Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR (63080) > Сторінка 591 з 1052

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 105 210 315 420 525 586 587 588 589 590 591 592 593 594 595 596 630 735 840 945 1050 1052  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
P6SMB24AHM4G P6SMB24AHM4G TAIWAN SEMICONDUCTOR P6SMB_ser.pdf Category: Unidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 24V; 19A; unidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 20.5V
Breakdown voltage: 24V
Max. forward impulse current: 19A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P6SMB24CA M4G P6SMB24CA M4G TAIWAN SEMICONDUCTOR P6SMB_SER.pdf Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 24V; 19A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 20.5V
Breakdown voltage: 24V
Max. forward impulse current: 19A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 455 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+17.92 грн
25+ 16.01 грн
80+ 13.02 грн
215+ 12.31 грн
Мінімальне замовлення: 20
P6SMB24CAHM4 P6SMB24CAHM4 TAIWAN SEMICONDUCTOR P6SMB_SER.pdf Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 24V; 19A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 20.5V
Breakdown voltage: 24V
Max. forward impulse current: 19A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P6SMB27A R5G TAIWAN SEMICONDUCTOR P6SMB%20SERIES_Q2209.pdf P6SMB27A-R5G Unidirectional SMD transil diodes
товар відсутній
P6SMB27CA M4G TAIWAN SEMICONDUCTOR P6SMB27CA-M4G Bidirectional SMD transil diodes
товар відсутній
P6SMB27CAHM4G TAIWAN SEMICONDUCTOR P6SMB27CAHM4G Bidirectional SMD transil diodes
товар відсутній
P6SMB30AHM4G P6SMB30AHM4G TAIWAN SEMICONDUCTOR P6SMB_ser.pdf Category: Unidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 30V; 15A; unidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 25.6V
Breakdown voltage: 30V
Max. forward impulse current: 15A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P6SMB30CA M4G P6SMB30CA M4G TAIWAN SEMICONDUCTOR P6SMB_ser.pdf Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 30V; 15A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 25.6V
Breakdown voltage: 30V
Max. forward impulse current: 15A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+41.28 грн
25+ 17.91 грн
77+ 13.24 грн
212+ 12.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
P6SMB30CAHM4G P6SMB30CAHM4G TAIWAN SEMICONDUCTOR P6SMB_ser.pdf Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 30V; 15A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 25.6V
Breakdown voltage: 30V
Max. forward impulse current: 15A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P6SMB30CAHR5G P6SMB30CAHR5G TAIWAN SEMICONDUCTOR P6SMB_ser.pdf Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 30V; 15A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 25.6V
Breakdown voltage: 30V
Max. forward impulse current: 15A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P6SMB33A M4G P6SMB33A M4G TAIWAN SEMICONDUCTOR P6SMB_ser.pdf Category: Unidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 33V; 13.8A; unidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28.2V
Breakdown voltage: 33V
Max. forward impulse current: 13.8A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+14.45 грн
25+ 12.57 грн
100+ 10.72 грн
105+ 9.58 грн
290+ 9.06 грн
1000+ 8.97 грн
Мінімальне замовлення: 20
P6SMB33A R5G P6SMB33A R5G TAIWAN SEMICONDUCTOR P6SMB_ser.pdf Category: Unidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 33V; 13.8A; unidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28.2V
Breakdown voltage: 33V
Max. forward impulse current: 13.8A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P6SMB33AHR5G P6SMB33AHR5G TAIWAN SEMICONDUCTOR P6SMB_ser.pdf Category: Unidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 33V; 13.8A; unidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28.2V
Breakdown voltage: 33V
Max. forward impulse current: 13.8A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P6SMB33CA M4G P6SMB33CA M4G TAIWAN SEMICONDUCTOR P6SMB_ser.pdf Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 33V; 13.2A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28.2V
Breakdown voltage: 33V
Max. forward impulse current: 13.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P6SMB33CA R5G P6SMB33CA R5G TAIWAN SEMICONDUCTOR P6SMB_ser.pdf Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 33V; 13.8A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28.2V
Breakdown voltage: 33V
Max. forward impulse current: 13.8A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P6SMB33CAHM4G P6SMB33CAHM4G TAIWAN SEMICONDUCTOR P6SMB_ser.pdf Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 33V; 13.8A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28.2V
Breakdown voltage: 33V
Max. forward impulse current: 13.8A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P6SMB36A M4G P6SMB36A M4G TAIWAN SEMICONDUCTOR P6SMB_ser.pdf Category: Unidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 36V; 12.6A; unidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 30.8V
Breakdown voltage: 36V
Max. forward impulse current: 12.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
P6SMB36A R5G P6SMB36A R5G TAIWAN SEMICONDUCTOR P6SMB_ser.pdf Category: Unidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 36V; 12.6A; unidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 30.8V
Breakdown voltage: 36V
Max. forward impulse current: 12.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P6SMB36CA R5G P6SMB36CA R5G TAIWAN SEMICONDUCTOR P6SMB_ser.pdf Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 36V; 12.6A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 30.8V
Breakdown voltage: 36V
Max. forward impulse current: 12.6A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P6SMB36CAHM4G P6SMB36CAHM4G TAIWAN SEMICONDUCTOR P6SMB_ser.pdf Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 36V; 12.6A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 30.8V
Breakdown voltage: 36V
Max. forward impulse current: 12.6A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P6SMB36CAHR5G P6SMB36CAHR5G TAIWAN SEMICONDUCTOR P6SMB_ser.pdf Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 36V; 12.6A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 30.8V
Breakdown voltage: 36V
Max. forward impulse current: 12.6A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P6SMB39A P6SMB39A TAIWAN SEMICONDUCTOR P6SMB_ser.pdf Category: Unidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 39V; 11.6A; unidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33.3V
Breakdown voltage: 39V
Max. forward impulse current: 11.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 365 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+16.89 грн
25+ 14.66 грн
95+ 11.06 грн
250+ 10.45 грн
Мінімальне замовлення: 20
P6SMB39CA M4G P6SMB39CA M4G TAIWAN SEMICONDUCTOR P6SMB_SER.pdf Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 39V; 11.6A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33.3V
Breakdown voltage: 39V
Max. forward impulse current: 11.6A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 497 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+51.6 грн
13+ 20.9 грн
25+ 18.12 грн
74+ 13.68 грн
204+ 12.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
P6SMB39CA R5G P6SMB39CA R5G TAIWAN SEMICONDUCTOR P6SMB_SER.pdf Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 39V; 11.6A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33.3V
Breakdown voltage: 39V
Max. forward impulse current: 11.6A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P6SMB39CAHM4G P6SMB39CAHM4G TAIWAN SEMICONDUCTOR P6SMB_SER.pdf Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 39V; 11.6A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33.3V
Breakdown voltage: 39V
Max. forward impulse current: 11.6A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P6SMB43A M4G P6SMB43A M4G TAIWAN SEMICONDUCTOR P6SMB_ser.pdf Category: Unidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 43V; 10.6A; unidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SMB
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 36.8V
Max. forward impulse current: 10.6A
Breakdown voltage: 43V
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
P6SMB43CA M4G P6SMB43CA M4G TAIWAN SEMICONDUCTOR P6SMB_ser.pdf Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 43V; 10.6A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SMB
Semiconductor structure: bidirectional
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 36.8V
Max. forward impulse current: 10.6A
Breakdown voltage: 43V
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
P6SMB47A M4G TAIWAN SEMICONDUCTOR P6SMB%20SERIES_N1701.pdf P6SMB47A-M4G Unidirectional SMD transil diodes
товар відсутній
P6SMB47A R5G TAIWAN SEMICONDUCTOR P6SMB%20SERIES_N1701.pdf P6SMB47A-R5G Unidirectional SMD transil diodes
товар відсутній
P6SMB47CA M4G TAIWAN SEMICONDUCTOR P6SMB47CA-M4G Bidirectional SMD transil diodes
товар відсутній
P6SMB51A M4G TAIWAN SEMICONDUCTOR P6SMB51A-M4G Unidirectional SMD transil diodes
товар відсутній
P6SMB51CAHM4G P6SMB51CAHM4G TAIWAN SEMICONDUCTOR P6SMB_ser.pdf Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 51V; 8.9A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 43.6V
Breakdown voltage: 51V
Max. forward impulse current: 8.9A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P6SMB56A M4G P6SMB56A M4G TAIWAN SEMICONDUCTOR P6SMB_ser.pdf Category: Unidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 56V; 8.1A; unidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 47.8V
Breakdown voltage: 56V
Max. forward impulse current: 8.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
P6SMB56CA M4G P6SMB56CA M4G TAIWAN SEMICONDUCTOR P6SMB_ser.pdf Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 56V; 8.1A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 47.8V
Breakdown voltage: 56V
Max. forward impulse current: 8.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
P6SMB56CAHM4G P6SMB56CAHM4G TAIWAN SEMICONDUCTOR P6SMB_ser.pdf Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 56V; 8.1A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 47.8V
Breakdown voltage: 56V
Max. forward impulse current: 8.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P6SMB56CAHR5G P6SMB56CAHR5G TAIWAN SEMICONDUCTOR P6SMB_ser.pdf Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 56V; 8.1A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 47.8V
Breakdown voltage: 56V
Max. forward impulse current: 8.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P6SMB6.8A P6SMB6.8A TAIWAN SEMICONDUCTOR P6SMB_ser.pdf description Category: Unidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 6.8V; 60A; unidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Case: SMB
Tolerance: ±5%
Max. off-state voltage: 5.8V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 60A
Breakdown voltage: 6.8V
Leakage current: 2mA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2235 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+15.95 грн
25+ 13.84 грн
95+ 10.54 грн
260+ 10.02 грн
3000+ 9.84 грн
Мінімальне замовлення: 20
P6SMB6.8CA P6SMB6.8CA TAIWAN SEMICONDUCTOR P6SMB SERIES_Q2209.pdf description Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 6.8V; 60A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Case: SMB
Tolerance: ±5%
Max. off-state voltage: 5.8V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 60A
Breakdown voltage: 6.8V
Leakage current: 2mA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+19.7 грн
25+ 17.01 грн
81+ 12.37 грн
223+ 11.67 грн
Мінімальне замовлення: 15
P6SMB62CA M4G P6SMB62CA M4G TAIWAN SEMICONDUCTOR P6SMB_ser.pdf Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 62V; 7.4A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Case: SMB
Tolerance: ±5%
Max. off-state voltage: 53V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 7.4A
Breakdown voltage: 62V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P6SMB62CA R5G P6SMB62CA R5G TAIWAN SEMICONDUCTOR P6SMB_ser.pdf Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 62V; 7.4A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 53V
Breakdown voltage: 62V
Max. forward impulse current: 7.4A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P6SMB62CAHM4G P6SMB62CAHM4G TAIWAN SEMICONDUCTOR P6SMB_ser.pdf Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 62V; 7.4A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 53V
Breakdown voltage: 62V
Max. forward impulse current: 7.4A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P6SMB68A M4G P6SMB68A M4G TAIWAN SEMICONDUCTOR P6SMB_ser.pdf Category: Unidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 68V; 6.8A; unidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 58.1V
Breakdown voltage: 68V
Max. forward impulse current: 6.8A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
P6SMB68A R5G P6SMB68A R5G TAIWAN SEMICONDUCTOR P6SMB%20SERIES_Q2209.pdf Category: Unidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 68V; 6.8A; unidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 58.1V
Breakdown voltage: 68V
Max. forward impulse current: 6.8A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P6SMB68AHM4G P6SMB68AHM4G TAIWAN SEMICONDUCTOR P6SMB_ser.pdf Category: Unidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 68V; 6.8A; unidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 58.1V
Breakdown voltage: 68V
Max. forward impulse current: 6.8A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P6SMB68CA R5G TAIWAN SEMICONDUCTOR P6SMB%20SERIES_N1701.pdf P6SMB68CA-R5G Bidirectional SMD transil diodes
товар відсутній
P6SMB75A M4G TAIWAN SEMICONDUCTOR P6SMB%20SERIES_P2102.pdf P6SMB75A-M4G Unidirectional SMD transil diodes
товар відсутній
P6SMB75CAHM4G P6SMB75CAHM4G TAIWAN SEMICONDUCTOR Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 75V; 6.1A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 64.1V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 6.1A
Breakdown voltage: 75V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Case: SMB
Tolerance: ±5%
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P6SMB82A M4G TAIWAN SEMICONDUCTOR P6SMB82A-M4G Unidirectional SMD transil diodes
товар відсутній
P6SMB91CAHM4G P6SMB91CAHM4G TAIWAN SEMICONDUCTOR Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 91V; 5A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 77.8V
Breakdown voltage: 91V
Max. forward impulse current: 5A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RABS20M M3G RABS20M M3G TAIWAN SEMICONDUCTOR RABS20M.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 2A; Ifsm: 50A; ABS
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 50A
Case: ABS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.16V
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+24.67 грн
25+ 15.56 грн
83+ 12.2 грн
228+ 11.5 грн
1000+ 11.15 грн
Мінімальне замовлення: 12
RB751V-40 RRG RB751V-40 RRG TAIWAN SEMICONDUCTOR RB751V-40-RRG.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 40V; 0.03A; SOD323; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 30mA
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Max. forward voltage: 0.37V
Case: SOD323
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 0.2A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
13+22.52 грн
22+ 12.85 грн
28+ 9.58 грн
100+ 6.62 грн
250+ 6.12 грн
365+ 2.79 грн
1004+ 2.64 грн
Мінімальне замовлення: 13
RMB4S RCG TAIWAN SEMICONDUCTOR RMBxS SER.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 400V; If: 0.5A; Ifsm: 30A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 0.5A
Max. forward impulse current: 30A
Case: MBS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RMB6S RCG RMB6S RCG TAIWAN SEMICONDUCTOR RMBxS SER.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 0.8A; Ifsm: 30A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 30A
Case: MBS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+31.24 грн
25+ 27.14 грн
50+ 20.3 грн
138+ 19.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
RS1AL R2 RS1AL R2 TAIWAN SEMICONDUCTOR RS1AL-R2.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 50V; 0.8A; 150ns; subSMA; Ufmax: 1.3V
Mounting: SMD
Capacitance: 10pF
Max. forward impulse current: 30A
Case: subSMA
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 50V
Max. forward voltage: 1.3V
Load current: 0.8A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 150ns
Type of diode: switching
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
32+8.91 грн
39+ 7.24 грн
100+ 5.38 грн
217+ 4.69 грн
595+ 4.43 грн
Мінімальне замовлення: 32
RS1B M2G RS1B M2G TAIWAN SEMICONDUCTOR RS1G.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 150ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 150ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Capacitance: 10pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RS1G F3 RS1G F3 TAIWAN SEMICONDUCTOR RS1G.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 150ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 10pF
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. forward voltage: 1.3V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 150ns
Max. forward impulse current: 30A
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: glass passivated
Mounting: SMD
Case: SMA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
28+10.13 грн
50+ 7.13 грн
198+ 5.18 грн
544+ 4.9 грн
5000+ 4.71 грн
Мінімальне замовлення: 28
RS1J M2G RS1J M2G TAIWAN SEMICONDUCTOR RS1G.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 250ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Mounting: SMD
Capacitance: 10pF
Max. forward impulse current: 30A
Case: SMA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. forward voltage: 1.3V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 250ns
Type of diode: rectifying
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7408 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
34+8.44 грн
50+ 5.7 грн
241+ 4.26 грн
661+ 4.02 грн
Мінімальне замовлення: 34
RS1M M2G RS1M M2G TAIWAN SEMICONDUCTOR RS1G.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 500ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 0.5µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Capacitance: 10pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
29+9.94 грн
50+ 7.42 грн
182+ 5.66 грн
500+ 5.31 грн
Мінімальне замовлення: 29
RS1ML R2 RS1ML R2 TAIWAN SEMICONDUCTOR RS1AL-R2.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 1kV; 0.8A; 500ns; subSMA; Ufmax: 1.3V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 0.8A
Reverse recovery time: 0.5µs
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 10pF
Case: subSMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11900 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
25+11.45 грн
50+ 8.5 грн
165+ 6.19 грн
453+ 5.84 грн
Мінімальне замовлення: 25
RS3M V6G RS3M V6G TAIWAN SEMICONDUCTOR RS3M-V6G.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 3A; 500ns; SMC; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Reverse recovery time: 0.5µs
Semiconductor structure: single diode
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 275 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+20.26 грн
