![P6SMB30CAHM4G P6SMB30CAHM4G](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/20/CE/00/00/0/60418_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=a84ae35ce44248791c8aea063c2bc173d05a69f1)
P6SMB30CAHM4G TAIWAN SEMICONDUCTOR
![P6SMB_ser.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 30V; 15A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 25.6V
Breakdown voltage: 30V
Max. forward impulse current: 15A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис P6SMB30CAHM4G TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Bidirectional SMD transil diodes, Description: Diode: TVS; 600W; 30V; 15A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 0.6kW, Max. off-state voltage: 25.6V, Breakdown voltage: 30V, Max. forward impulse current: 15A, Semiconductor structure: bidirectional, Tolerance: ±5%, Case: SMB, Mounting: SMD, Leakage current: 1µA, Kind of package: reel; tape, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції P6SMB30CAHM4G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
P6SMB30CAHM4G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
P6SMB30CAHM4G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
P6SMB30CAHM4G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 30V; 15A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 25.6V Breakdown voltage: 30V Max. forward impulse current: 15A Semiconductor structure: bidirectional Tolerance: ±5% Case: SMB Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape |
товар відсутній |