![NTGD1100LT1G NTGD1100LT1G](https://media.digikey.com/Renders/On%20Semi%20Renders/488;318G-02;SN,DT;6.jpg)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 43.72 грн |
10+ | 37.24 грн |
25+ | 34.96 грн |
100+ | 26.78 грн |
250+ | 24.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTGD1100LT1G onsemi
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 8V; 2.4A; Idm: 10A; 430mW; TSOP6, Type of transistor: N/P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 8V, Drain current: 2.4A, Pulsed drain current: 10A, Power dissipation: 0.43W, Case: TSOP6, Gate-source voltage: ±8V, On-state resistance: 40mΩ, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції NTGD1100LT1G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
NTGD1100LT1G | Виробник : ON |
![]() |
на замовлення 399 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
NTGD1100LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
NTGD1100LT1G Код товару: 187236 |
![]() Корпус: TSOP-6 Примітка: MOSFET 8V +/-3.3A P-Channel w/Level Shift |
товар відсутній
|
|||
![]() |
NTGD1100LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|
NTGD1100LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 8V; 2.4A; Idm: 10A; 430mW; TSOP6 Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 8V Drain current: 2.4A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 0.43W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
![]() |
NTGD1100LT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
NTGD1100LT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
товар відсутній |
|
NTGD1100LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 8V; 2.4A; Idm: 10A; 430mW; TSOP6 Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 8V Drain current: 2.4A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 0.43W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |