R6020ENXC7G Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 20A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Description: 600V 20A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 122.17 грн |
50+ | 94.46 грн |
100+ | 77.72 грн |
500+ | 65.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6020ENXC7G Rohm Semiconductor
Description: 600V 20A TO-220FM, LOW-NOISE POW, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220FM, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V.
Інші пропозиції R6020ENXC7G за ціною від 117.65 грн до 193.86 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
R6020ENXC7G | Виробник : Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube |
на замовлення 927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
R6020ENXC7G | Виробник : Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
R6020ENXC7G | Виробник : ROHM Semiconductor | MOSFETs TO220 600V 20A N-CH MOSFET |
на замовлення 5976 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
R6020ENXC7G | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 68W; TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO220FP Power dissipation: 68W Pulsed drain current: 60A Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A On-state resistance: 0.36Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 60nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
R6020ENXC7G | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 68W; TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO220FP Power dissipation: 68W Pulsed drain current: 60A Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A On-state resistance: 0.36Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 60nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
товар відсутній |