Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (99839) > Сторінка 918 з 1664

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 166 332 498 664 830 913 914 915 916 917 918 919 920 921 922 923 996 1162 1328 1494 1660 1664  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
RB098BGE-30TL RB098BGE-30TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB098BGE-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SUPER LOW IR TYPE SCHOTTKY BARRI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 µA @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
RB098BGE-30TL RB098BGE-30TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB098BGE-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SUPER LOW IR TYPE SCHOTTKY BARRI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 µA @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.85 грн
10+ 102.06 грн
100+ 82.04 грн
500+ 63.25 грн
1000+ 52.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
RB085BGE-60TL RB085BGE-60TL Rohm Semiconductor rb085bge-60tl-e.pdf Description: 60V, 10A, TO-252, CATHODE COMMON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
RB085BGE-60TL RB085BGE-60TL Rohm Semiconductor rb085bge-60tl-e.pdf Description: 60V, 10A, TO-252, CATHODE COMMON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.81 грн
10+ 99.35 грн
100+ 79.88 грн
500+ 61.59 грн
1000+ 51.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
RB098BGE100TL RB098BGE100TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB098BGE100&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 100V, 6A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 100 V
товар відсутній
RB098BGE100TL RB098BGE100TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB098BGE100&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 100V, 6A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 100 V
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.05 грн
10+ 115.02 грн
100+ 92.4 грн
500+ 71.25 грн
1000+ 59.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
RBQ15BGE10ATL RBQ15BGE10ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ15BGE10A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOT 100V 15A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
RBQ15BGE10ATL RBQ15BGE10ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ15BGE10A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOT 100V 15A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+152.06 грн
10+ 121.17 грн
100+ 96.45 грн
500+ 76.58 грн
1000+ 64.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
RB088BGE100TL RB088BGE100TL Rohm Semiconductor rb088bge100tl-e.pdf Description: 100V, 10A, TO-252, CATHODE COMMO
товар відсутній
RB088BGE100TL RB088BGE100TL Rohm Semiconductor rb088bge100tl-e.pdf Description: 100V, 10A, TO-252, CATHODE COMMO
товар відсутній
RB098BGE150TL RB098BGE150TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB098BGE150&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 150V, 6A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 150 V
товар відсутній
RB098BGE150TL RB098BGE150TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB098BGE150&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 150V, 6A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 150 V
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.85 грн
10+ 118.17 грн
100+ 94.95 грн
500+ 73.21 грн
1000+ 60.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
RBQ10BGE10ATL RBQ10BGE10ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ10BGE10A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 100V 10A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 100 V
товар відсутній
RBQ10BGE10ATL RBQ10BGE10ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ10BGE10A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 100V 10A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 100 V
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.05 грн
10+ 98.33 грн
100+ 79.03 грн
500+ 60.94 грн
1000+ 50.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
RB088BGE-60TL RB088BGE-60TL Rohm Semiconductor rb088bge-60tl-e.pdf Description: 60V, 10A, TO-252, CATHODE COMMON
товар відсутній
RB088BGE-60TL RB088BGE-60TL Rohm Semiconductor rb088bge-60tl-e.pdf Description: 60V, 10A, TO-252, CATHODE COMMON
товар відсутній
RBR10BGE40ATL RBR10BGE40ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBR10BGE40A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 40V, 10A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
RBR10BGE40ATL RBR10BGE40ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBR10BGE40A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 40V, 10A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.92 грн
10+ 89.91 грн
100+ 70.09 грн
500+ 54.33 грн
1000+ 42.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
BU91796BMUF-ME2 BU91796BMUF-ME2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BU91796BMUF-M&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: LOW DUTY LCD SEGMENT DRIVER FOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Display Type: LCD
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: 2-Wire Serial
Configuration: 80 Segment
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 6V
Supplier Device Package: VQFN32FBV050
Part Status: Active
Current - Supply: 12.5 µA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+89.75 грн
5000+ 83.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
BU91796BMUF-ME2 BU91796BMUF-ME2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BU91796BMUF-M&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: LOW DUTY LCD SEGMENT DRIVER FOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Display Type: LCD
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: 2-Wire Serial
Configuration: 80 Segment
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 6V
Supplier Device Package: VQFN32FBV050
Part Status: Active
Current - Supply: 12.5 µA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 12151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.16 грн
10+ 169.64 грн
25+ 160.05 грн
100+ 127.96 грн
250+ 120.15 грн
500+ 105.14 грн
1000+ 85.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
ESR25JZPF1000 ESR25JZPF1000 Rohm Semiconductor esr-e.pdf Description: RES 100 OHM 1% 1W 1210
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 1W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1210
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 100 Ohms
на замовлення 5579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.21 грн
17+ 17.57 грн
50+ 12.08 грн
100+ 9.76 грн
500+ 7.16 грн
1000+ 6.34 грн
Мінімальне замовлення: 9
R6020ENXC7G R6020ENXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6020ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 20A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.41 грн
50+ 94.53 грн
100+ 77.78 грн
500+ 65.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6004ENXC7G R6004ENXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6004ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 4A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.31 грн
50+ 132.21 грн
100+ 108.78 грн
500+ 86.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6009ENXC7G R6009ENXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6009ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 9A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.79 грн
50+ 143.54 грн
100+ 123.03 грн
500+ 102.63 грн
1000+ 87.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6015KNXC7G R6015KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6015KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 15A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.96 грн
50+ 68.82 грн
100+ 56.62 грн
500+ 47.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
R6015ENXC7G R6015ENXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6015ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 15A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.99 грн
50+ 140.28 грн
100+ 120.23 грн
500+ 110.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6009KNXC7G R6009KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6009KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 9A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.12 грн
10+ 155.87 грн
100+ 126.1 грн
500+ 105.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6024KNXC7G R6024KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6024KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 24A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+377.11 грн
50+ 287.59 грн
100+ 246.5 грн
500+ 205.63 грн
R6030KNXC7G R6030KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6030KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 30A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+450.86 грн
50+ 343.64 грн
100+ 294.54 грн
500+ 245.71 грн
R6006KNXC7G R6006KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6006KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 6A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 830mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.11 грн
50+ 48.73 грн
100+ 38.61 грн
500+ 30.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
R6006JNXC7G R6006JNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6006JNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.41 грн
50+ 95.13 грн
100+ 78.27 грн
500+ 66.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6007ENXC7G R6007ENXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6007ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 7A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.68 грн
50+ 153.41 грн
100+ 126.23 грн
500+ 100.23 грн
1000+ 85.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6007KNXC7G R6007KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6007KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203 грн
10+ 162.54 грн
100+ 129.38 грн
500+ 102.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6008ANX R6008ANX Rohm Semiconductor R6008ANX Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
товар відсутній
R6008FNX R6008FNX Rohm Semiconductor r6008fnx.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
товар відсутній
R6004KNJTL R6004KNJTL Rohm Semiconductor r6004knjtl-e.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO263
товар відсутній
R6008FNJTL R6008FNJTL Rohm Semiconductor r6008fnj-e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 8A LPTS
товар відсутній
R6007KNX R6007KNX Rohm Semiconductor r6007knx-e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6007KNX R6007KNX Rohm Semiconductor r6007knx-e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
товар відсутній
BD7997FS-E2 Rohm Semiconductor Description: IC POWER MANAGEMENT SMD
товар відсутній
UDZLVFHTE-1751 UDZLVFHTE-1751 Rohm Semiconductor udzlvfhte-1751-e.pdf Description: DIODE ZENER 51V 200MW UMD2
товар відсутній
UDZLVFHTE-1751 UDZLVFHTE-1751 Rohm Semiconductor udzlvfhte-1751-e.pdf Description: DIODE ZENER 51V 200MW UMD2
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SDR03EZPJ430 SDR03EZPJ430 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: RES SMD 43 OHM 5% 0.3W 0603
товар відсутній
SDR03EZPJ430 SDR03EZPJ430 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: RES SMD 43 OHM 5% 0.3W 0603
на замовлення 4167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.6 грн
44+ 6.66 грн
116+ 2.54 грн
1000+ 1.05 грн
2500+ 0.91 грн
Мінімальне замовлення: 40
SDR03EZPJ120 SDR03EZPJ120 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: RES SMD 12 OHM 5% 0.3W 0603
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±5%
Features: Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Active
Resistance: 12 Ohms
товар відсутній
SDR03EZPJ120 SDR03EZPJ120 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: RES SMD 12 OHM 5% 0.3W 0603
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±5%
Features: Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Active
Resistance: 12 Ohms
на замовлення 3393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.12 грн
73+ 4.03 грн
112+ 2.64 грн
131+ 2.1 грн
500+ 1.48 грн
1000+ 1.29 грн
Мінімальне замовлення: 34
BD41044FJ-CE2 BD41044FJ-CE2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BD41044FJ-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SOPJ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 5Mbps
