Продукція > TOSHIBA > XPQR3004PB,LXHQ(O
XPQR3004PB,LXHQ(O

XPQR3004PB,LXHQ(O TOSHIBA


3801527.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPQR3004PB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 400 A, 230 µohm, L-TOGL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: L-TOGL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 230µohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+391.2 грн
50+ 336.51 грн
100+ 272.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис XPQR3004PB,LXHQ(O TOSHIBA

Description: TOSHIBA - XPQR3004PB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 400 A, 230 µohm, L-TOGL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 400A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 750W, Bauform - Transistor: L-TOGL, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: U-MOSIX-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 230µohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції XPQR3004PB,LXHQ(O за ціною від 272.23 грн до 657.6 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
XPQR3004PB,LXHQ(O XPQR3004PB,LXHQ(O Виробник : TOSHIBA 3801527.pdf Description: TOSHIBA - XPQR3004PB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 400 A, 230 µohm, L-TOGL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: L-TOGL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 230µohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+657.6 грн
5+ 480.8 грн
10+ 391.2 грн
50+ 336.51 грн
100+ 272.23 грн
Мінімальне замовлення: 2