25+ 17.82 грн
78+ 13.15 грн
212+ 12.46 грн
Мінімальне замовлення: 14
P6SMB24AHM4G P6SMB_ser.pdf
P6SMB24AHM4G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Unidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 24V; 19A; unidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 20.5V
Breakdown voltage: 24V
Max. forward impulse current: 19A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P6SMB24CA M4G P6SMB_SER.pdf
P6SMB24CA M4G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 24V; 19A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 20.5V
Breakdown voltage: 24V
Max. forward impulse current: 19A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 455 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+17.92 грн
25+ 16.01 грн
80+ 13.02 грн
215+ 12.31 грн
Мінімальне замовлення: 20
P6SMB24CAHM4 P6SMB_SER.pdf
P6SMB24CAHM4
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 24V; 19A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 20.5V
Breakdown voltage: 24V
Max. forward impulse current: 19A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P6SMB27A R5G P6SMB%20SERIES_Q2209.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
P6SMB27A-R5G Unidirectional SMD transil diodes
товар відсутній
P6SMB27CA M4G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
P6SMB27CA-M4G Bidirectional SMD transil diodes
товар відсутній
P6SMB27CAHM4G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
P6SMB27CAHM4G Bidirectional SMD transil diodes
товар відсутній
P6SMB30AHM4G P6SMB_ser.pdf
P6SMB30AHM4G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Unidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 30V; 15A; unidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 25.6V
Breakdown voltage: 30V
Max. forward impulse current: 15A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P6SMB30CA M4G P6SMB_ser.pdf
P6SMB30CA M4G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 30V; 15A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 25.6V
Breakdown voltage: 30V
Max. forward impulse current: 15A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+41.28 грн
25+ 17.91 грн
77+ 13.24 грн
212+ 12.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
P6SMB30CAHM4G P6SMB_ser.pdf
P6SMB30CAHM4G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 30V; 15A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 25.6V
Breakdown voltage: 30V
Max. forward impulse current: 15A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P6SMB30CAHR5G P6SMB_ser.pdf
P6SMB30CAHR5G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 30V; 15A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 25.6V
Breakdown voltage: 30V
Max. forward impulse current: 15A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P6SMB33A M4G P6SMB_ser.pdf
P6SMB33A M4G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Unidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 33V; 13.8A; unidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28.2V
Breakdown voltage: 33V
Max. forward impulse current: 13.8A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+14.45 грн
25+ 12.57 грн
100+ 10.72 грн
105+ 9.58 грн
290+ 9.06 грн
1000+ 8.97 грн
Мінімальне замовлення: 20
P6SMB33A R5G P6SMB_ser.pdf
P6SMB33A R5G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Unidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 33V; 13.8A; unidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28.2V
Breakdown voltage: 33V
Max. forward impulse current: 13.8A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P6SMB33AHR5G P6SMB_ser.pdf
P6SMB33AHR5G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Unidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 33V; 13.8A; unidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28.2V
Breakdown voltage: 33V
Max. forward impulse current: 13.8A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P6SMB33CA M4G P6SMB_ser.pdf
P6SMB33CA M4G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 33V; 13.2A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28.2V
Breakdown voltage: 33V
Max. forward impulse current: 13.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P6SMB33CA R5G P6SMB_ser.pdf
P6SMB33CA R5G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 33V; 13.8A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28.2V
Breakdown voltage: 33V
Max. forward impulse current: 13.8A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P6SMB33CAHM4G P6SMB_ser.pdf
P6SMB33CAHM4G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 33V; 13.8A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28.2V
Breakdown voltage: 33V
Max. forward impulse current: 13.8A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P6SMB36A M4G P6SMB_ser.pdf
P6SMB36A M4G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Unidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 36V; 12.6A; unidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 30.8V
Breakdown voltage: 36V
Max. forward impulse current: 12.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
P6SMB36A R5G P6SMB_ser.pdf
P6SMB36A R5G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Unidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 36V; 12.6A; unidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 30.8V
Breakdown voltage: 36V
Max. forward impulse current: 12.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P6SMB36CA R5G P6SMB_ser.pdf
P6SMB36CA R5G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 36V; 12.6A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 30.8V
Breakdown voltage: 36V
Max. forward impulse current: 12.6A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P6SMB36CAHM4G P6SMB_ser.pdf
P6SMB36CAHM4G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 36V; 12.6A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 30.8V
Breakdown voltage: 36V
Max. forward impulse current: 12.6A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P6SMB36CAHR5G P6SMB_ser.pdf
P6SMB36CAHR5G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 36V; 12.6A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 30.8V
Breakdown voltage: 36V
Max. forward impulse current: 12.6A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P6SMB39A P6SMB_ser.pdf
P6SMB39A
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Unidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 39V; 11.6A; unidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33.3V
Breakdown voltage: 39V
Max. forward impulse current: 11.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 365 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+16.89 грн
25+ 14.66 грн
95+ 11.06 грн
250+ 10.45 грн
Мінімальне замовлення: 20
P6SMB39CA M4G P6SMB_SER.pdf
P6SMB39CA M4G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 39V; 11.6A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33.3V
Breakdown voltage: 39V
Max. forward impulse current: 11.6A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 497 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+51.6 грн
13+ 20.9 грн
25+ 18.12 грн
74+ 13.68 грн
204+ 12.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
P6SMB39CA R5G P6SMB_SER.pdf
P6SMB39CA R5G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 39V; 11.6A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33.3V
Breakdown voltage: 39V
Max. forward impulse current: 11.6A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P6SMB39CAHM4G P6SMB_SER.pdf
P6SMB39CAHM4G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 39V; 11.6A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33.3V
Breakdown voltage: 39V
Max. forward impulse current: 11.6A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P6SMB43A M4G P6SMB_ser.pdf
P6SMB43A M4G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Unidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 43V; 10.6A; unidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SMB
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 36.8V
Max. forward impulse current: 10.6A
Breakdown voltage: 43V
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
P6SMB43CA M4G P6SMB_ser.pdf
P6SMB43CA M4G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 43V; 10.6A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SMB
Semiconductor structure: bidirectional
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 36.8V
Max. forward impulse current: 10.6A
Breakdown voltage: 43V
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
P6SMB47A M4G P6SMB%20SERIES_N1701.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
P6SMB47A-M4G Unidirectional SMD transil diodes
товар відсутній
P6SMB47A R5G P6SMB%20SERIES_N1701.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
P6SMB47A-R5G Unidirectional SMD transil diodes
товар відсутній
P6SMB47CA M4G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
P6SMB47CA-M4G Bidirectional SMD transil diodes
товар відсутній
P6SMB51A M4G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
P6SMB51A-M4G Unidirectional SMD transil diodes
товар відсутній
P6SMB51CAHM4G P6SMB_ser.pdf
P6SMB51CAHM4G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 51V; 8.9A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 43.6V
Breakdown voltage: 51V
Max. forward impulse current: 8.9A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P6SMB56A M4G P6SMB_ser.pdf
P6SMB56A M4G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Unidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 56V; 8.1A; unidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 47.8V
Breakdown voltage: 56V
Max. forward impulse current: 8.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
