![TK18A50D(STA4,X,M) TK18A50D(STA4,X,M)](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3TO220F-40.jpg)
TK18A50D(STA4,X,M) TOSHIBA
![2007926.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TOSHIBA - TK18A50D(STA4,X,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.22 ohm, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 205.6 грн |
10+ | 157.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK18A50D(STA4,X,M) TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK18A50D(STA4,X,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.22 ohm, SC-67, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: SC-67, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції TK18A50D(STA4,X,M)
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
TK18A50D(STA4,X,M) | Виробник : Toshiba | PWR-MOSFET N-CHANNEL |
товар відсутній |