Технічний опис P6SMB43A M4G Taiwan Semiconductor
Category: Unidirectional SMD transil diodes, Description: Diode: TVS; 600W; 43V; 10.6A; unidirectional; ±5%; SMB; reel,tape, Type of diode: TVS, Mounting: SMD, Tolerance: ±5%, Kind of package: reel; tape, Case: SMB, Semiconductor structure: unidirectional, Leakage current: 1µA, Peak pulse power dissipation: 0.6kW, Max. off-state voltage: 36.8V, Max. forward impulse current: 10.6A, Breakdown voltage: 43V, кількість в упаковці: 5 шт.
Інші пропозиції P6SMB43A M4G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
P6SMB43A M4G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 43V; 10.6A; unidirectional; ±5%; SMB; reel,tape Type of diode: TVS Mounting: SMD Tolerance: ±5% Kind of package: reel; tape Case: SMB Semiconductor structure: unidirectional Leakage current: 1µA Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 36.8V Max. forward impulse current: 10.6A Breakdown voltage: 43V кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|
![]() |
P6SMB43A M4G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
P6SMB43A M4G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
P6SMB43A M4G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 43V; 10.6A; unidirectional; ±5%; SMB; reel,tape Type of diode: TVS Mounting: SMD Tolerance: ±5% Kind of package: reel; tape Case: SMB Semiconductor structure: unidirectional Leakage current: 1µA Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 36.8V Max. forward impulse current: 10.6A Breakdown voltage: 43V |
товар відсутній |