![2SA1943N(S1,E,S) 2SA1943N(S1,E,S)](https://www.mouser.com/images/toshibaamericaelectroniccomponentsinc/lrg/to_3.jpg)
2SA1943N(S1,E,S) Toshiba
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 170.35 грн |
10+ | 129.05 грн |
100+ | 94.64 грн |
250+ | 92.61 грн |
500+ | 81.8 грн |
1000+ | 67.26 грн |
2500+ | 65.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA1943N(S1,E,S) Toshiba
Description: TOSHIBA - 2SA1943N(S1,E,S) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 230 V, 15 A, 150 W, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 15A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 230V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції 2SA1943N(S1,E,S) за ціною від 124.37 грн до 194.13 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2SA1943N(S1,E,S) | Виробник : TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 15A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 230V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
2SA1943N(S1,E,S) | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
2SA1943N(S1,E,S) Код товару: 176753 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||
![]() |
2SA1943N(S1,E,S) | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
2SA1943N(S1,E,S) | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
2SA1943N(S1,E,S) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3P(N) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Power - Max: 150 W |
товар відсутній |