XPQ1R00AQB,LXHQ(O TOSHIBA
Виробник: TOSHIBADescription: TOSHIBA - XPQ1R00AQB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.00103 ohm, L-TOGL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: L-TOGL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00103ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 552.82 грн |
| 10+ | 410.26 грн |
| 100+ | 332.91 грн |
| 500+ | 278.15 грн |
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Технічний опис XPQ1R00AQB,LXHQ(O TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPQ1R00AQB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.00103 ohm, L-TOGL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 750W, Bauform - Transistor: L-TOGL, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: U-MOSX-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00103ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції XPQ1R00AQB,LXHQ(O за ціною від 278.15 грн до 552.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
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XPQ1R00AQB,LXHQ(O | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - XPQ1R00AQB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.00103 ohm, L-TOGL, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: true rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 750W Bauform - Transistor: L-TOGL Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: U-MOSX-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00103ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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