Protocol: CANbus
Supplier Device Package: 8-SOP-J
Receiver Hysteresis: 300 mV
Duplex: Half
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товар відсутній
BD41044FJ-CE2 BD41044FJ-CE2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BD41044FJ-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SOPJ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 5Mbps
Protocol: CANbus
Supplier Device Package: 8-SOP-J
Receiver Hysteresis: 300 mV
Duplex: Half
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.81 грн
10+ 115.97 грн
25+ 109.38 грн
100+ 87.47 грн
250+ 82.13 грн
500+ 71.87 грн
1000+ 58.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
BA033ST BA033ST Rohm Semiconductor Description: IC REG LINEAR 3.3V 1A TO220FP-5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-5 Full Pack
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2.5 mA
Voltage - Input (Max): 25V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-220FP-5
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
Part Status: Not For New Designs
PSRR: 55dB (120Hz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Over Voltage
Current - Supply (Max): 5 mA
товар відсутній
BZX84C27VLYFHT116 BZX84C27VLYFHT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=BZX84C27VLYFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 250MW, 27V, SOT-23, AUTOMOTIVE Z
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±7.04%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 19 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BZX84C27VLYFHT116 BZX84C27VLYFHT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=BZX84C27VLYFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 250MW, 27V, SOT-23, AUTOMOTIVE Z
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±7.04%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 19 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.61 грн
17+ 18.08 грн
100+ 9.13 грн
500+ 7.6 грн
1000+ 5.91 грн
Мінімальне замовлення: 12
BZX84C27VLYT116 BZX84C27VLYT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=BZX84C27VLY&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 250MW, 27V, SOT-23, ZENER DIODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±7.04%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 19 V
товар відсутній
BZX84C27VLYT116 BZX84C27VLYT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=BZX84C27VLY&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 250MW, 27V, SOT-23, ZENER DIODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±7.04%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 19 V
на замовлення 2879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.93 грн
13+ 22.92 грн
100+ 12.98 грн
500+ 8.07 грн
1000+ 6.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
RQ6A045APTCR RQ6A045APTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6A045AP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 6 V
на замовлення 2818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.62 грн
10+ 37.63 грн
100+ 26.17 грн
500+ 19.18 грн
1000+ 15.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
RQ7E110AJTCR RQ7E110AJTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ7E110AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 11A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 4.5A, 11V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.39 грн
10+ 51.62 грн
100+ 40.14 грн
500+ 31.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
BM531Q11-Z BM531Q11-Z Rohm Semiconductor datasheet?p=BM531Q11&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC LED DRIVER RGLTR PWM 7DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm), 7 Leads
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Frequency: 400kHz
Type: DC DC Regulator
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Applications: Backlight
Internal Switch(s): Yes
Topology: Step-Down (Buck)
Supplier Device Package: 7-DIP
Dimming: Analog, PWM
Voltage - Supply (Min): 9V
Voltage - Supply (Max): 35V
Part Status: Active
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.24 грн
10+ 73.21 грн
100+ 58.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
QST2TR QST2TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QST2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PNP 12V 6A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
QST2TR QST2TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QST2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PNP 12V 6A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.9 грн
10+ 39.83 грн
100+ 27.55 грн
500+ 21.6 грн
1000+ 18.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
BD9S300MUF-CE2 BD9S300MUF-CE2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BD9S300MUF-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC REG BUCK ADJ 3A 16VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 3A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 2.2MHz
Voltage - Input (Max): 5.5V
Topology: Buck
Supplier Device Package: VQFN016V3030
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 4.4V
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товар відсутній
BD9S300MUF-CE2 BD9S300MUF-CE2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BD9S300MUF-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC REG BUCK ADJ 3A 16VQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 3A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 2.2MHz
Voltage - Input (Max): 5.5V
Topology: Buck
Supplier Device Package: VQFN016V3030
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 4.4V
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.76 грн
10+ 176.08 грн
25+ 166.17 грн
100+ 132.86 грн
250+ 124.75 грн
500+ 109.16 грн
1000+ 88.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
RB098BGE-30TL datasheet?p=RB098BGE-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB098BGE-30TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SUPER LOW IR TYPE SCHOTTKY BARRI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 µA @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+58.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
