Продукція > TOSHIBA > SSM6J501NU,LF(T
SSM6J501NU,LF(T

SSM6J501NU,LF(T TOSHIBA


Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J501NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.012 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1454 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.93 грн
500+16.15 грн
1000+13.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6J501NU,LF(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM6J501NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.012 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-1220, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SSM6J501NU,LF(T за ціною від 13.22 грн до 51.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM6J501NU,LF(T SSM6J501NU,LF(T Виробник : Toshiba 42docget.jsplangenpidssm6j501nutypedatasheet.jsplangenpidssm6j501nu.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 10A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 2981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
361+34.33 грн
492+25.17 грн
521+23.76 грн
1000+22.84 грн
Мінімальне замовлення: 361
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J501NU,LF(T SSM6J501NU,LF(T Виробник : TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM6J501NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.012 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+51.83 грн
25+34.35 грн
100+21.93 грн
500+16.15 грн
1000+13.22 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.