P6SMB56CA M4G P6SMB_ser.pdf
P6SMB56CA M4G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 56V; 8.1A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 47.8V
Breakdown voltage: 56V
Max. forward impulse current: 8.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
P6SMB56CAHM4G P6SMB_ser.pdf
P6SMB56CAHM4G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 56V; 8.1A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 47.8V
Breakdown voltage: 56V
Max. forward impulse current: 8.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P6SMB56CAHR5G P6SMB_ser.pdf
P6SMB56CAHR5G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 56V; 8.1A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 47.8V
Breakdown voltage: 56V
Max. forward impulse current: 8.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P6SMB6.8A description P6SMB_ser.pdf
P6SMB6.8A
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Unidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 6.8V; 60A; unidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Case: SMB
Tolerance: ±5%
Max. off-state voltage: 5.8V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 60A
Breakdown voltage: 6.8V
Leakage current: 2mA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2235 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+15.95 грн
25+ 13.84 грн
95+ 10.54 грн
260+ 10.02 грн
3000+ 9.84 грн
Мінімальне замовлення: 20
P6SMB6.8CA description P6SMB SERIES_Q2209.pdf
P6SMB6.8CA
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 6.8V; 60A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Case: SMB
Tolerance: ±5%
Max. off-state voltage: 5.8V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 60A
Breakdown voltage: 6.8V
Leakage current: 2mA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+19.7 грн
25+ 17.01 грн
81+ 12.37 грн
223+ 11.67 грн
Мінімальне замовлення: 15
P6SMB62CA M4G P6SMB_ser.pdf
P6SMB62CA M4G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 62V; 7.4A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Case: SMB
Tolerance: ±5%
Max. off-state voltage: 53V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 7.4A
Breakdown voltage: 62V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P6SMB62CA R5G P6SMB_ser.pdf
P6SMB62CA R5G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 62V; 7.4A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 53V
Breakdown voltage: 62V
Max. forward impulse current: 7.4A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P6SMB62CAHM4G P6SMB_ser.pdf
P6SMB62CAHM4G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 62V; 7.4A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 53V
Breakdown voltage: 62V
Max. forward impulse current: 7.4A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P6SMB68A M4G P6SMB_ser.pdf
P6SMB68A M4G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Unidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 68V; 6.8A; unidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 58.1V
Breakdown voltage: 68V
Max. forward impulse current: 6.8A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
P6SMB68A R5G P6SMB%20SERIES_Q2209.pdf
P6SMB68A R5G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Unidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 68V; 6.8A; unidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 58.1V
Breakdown voltage: 68V
Max. forward impulse current: 6.8A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P6SMB68AHM4G P6SMB_ser.pdf
P6SMB68AHM4G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Unidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 68V; 6.8A; unidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 58.1V
Breakdown voltage: 68V
Max. forward impulse current: 6.8A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P6SMB68CA R5G P6SMB%20SERIES_N1701.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
P6SMB68CA-R5G Bidirectional SMD transil diodes
товар відсутній
P6SMB75A M4G P6SMB%20SERIES_P2102.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
P6SMB75A-M4G Unidirectional SMD transil diodes
товар відсутній
P6SMB75CAHM4G
P6SMB75CAHM4G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 75V; 6.1A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 64.1V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 6.1A
Breakdown voltage: 75V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Case: SMB
Tolerance: ±5%
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P6SMB82A M4G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
P6SMB82A-M4G Unidirectional SMD transil diodes
товар відсутній
P6SMB91CAHM4G
P6SMB91CAHM4G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 91V; 5A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 77.8V
Breakdown voltage: 91V
Max. forward impulse current: 5A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RABS20M M3G RABS20M.pdf
RABS20M M3G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 2A; Ifsm: 50A; ABS
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 50A
Case: ABS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.16V
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+24.67 грн
25+ 15.56 грн
83+ 12.2 грн
228+ 11.5 грн
1000+ 11.15 грн
Мінімальне замовлення: 12
RB751V-40 RRG RB751V-40-RRG.pdf
RB751V-40 RRG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 40V; 0.03A; SOD323; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 30mA
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Max. forward voltage: 0.37V
Case: SOD323
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 0.2A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+22.52 грн
22+ 12.85 грн
28+ 9.58 грн
100+ 6.62 грн
250+ 6.12 грн
365+ 2.79 грн
1004+ 2.64 грн
Мінімальне замовлення: 13
RMB4S RCG RMBxS SER.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 400V; If: 0.5A; Ifsm: 30A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 0.5A
Max. forward impulse current: 30A
Case: MBS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RMB6S RCG RMBxS SER.pdf
RMB6S RCG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 0.8A; Ifsm: 30A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 30A
Case: MBS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.24 грн
25+ 27.14 грн
50+ 20.3 грн
138+ 19.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
RS1AL R2 RS1AL-R2.pdf
RS1AL R2
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 50V; 0.8A; 150ns; subSMA; Ufmax: 1.3V
Mounting: SMD
Capacitance: 10pF
Max. forward impulse current: 30A
Case: subSMA
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 50V
Max. forward voltage: 1.3V
Load current: 0.8A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 150ns
Type of diode: switching
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
32+8.91 грн
39+ 7.24 грн
100+ 5.38 грн
217+ 4.69 грн
595+ 4.43 грн
Мінімальне замовлення: 32
RS1B M2G RS1G.pdf
RS1B M2G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 150ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 150ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Capacitance: 10pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RS1G F3 RS1G.pdf
RS1G F3
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 150ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 10pF
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. forward voltage: 1.3V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 150ns
Max. forward impulse current: 30A
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: glass passivated
Mounting: SMD
Case: SMA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
28+10.13 грн
50+ 7.13 грн
198+ 5.18 грн
544+ 4.9 грн
5000+ 4.71 грн
Мінімальне замовлення: 28
RS1J M2G RS1G.pdf
RS1J M2G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 250ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Mounting: SMD
Capacitance: 10pF
Max. forward impulse current: 30A
Case: SMA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. forward voltage: 1.3V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 250ns
Type of diode: rectifying
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7408 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+8.44 грн
50+ 5.7 грн
241+ 4.26 грн
661+ 4.02 грн
Мінімальне замовлення: 34
RS1M M2G RS1G.pdf
RS1M M2G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 500ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 0.5µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Capacitance: 10pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+9.94 грн
50+ 7.42 грн
182+ 5.66 грн
500+ 5.31 грн
Мінімальне замовлення: 29
RS1ML R2 RS1AL-R2.pdf
RS1ML R2
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 1kV; 0.8A; 500ns; subSMA; Ufmax: 1.3V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 0.8A
Reverse recovery time: 0.5µs
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 10pF
Case: subSMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11900 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+11.45 грн
50+ 8.5 грн
165+ 6.19 грн
453+ 5.84 грн
Мінімальне замовлення: 25
RS3M V6G RS3M-V6G.pdf
RS3M V6G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 3A; 500ns; SMC; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Reverse recovery time: 0.5µs
Semiconductor structure: single diode
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 275 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+20.26 грн
25+ 17.82 грн
78+ 13.15 грн
212+ 12.46 грн
Мінімальне замовлення: 14
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 105 210 315 420 525 586 587 588 589 590 591 592 593 594 595 596 630 735 840 945 1050 1052  [ Наступна Сторінка >> ]