RB098BGE-30TL datasheet?p=RB098BGE-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB098BGE-30TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SUPER LOW IR TYPE SCHOTTKY BARRI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 µA @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.85 грн
10+ 102.06 грн
100+ 82.04 грн
500+ 63.25 грн
1000+ 52.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
RB085BGE-60TL rb085bge-60tl-e.pdf
RB085BGE-60TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 60V, 10A, TO-252, CATHODE COMMON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+56.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
RB085BGE-60TL rb085bge-60tl-e.pdf
RB085BGE-60TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 60V, 10A, TO-252, CATHODE COMMON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.81 грн
10+ 99.35 грн
100+ 79.88 грн
500+ 61.59 грн
1000+ 51.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
RB098BGE100TL datasheet?p=RB098BGE100&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB098BGE100TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 100V, 6A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 100 V
товар відсутній
RB098BGE100TL datasheet?p=RB098BGE100&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB098BGE100TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 100V, 6A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 100 V
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+133.05 грн
10+ 115.02 грн
100+ 92.4 грн
500+ 71.25 грн
1000+ 59.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
RBQ15BGE10ATL datasheet?p=RBQ15BGE10A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ15BGE10ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOT 100V 15A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
RBQ15BGE10ATL datasheet?p=RBQ15BGE10A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ15BGE10ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOT 100V 15A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+152.06 грн
10+ 121.17 грн
100+ 96.45 грн
500+ 76.58 грн
1000+ 64.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
RB088BGE100TL rb088bge100tl-e.pdf
RB088BGE100TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 100V, 10A, TO-252, CATHODE COMMO
товар відсутній
RB088BGE100TL rb088bge100tl-e.pdf
RB088BGE100TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 100V, 10A, TO-252, CATHODE COMMO
товар відсутній
RB098BGE150TL datasheet?p=RB098BGE150&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB098BGE150TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 150V, 6A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 150 V
товар відсутній
RB098BGE150TL datasheet?p=RB098BGE150&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB098BGE150TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 150V, 6A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 150 V
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+136.85 грн
10+ 118.17 грн
100+ 94.95 грн
500+ 73.21 грн
1000+ 60.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
RBQ10BGE10ATL datasheet?p=RBQ10BGE10A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ10BGE10ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 100V 10A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 100 V
товар відсутній
RBQ10BGE10ATL datasheet?p=RBQ10BGE10A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ10BGE10ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 100V 10A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 100 V
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.05 грн
10+ 98.33 грн
100+ 79.03 грн
500+ 60.94 грн
1000+ 50.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
RB088BGE-60TL rb088bge-60tl-e.pdf
RB088BGE-60TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 60V, 10A, TO-252, CATHODE COMMON
товар відсутній
RB088BGE-60TL rb088bge-60tl-e.pdf
RB088BGE-60TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 60V, 10A, TO-252, CATHODE COMMON
товар відсутній
RBR10BGE40ATL datasheet?p=RBR10BGE40A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBR10BGE40ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 40V, 10A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+46.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
RBR10BGE40ATL datasheet?p=RBR10BGE40A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBR10BGE40ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 40V, 10A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+104.92 грн
10+ 89.91 грн
100+ 70.09 грн
500+ 54.33 грн
1000+ 42.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
BU91796BMUF-ME2 datasheet?p=BU91796BMUF-M&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BU91796BMUF-ME2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: LOW DUTY LCD SEGMENT DRIVER FOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Display Type: LCD
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: 2-Wire Serial
Configuration: 80 Segment
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 6V
Supplier Device Package: VQFN32FBV050
Part Status: Active
Current - Supply: 12.5 µA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+89.75 грн
5000+ 83.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
BU91796BMUF-ME2 datasheet?p=BU91796BMUF-M&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BU91796BMUF-ME2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: LOW DUTY LCD SEGMENT DRIVER FOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Display Type: LCD
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: 2-Wire Serial
Configuration: 80 Segment
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 6V
Supplier Device Package: VQFN32FBV050
Part Status: Active
Current - Supply: 12.5 µA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 12151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+196.16 грн
10+ 169.64 грн
25+ 160.05 грн
100+ 127.96 грн
250+ 120.15 грн
500+ 105.14 грн
1000+ 85.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
ESR25JZPF1000 esr-e.pdf
ESR25JZPF1000
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 100 OHM 1% 1W 1210
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 1W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1210
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 100 Ohms
на замовлення 5579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.21 грн
17+ 17.57 грн
50+ 12.08 грн
100+ 9.76 грн
500+ 7.16 грн
1000+ 6.34 грн
Мінімальне замовлення: 9
R6020ENXC7G datasheet?p=R6020ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6020ENXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 20A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+122.41 грн
50+ 94.53 грн
100+ 77.78 грн
500+ 65.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6004ENXC7G datasheet?p=R6004ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6004ENXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 4A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+170.31 грн
50+ 132.21 грн
100+ 108.78 грн
500+ 86.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6009ENXC7G datasheet?p=R6009ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6009ENXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 9A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+187.79 грн
50+ 143.54 грн
100+ 123.03 грн
500+ 102.63 грн
1000+ 87.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6015KNXC7G datasheet?p=R6015KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6015KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 15A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+88.96 грн
50+ 68.82 грн
100+ 56.62 грн
500+ 47.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
R6015ENXC7G datasheet?p=R6015ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6015ENXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 15A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+183.99 грн
50+ 140.28 грн
100+ 120.23 грн
500+ 110.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6009KNXC7G datasheet?p=R6009KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6009KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 9A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+193.12 грн
10+ 155.87 грн
100+ 126.1 грн
500+ 105.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6024KNXC7G datasheet?p=R6024KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6024KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 24A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+377.11 грн
50+ 287.59 грн
100+ 246.5 грн
500+ 205.63 грн
R6030KNXC7G datasheet?p=R6030KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6030KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 30A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+450.86 грн
50+ 343.64 грн
100+ 294.54 грн
500+ 245.71 грн
R6006KNXC7G datasheet?p=R6006KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6006KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 6A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 830mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.11 грн
50+ 48.73 грн
100+ 38.61 грн
500+ 30.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
R6006JNXC7G datasheet?p=R6006JNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6006JNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+122.41 грн
50+ 95.13 грн
100+ 78.27 грн
500+ 66.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6007ENXC7G datasheet?p=R6007ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6007ENXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 7A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+197.68 грн
50+ 153.41 грн
100+ 126.23 грн
500+ 100.23 грн
1000+ 85.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6007KNXC7G datasheet?p=R6007KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6007KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+203 грн
10+ 162.54 грн
100+ 129.38 грн
500+ 102.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6008ANX R6008ANX
R6008ANX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
товар відсутній
R6008FNX r6008fnx.pdf
R6008FNX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
товар відсутній
R6004KNJTL r6004knjtl-e.pdf
R6004KNJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO263
товар відсутній
R6008FNJTL r6008fnj-e.pdf
R6008FNJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 8A LPTS
товар відсутній
R6007KNX r6007knx-e.pdf
R6007KNX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6007KNX r6007knx-e.pdf
R6007KNX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
товар відсутній
BD7997FS-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC POWER MANAGEMENT SMD
товар відсутній
UDZLVFHTE-1751 udzlvfhte-1751-e.pdf
UDZLVFHTE-1751
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 51V 200MW UMD2
товар відсутній
UDZLVFHTE-1751 udzlvfhte-1751-e.pdf
UDZLVFHTE-1751
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 51V 200MW UMD2
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SDR03EZPJ430 sdr-e.pdf
SDR03EZPJ430
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 43 OHM 5% 0.3W 0603
товар відсутній
SDR03EZPJ430 sdr-e.pdf
SDR03EZPJ430
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 43 OHM 5% 0.3W 0603
на замовлення 4167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+7.6 грн
44+ 6.66 грн
116+ 2.54 грн
1000+ 1.05 грн
2500+ 0.91 грн
Мінімальне замовлення: 40
SDR03EZPJ120 sdr-e.pdf
SDR03EZPJ120
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 12 OHM 5% 0.3W 0603
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±5%
Features: Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Active
Resistance: 12 Ohms
товар відсутній
SDR03EZPJ120 sdr-e.pdf
SDR03EZPJ120
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 12 OHM 5% 0.3W 0603
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±5%
Features: Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Active
Resistance: 12 Ohms
на замовлення 3393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+9.12 грн
73+ 4.03 грн
112+ 2.64 грн
131+ 2.1 грн
500+ 1.48 грн
1000+ 1.29 грн
Мінімальне замовлення: 34
BD41044FJ-CE2 datasheet?p=BD41044FJ-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD41044FJ-CE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SOPJ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 5Mbps
Protocol: CANbus
Supplier Device Package: 8-SOP-J
Receiver Hysteresis: 300 mV
Duplex: Half
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товар відсутній
BD41044FJ-CE2 datasheet?p=BD41044FJ-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD41044FJ-CE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SOPJ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 5Mbps
Protocol: CANbus
Supplier Device Package: 8-SOP-J
Receiver Hysteresis: 300 mV
Duplex: Half
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+133.81 грн
10+ 115.97 грн
25+ 109.38 грн
100+ 87.47 грн
250+ 82.13 грн
500+ 71.87 грн
1000+ 58.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
BA033ST
BA033ST
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LINEAR 3.3V 1A TO220FP-5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-5 Full Pack
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2.5 mA
Voltage - Input (Max): 25V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-220FP-5
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
Part Status: Not For New Designs
PSRR: 55dB (120Hz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Over Voltage
Current - Supply (Max): 5 mA
товар відсутній
BZX84C27VLYFHT116 datasheet?p=BZX84C27VLYFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BZX84C27VLYFHT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 250MW, 27V, SOT-23, AUTOMOTIVE Z
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±7.04%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 19 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BZX84C27VLYFHT116 datasheet?p=BZX84C27VLYFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BZX84C27VLYFHT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 250MW, 27V, SOT-23, AUTOMOTIVE Z
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±7.04%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 19 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.61 грн
17+ 18.08 грн
100+ 9.13 грн
500+ 7.6 грн
1000+ 5.91 грн
Мінімальне замовлення: 12
BZX84C27VLYT116 datasheet?p=BZX84C27VLY&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BZX84C27VLYT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 250MW, 27V, SOT-23, ZENER DIODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±7.04%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 19 V
товар відсутній
BZX84C27VLYT116 datasheet?p=BZX84C27VLY&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BZX84C27VLYT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 250MW, 27V, SOT-23, ZENER DIODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±7.04%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 19 V
на замовлення 2879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.93 грн
13+ 22.92 грн
100+ 12.98 грн
500+ 8.07 грн
1000+ 6.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
RQ6A045APTCR datasheet?p=RQ6A045AP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6A045APTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 6 V
на замовлення 2818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+45.62 грн
10+ 37.63 грн
100+ 26.17 грн
500+ 19.18 грн
1000+ 15.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
RQ7E110AJTCR datasheet?p=RQ7E110AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ7E110AJTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 11A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 4.5A, 11V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.39 грн
10+ 51.62 грн
100+ 40.14 грн
500+ 31.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
BM531Q11-Z datasheet?p=BM531Q11&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BM531Q11-Z
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC LED DRIVER RGLTR PWM 7DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm), 7 Leads
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Frequency: 400kHz
Type: DC DC Regulator
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Applications: Backlight
Internal Switch(s): Yes
Topology: Step-Down (Buck)
Supplier Device Package: 7-DIP
Dimming: Analog, PWM
Voltage - Supply (Min): 9V
Voltage - Supply (Max): 35V
Part Status: Active
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+91.24 грн
10+ 73.21 грн
100+ 58.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
QST2TR datasheet?p=QST2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QST2TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 12V 6A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+15.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
QST2TR datasheet?p=QST2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QST2TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 12V 6A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.9 грн
10+ 39.83 грн
100+ 27.55 грн
500+ 21.6 грн
1000+ 18.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
BD9S300MUF-CE2 datasheet?p=BD9S300MUF-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD9S300MUF-CE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG BUCK ADJ 3A 16VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 3A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 2.2MHz
Voltage - Input (Max): 5.5V
Topology: Buck
Supplier Device Package: VQFN016V3030
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 4.4V
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товар відсутній
BD9S300MUF-CE2 datasheet?p=BD9S300MUF-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD9S300MUF-CE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG BUCK ADJ 3A 16VQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 3A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 2.2MHz
Voltage - Input (Max): 5.5V
Topology: Buck
Supplier Device Package: VQFN016V3030
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 4.4V
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+203.76 грн
10+ 176.08 грн
25+ 166.17 грн
100+ 132.86 грн
250+ 124.75 грн
500+ 109.16 грн
1000+ 88.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 166 332 498 664 830 913 914 915 916 917 918 919 920 921 922 923 996 1162 1328 1494 1660 1664  [ Наступна Сторінка >> ]