![RBR10BGE40ATL RBR10BGE40ATL](https://media.digikey.com/Photos/Rohm%20Photos/DIODESTD488.jpg)
RBR10BGE40ATL Rohm Semiconductor
![datasheet?p=RBR10BGE40A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key](/images/adobe-acrobat.png)
Description: 40V, 10A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 46.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RBR10BGE40ATL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RBR10BGE40ATL - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Durchlassstoßstrom: 50A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 620mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RBR10BGE40ATL за ціною від 37.37 грн до 119.85 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RBR10BGE40ATL | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 620mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
RBR10BGE40ATL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: TO-252GE Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 40 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
RBR10BGE40ATL | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3817 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
RBR10BGE40ATL | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 620mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|