грн
10+ 156.22 грн
100+ 117.54 грн
500+ 95.77 грн
1000+ 75.4 грн
Мінімальне замовлення: 4
XPQR3004PB,LXHQ(O 3801527.pdf
XPQR3004PB,LXHQ(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPQR3004PB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 400 A, 230 µohm, L-TOGL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: L-TOGL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 230µohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+623.35 грн
5+ 455.76 грн
10+ 370.82 грн
50+ 318.99 грн
100+ 258.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
XPJ1R004PB,LXHQ(O 4002395.pdf
XPJ1R004PB,LXHQ(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPJ1R004PB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 0.001 ohm, S-TOGL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+117.54 грн
500+ 95.77 грн
1000+ 75.4 грн
Мінімальне замовлення: 100
XPQ1R00AQB,LXHQ(O 4015103.pdf
XPQ1R00AQB,LXHQ(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPQ1R00AQB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.00103 ohm, L-TOGL, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: true
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: L-TOGL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00103ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+552.82 грн
10+ 410.26 грн
100+ 332.91 грн
500+ 278.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK290P60Y,RQ(S
TK290P60Y,RQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK290P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.23 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+89.48 грн
11+ 72.19 грн
100+ 57.56 грн
500+ 47.6 грн
Мінімальне замовлення: 9
TK290P60Y,RQ(S
TK290P60Y,RQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK290P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.23 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+89.48 грн
11+ 72.19 грн
100+ 57.56 грн
500+ 47.6 грн
Мінімальне замовлення: 9
BC560-B(TE2,F,T)
Виробник: Toshiba
DISCRETE TRANSISTOR
товар відсутній
ULN2803APG(O,N,HZN 19698395254807981969837969716738uln2804apg_datasheet_en_20121126.pdf.pdf
ULN2803APG(O,N,HZN
Виробник: Toshiba
Trans Darlington NPN 50V 0.5A 18-Pin PDIP
товар відсутній
ULN2803AFWG(5,M) 19698395254807981969837969716738uln2804apg_datasheet_en_20121126.pdf.pdf
ULN2803AFWG(5,M)
Виробник: Toshiba
Trans Darlington NPN 50V 0.5A 18-Pin SOP
товар відсутній
ULN2803AFW(M) en_20040225_uln2803afw_datasheet.pdf
ULN2803AFW(M)
Виробник: Toshiba
Trans Darlington NPN 50V 0.5A 1310mW 18-Pin SOL
товар відсутній
ULN2803AFW(EL,M) en_20040225_uln2803afw_datasheet.pdf
ULN2803AFW(EL,M)
Виробник: Toshiba
Trans Darlington NPN 50V 0.5A 1310mW 18-Pin SOL T/R
товар відсутній
ULN2803AFWG(O,NELM 19698395254807981969837969716738uln2804apg_datasheet_en_20121126.pdf.pdf
ULN2803AFWG(O,NELM
Виробник: Toshiba
Trans Darlington NPN 50V 0.5A 18-Pin SOP T/R
товар відсутній
ULN2803APG(5,M) 19698395254807981969837969716738uln2804apg_datasheet_en_20121126.pdf.pdf
ULN2803APG(5,M)
Виробник: Toshiba
Trans Darlington NPN 50V 0.5A 18-Pin PDIP
товар відсутній
ULN2803AFWG(5,EL,M) 19698395254807981969837969716738uln2804apg_datasheet_en_20121126.pdf.pdf
ULN2803AFWG(5,EL,M)
Виробник: Toshiba
Trans Darlington NPN 50V 0.5A 18-Pin SOP T/R
товар відсутній
ULN2803AFWG(5,EL,M 19698395254807981969837969716738uln2804apg_datasheet_en_20121126.pdf.pdf
ULN2803AFWG(5,EL,M
Виробник: Toshiba
Trans Darlington NPN 50V 0.5A 18-Pin SOP T/R
товар відсутній
ULN2803AFWG(C,ELHA 19698395254807981969837969716738uln2804apg_datasheet_en_20121126.pdf.pdf
ULN2803AFWG(C,ELHA
Виробник: Toshiba
Trans Darlington NPN 50V 0.5A 18-Pin SOP
товар відсутній
ULN2803APG(CNHZN) 19698395254807981969837969716738uln2804apg_datasheet_en_20121126.pdf.pdf
Виробник: Toshiba
Trans Darlington NPN 50V 0.5A 18-Pin PDIP
товар відсутній
ULN2803APG(CNHZN) 19698395254807981969837969716738uln2804apg_datasheet_en_20121126.pdf.pdf
ULN2803APG(CNHZN)
Виробник: Toshiba
Trans Darlington NPN 50V 0.5A 18-Pin PDIP
товар відсутній
SD-C04G2T2(PZCKP)
Виробник: Toshiba
04GB MicroSD Brand 19nm 3LC
товар відсутній
SD-C64G2T2(2ZGKY) nods.pdf
Виробник: Toshiba
Flash Card 64G-byte MicroSD Card
товар відсутній
TLP3043(D4,S,C,F) tlp3042s_datasheet_en_20190617.pdf
TLP3043(D4,S,C,F)
Виробник: Toshiba
Optocoupler Triac AC-OUT 1-CH 400V 5-Pin PDIP
товар відсутній
TLP3043(S,C,F,T) 15832428434855491583242216264145tlp3043s_datasheet_en_20180111.pdf.pdf
TLP3043(S,C,F,T)
Виробник: Toshiba
Optocoupler Triac AC-OUT 1-CH 400V 5-Pin PDIP T/R
товар відсутній
TLP3043(S,C,F) tlp3042s_datasheet_en_20190617.pdf
TLP3043(S,C,F)
Виробник: Toshiba
Optocoupler Triac AC-OUT 1-CH 400V 5-Pin PDIP Magazine
товар відсутній
TLP3043 tlp3042s_datasheet_en_20190617.pdf
TLP3043
Виробник: Toshiba
Optocoupler Triac AC-OUT 1-CH 400V 5-Pin PDIP
товар відсутній
74HC4051D 74hc4052d_datasheet_en_20201203.pdf
74HC4051D
Виробник: Toshiba
Analog Multiplexer Single 8:1 16-Pin SOIC T/R
товар відсутній
74HC4051D(BJ) 17115314026463317115263357857874hc4051d_datasheet_en_20160912.pdf.pdf
74HC4051D(BJ)
Виробник: Toshiba
Analog Multiplexer Single 8:1 16-Pin SOIC T/R
на замовлення 2333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
31+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 31
74HC595D(BJ) 12115238223880112115101068831474hc595d_datasheet_en_20161227.pdf.pdf
74HC595D(BJ)
Виробник: Toshiba
Shift Register Single 8-Bit Serial to Serial/Parallel 16-Pin SOIC T/R
товар відсутній
2SC5198-O(Q) 722sc5198_en_datasheet_101102.pdf
2SC5198-O(Q)
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 140V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
товар відсутній
2SA1943-O(S1,F,S) 1619583721211681619558254056702sa1943_datasheet_en_20160107.pdf.pdf
2SA1943-O(S1,F,S)
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL Magazine
товар відсутній
2SA1943N(S1,X,S)
Виробник: Toshiba
2SA1943N(S1,X,S)
товар відсутній
2SA1943-O(Q) 1619583721211681619558254056702sa1943_datasheet_en_20160107.pdf.pdf
2SA1943-O(Q)
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL Tray
товар відсутній
2SA1943N(S1,E,S) 367docget.jspdid13908prodname2sa1943n.jspdid13908prodname2sa1943n.pd.pdf
2SA1943N(S1,E,S)
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine
товар відсутній
74HC04D 518docget.jspdid37182prodname74hc04d.jspdid37182prodname74hc04d.pdf
Виробник: Toshiba
Inverter 6-Element CMOS 14-Pin SOIC T/R
товар відсутній
74HC04D(BJ) 518docget.jspdid37182prodname74hc04d.jspdid37182prodname74hc04d.pdf
74HC04D(BJ)
Виробник: Toshiba
Inverter 6-Element CMOS 14-Pin SOIC T/R
товар відсутній
2SC5200-O(S1,F,S) 1614797045679381614779178499292sc5200_datasheet_en_20160107.pdf.pdf
2SC5200-O(S1,F,S)
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL Magazine
товар відсутній
2SC5200-O(Q) 1614797045679381614779178499292sc5200_datasheet_en_20160107.pdf.pdf
2SC5200-O(Q)
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL Tray
товар відсутній
2SC5200N(S1,E,S) 545docget.jspdid13909prodname2sc5200n.jspdid13909prodname2sc5200n.pd.pdf
2SC5200N(S1,E,S)
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine
товар відсутній
TK14N65W,S1F(S
Виробник: Toshiba
PWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
74HC541D(BJ) 74hc540d_datasheet_en_20201117.pdf
74HC541D(BJ)
Виробник: Toshiba
Buffer/Line Driver 8-CH Non-Inverting 3-ST CMOS 20-Pin SOIC T/R
на замовлення 1628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+16.4 грн
Мінімальне замовлення: 20
74HC573D(BJ) 74hc573d_datasheet_en_20201117.pdf
74HC573D(BJ)
Виробник: Toshiba
Latch Transparent 3-ST 8-CH D-Type 20-Pin SOIC T/R
товар відсутній
74HCT08D(BJ) 74hct08d_datasheet_en_20160524.pdf
Виробник: Toshiba
AND Gate 4-Element 2-IN CMOS 14-Pin SOIC T/R
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 81 162 243 324 405 486 567 648 693 694 695 696 697 698 699 700 701 702 703 729 810 817  [ Наступна Сторінка >> ]