Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RQ7E110AJTCR
RQ7E110AJTCR

RQ7E110AJTCR Rohm Semiconductor

datasheet?p=RQ7E110AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 11A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 4.5A, 11V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V
на замовлення 1124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.38 грн
10+ 51.95 грн
100+ 40.44 грн
500+ 32.17 грн
1000+ 26.2 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ7E110AJTCR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 11A TSMT8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Lead, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 4.5A, 11V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 10mA, Supplier Device Package: TSMT8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V.

Інші пропозиції RQ7E110AJTCR за ціною від 24.12 грн до 71.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RQ7E110AJTCR RQ7E110AJTCR Виробник : ROHM Semiconductor rq7e110ajtcr_e-1873198.pdf MOSFETs Nch 30V 11A Si MOSFET
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+71.93 грн
10+ 57.76 грн
100+ 39.08 грн
500+ 33.22 грн
1000+ 27.02 грн
3000+ 25.39 грн
6000+ 24.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
RQ7E110AJTCR RQ7E110AJTCR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ7E110AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 11A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 4.5A, 11V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V
товар відсутній