R6006KNXC7G Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 6A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 830mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Description: 600V 6A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 830mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 64.58 грн |
50+ | 49.87 грн |
100+ | 39.52 грн |
500+ | 31.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6006KNXC7G Rohm Semiconductor
Description: 600V 6A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 830mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220FM, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V.
Інші пропозиції R6006KNXC7G за ціною від 74.9 грн до 89.8 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
R6006KNXC7G | Виробник : Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
R6006KNXC7G | Виробник : ROHM Semiconductor | MOSFETs TO220 600V 6A N-CH MOSFET |
на замовлення 1988 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
R6006KNXC7G | Виробник : Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |