![NSVJ6904DSB6T1G NSVJ6904DSB6T1G](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE6SOT363-40.jpg)
NSVJ6904DSB6T1G ONSEMI
![2711422.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: ONSEMI - NSVJ6904DSB6T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 6 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
Durchbruchspannung Vbr: -25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: CPH
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 52.54 грн |
500+ | 46.32 грн |
3000+ | 40.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSVJ6904DSB6T1G ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVJ6904DSB6T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 6 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA, Durchbruchspannung Vbr: -25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: CPH, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: JFET, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NSVJ6904DSB6T1G за ціною від 21.12 грн до 70.67 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NSVJ6904DSB6T1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 4412 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NSVJ6904DSB6T1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: 2 N-Channel (Dual) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 5V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V Current Drain (Id) - Max: 50 mA Supplier Device Package: 6-CPH Grade: Automotive Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Power - Max: 700 mW Resistance - RDS(On): 25 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 600 mV @ 100 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NSVJ6904DSB6T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: CPH Anzahl der Pins: 6 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NSVJ6904DSB6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
NSVJ6904DSB6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
NSVJ6904DSB6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
NSVJ6904DSB6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
NSVJ6904DSB6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
NSVJ6904DSB6T1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: 2 N-Channel (Dual) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 5V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V Current Drain (Id) - Max: 50 mA Supplier Device Package: 6-CPH Grade: Automotive Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Power - Max: 700 mW Resistance - RDS(On): 25 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 600 mV @ 100 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |