Продукція > SUD

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD06N10-225L

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD06N10-225L-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD06N10-225L-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD06N10-225L-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD06N10-225L-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 16.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD06N10-225L-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD06N10-225L-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 16.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD06N10-22L

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD06N10-255L

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD08P06-155L

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD08P06-155L

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD08P06-155L-BE3

MOSFETs P-CHANNEL 60V (D-S)

на замовлення 107881 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.96 грн
10+	59.49 грн
100+	40.27 грн
500+	34.09 грн
1000+	27.76 грн
2000+	25.65 грн
4000+	24.67 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUD08P06-155L-BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 8.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD08P06-155L-BE3

SUD08P06-155L-BE3

товар відсутній

SUD08P06-155L-BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 8.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

на замовлення 2144 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.95 грн
10+	54.84 грн
100+	42.63 грн
500+	33.91 грн
1000+	27.62 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUD08P06-155L-BE3

Trans MOSFET P-CH 60V 8.4A 4-Pin(3+Tab) TO-252

товар відсутній

SUD08P06-155L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD08P06-155L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD08P06-155L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD08P06-155L-E3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD08P06-155L-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	24.68 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD08P06-155L-GE3

Description: VISHAY - SUD08P06-155L-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.2 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 2992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	51.25 грн
500+	30.97 грн
2000+	27.17 грн

Мінімальне замовлення: 100

SUD08P06-155L-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD08P06-155L-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET

товар відсутній

SUD08P06-155L-GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

на замовлення 19648 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.95 грн
10+	54.84 грн
100+	42.63 грн
500+	33.91 грн
1000+	27.62 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUD08P06-155L-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SUD08P06-155L-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD08P06-155L-GE3

на замовлення 2992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	83.58 грн
12+	70.8 грн
100+	51.25 грн
500+	30.97 грн
2000+	27.17 грн

Мінімальне замовлення: 10

SUD08P06-155L-GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	28.77 грн
6000+	26.39 грн
10000+	25.17 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD08P06-155L-GE3

MOSFET -30V 0.155ohm@-10V -8.4A P-CH

на замовлення 14993 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.96 грн
10+	59.49 грн
100+	40.27 грн
500+	34.09 грн
1000+	27.76 грн
2000+	25.65 грн
4000+	24.67 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUD08P06-155L-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD08P06-155L-T4E3

Description: MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD08P06-1S5L-E3

на замовлення 248 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD09P10-195-BE3

Description: MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V

на замовлення 1974 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.15 грн
10+	56.67 грн
100+	44.21 грн
500+	34.27 грн
1000+	27.05 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUD09P10-195-BE3

MOSFETs TO252 100V 8.8A P-CH MOSFET

на замовлення 134141 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	63.3 грн
10+	51.25 грн
100+	34.65 грн
500+	29.45 грн
1000+	23.97 грн
2000+	22.14 грн
4000+	21.3 грн

Мінімальне замовлення: 6

SUD09P10-195-BE3

Description: MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V

товар відсутній

SUD09P10-195-BE3

SUD09P10-195-BE3 SMD P channel transistors

товар відсутній

SUD09P10-195-BE3

Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 4-Pin(3+Tab) TO-252

товар відсутній

SUD09P10-195-BE3

Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 4-Pin(3+Tab) TO-252

товар відсутній

SUD09P10-195-GE3

SUD09P10-195-GE3 SMD P channel transistors

на замовлення 1994 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	70.96 грн
28+	37.43 грн
76+	35.41 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUD09P10-195-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

SUD09P10-195-GE3

Description: MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V

на замовлення 18152 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	57.78 грн
10+	45.91 грн
100+	35.71 грн
500+	28.41 грн
1000+	23.14 грн

Мінімальне замовлення: 6

SUD09P10-195-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	26.57 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD09P10-195-GE3

Description: VISHAY - SUD09P10-195-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 8.8 A, 0.162 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: 0
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 6505 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	69.54 грн
15+	54.72 грн
100+	38.95 грн
500+	30.68 грн
1000+	26.15 грн
5000+	23.99 грн

Мінімальне замовлення: 12

SUD09P10-195-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

SUD09P10-195-GE3

Description: MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V

на замовлення 17650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	24.11 грн
6000+	22.11 грн
10000+	21.09 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD09P10-195-GE3

Description: VISHAY - SUD09P10-195-GE3 - MOSFET, P-CH, -100V, -8.8A, 150DEG C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead

на замовлення 1971 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	71.83 грн
13+	60.79 грн
25+	57.24 грн
50+	49.64 грн
100+	42.78 грн

Мінімальне замовлення: 11

SUD09P10-195-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 620 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

159+	76.02 грн
187+	64.75 грн
218+	55.43 грн
230+	50.69 грн
500+	43.91 грн

Мінімальне замовлення: 159

SUD09P10-195-GE3

MOSFET -100V 195mOhms@ 10V -8.8A

на замовлення 15319 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	66.26 грн
10+	57.06 грн
100+	39.92 грн
500+	32.96 грн
1000+	28.54 грн
4000+	27.06 грн
10000+	26.5 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUD10P06

на замовлення 3212 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD10P06-280L

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD10P06-280L

MOSFET 60V 10A 37W

товар відсутній

SUD10P06-280L

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD10P06-280L

Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD10P06-280L

09+ SSOP20

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD10P06-280L-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD08P06-155LGE3

товар відсутній

SUD10P06-280L-E3

на замовлення 682 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD10P06-280L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD10P06-280L-T4

MOSFET 60V P-CH 280MOHM 8M LOWVT

товар відсутній

SUD10P06-280L-T4E3

товар відсутній

SUD10P06-28DL

на замовлення 3666 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD10P06-28L

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD12NE06

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD15N015-95

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD15N06

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD15N06

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD15N06-90L

Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD15N06-90L

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD15N06-90L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD15N06-90L-E3

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD15N15-95

09+ TSSOP

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD15N15-95

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD15N15-95

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD15N15-95-BE3

Description: MOSFET N-CH 150V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V

на замовлення 6310 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	150.54 грн
10+	120.44 грн
100+	95.88 грн
500+	76.14 грн
1000+	64.6 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUD15N15-95-BE3

Description: MOSFET N-CH 150V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	67.91 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD15N15-95-BE3

MOSFET 150V N-CH (D-S) 175 DEG.C

на замовлення 3587 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	161.54 грн
10+	132.56 грн
100+	91.37 грн
500+	90.67 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUD15N15-95-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	67.91 грн
6000+	62.94 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD15N15-95-E3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 15A; Idm: 25A; 62W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1987 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	175.04 грн
10+	142.33 грн
12+	91.37 грн
31+	86.98 грн
2000+	83.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD15N15-95-E3

Trans MOSFET N-CH 150V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

SUD15N15-95-E3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SUD15N15-95

на замовлення 20359 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	150.06 грн
10+	126.09 грн
100+	90.67 грн
250+	87.86 грн
500+	78.02 грн
1000+	66.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUD15N15-95-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 15A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V

на замовлення 6643 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	150.54 грн
10+	120.44 грн
100+	95.88 грн
500+	76.14 грн
1000+	64.6 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUD15N15-95-E3

на замовлення 1987 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	145.87 грн
10+	114.21 грн
12+	76.14 грн
31+	72.48 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUD15N15-95-E3

Description: VISHAY - SUD15N15-95-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 15 A, 0.077 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 6102 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	145.87 грн
10+	111.17 грн
100+	89.1 грн
500+	73.14 грн
1000+	57.65 грн

Мінімальне замовлення: 6

SUD15N15-T1-E3

на замовлення 1182 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD15P01-52

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD15P01-52

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD15P01-52-E3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD15P02-52

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD17N25-165

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD17N25-165

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD17N25-165-E3

Description: MOSFET N-CH 250V 17A TO252

товар відсутній

SUD17N25-165-E3

Description: MOSFET N-CH 250V 17A TO252

товар відсутній

SUD17N25-165-E3

Trans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD17N25-165-E3

на замовлення 29000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD19N20

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD19N20-90

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD19N20-90

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD19N20-90-BE3

Description: MOSFET N-CH 200V 19A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD19N20-90-BE3

MOSFETs N-CHANNEL 200V (D-S

на замовлення 4630 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	223.86 грн
10+	183.48 грн
100+	126.51 грн
250+	116.67 грн
500+	106.83 грн
1000+	90.67 грн
2000+	86.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD19N20-90-BE3

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD19N20-90-BE3

Description: MOSFET N-CH 200V 19A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD19N20-90-BE3

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD19N20-90-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD19N20-90-E3

Description: VISHAY - SUD19N20-90-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.09 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 5298 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	138.77 грн
500+	117.14 грн
1000+	91.91 грн

Мінімальне замовлення: 100

SUD19N20-90-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

84+	143.68 грн
88+	138.3 грн
89+	136.93 грн
100+	118.09 грн
250+	106.05 грн
500+	92.51 грн
1000+	82.31 грн

Мінімальне замовлення: 84

SUD19N20-90-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

на замовлення 788 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	209.08 грн
10+	167.29 грн
100+	133.12 грн
500+	105.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD19N20-90-E3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 136W; DPAK,TO252
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SUD19N20-90-E3

товар відсутній

SUD19N20-90-E3

на замовлення 5298 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	248.37 грн
10+	189.23 грн
100+	138.77 грн
500+	117.14 грн
1000+	91.91 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUD19N20-90-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD19N20-90-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD19N20-90-E3

MOSFETs 200V N-CH (D-S) 175 DEG.C

на замовлення 2030 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	185.32 грн
10+	156.81 грн
100+	113.16 грн
250+	108.94 грн
500+	97.7 грн
1000+	85.05 грн
2000+	84.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD19N20-90-E3
Код товару: 154670

товар відсутній

SUD19N20-90-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	109.76 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD19N20-90-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	133.42 грн
10+	128.42 грн
25+	127.15 грн
100+	109.66 грн
250+	98.47 грн
500+	85.9 грн
1000+	76.43 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUD19N20-90-T4-E3

MOSFETs N-CH 200V 19A

товар відсутній

SUD19N20-90-T4-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

SUD19N20-90-T4-E3

товар відсутній

SUD19N20-90-T4-E3

на замовлення 2300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD19P06

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD19P06-60-BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 18.3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD19P06-60-BE3

MOSFET P-CHANNEL 60V (D-S)

на замовлення 241 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	85.28 грн
10+	69.59 грн
100+	47.16 грн
500+	39.92 грн
1000+	32.47 грн
2000+	30.57 грн
4000+	29.17 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUD19P06-60-BE3

Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD19P06-60-BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 18.3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V

на замовлення 3741 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	80.59 грн
10+	63.55 грн
100+	49.43 грн
500+	39.32 грн
1000+	32.03 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUD19P06-60-E3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.3A; Idm: -30A; 38.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.3A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 38.5W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SUD19P06-60-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD19P06-60-E3

товар відсутній

SUD19P06-60-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V

на замовлення 3967 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	80.59 грн
10+	63.55 грн
100+	49.43 грн
500+	39.32 грн
1000+	32.03 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUD19P06-60-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD19P06-60-E3
Код товару: 75848

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товар відсутній

SUD19P06-60-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	45.58 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD19P06-60-E3

MOSFETs 60V 19A 38.5W

на замовлення 31889 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	86.1 грн
10+	69.67 грн
100+	47.16 грн
500+	39.99 грн
1000+	32.54 грн
2000+	29.87 грн
4000+	28.89 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUD19P06-60-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD19P06-60-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	33.37 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD19P06-60-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	23.45 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD19P06-60-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD19P06-60-GE3

MOSFETs 60V 19A 38.5W 60mohm @ 10V

на замовлення 23621 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	61.01 грн
10+	48.98 грн
100+	33.17 грн
500+	28.89 грн

Мінімальне замовлення: 6

SUD19P06-60-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	34.08 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD19P06-60-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	34.58 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD19P06-60-GE3

Description: VISHAY - SUD19P06-60-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.3 A, 0.048 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 7672 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	47.39 грн
500+	38.88 грн
1000+	31.09 грн

Мінімальне замовлення: 100

SUD19P06-60-GE3

на замовлення 62877 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.26 грн
10+	43.93 грн
100+	34.14 грн
500+	27.16 грн
1000+	26.87 грн

Мінімальне замовлення: 6

SUD19P06-60-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	31.65 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD19P06-60-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.19A; 2.3W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.19A
Power dissipation: 2.3W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhanced

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	70.96 грн
10+	55.64 грн
25+	50.08 грн
29+	30.24 грн
79+	28.63 грн
100+	28.55 грн

Мінімальне замовлення: 6

SUD19P06-60-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 3522 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

192+	63.08 грн
210+	57.46 грн
256+	47.11 грн
274+	42.43 грн
500+	39.2 грн
1000+	33.41 грн
2000+	31.17 грн

Мінімальне замовлення: 192

SUD19P06-60-GE3

Description: VISHAY - SUD19P06-60-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.3 A, 0.048 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 7672 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	62.6 грн
50+	55.03 грн
100+	47.39 грн
500+	38.88 грн
1000+	31.09 грн

Мінімальне замовлення: 13

SUD19P06-60-GE3

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	85.15 грн
10+	69.34 грн
25+	60.09 грн
29+	36.28 грн
79+	34.35 грн
100+	34.26 грн
2000+	33.39 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUD19P06-60-GE3

на замовлення 62000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	29.73 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD19P06-60-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	27.39 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD19P06-60-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	32.2 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD19P06-60-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SUD19P06-60-T4-E3

SUD19P06-60-T4-E3

товар відсутній

SUD19P06-60L

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD19P06-60L

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD19P06-60L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	92.14 грн
10+	74.99 грн
25+	74.25 грн
100+	55.25 грн
250+	50.64 грн
500+	40.86 грн
1000+	31.17 грн

Мінімальне замовлення: 7

SUD19P06-60L-E3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -19A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -19A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 46W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.129Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт

товар відсутній

SUD19P06-60L-E3

товар відсутній

SUD19P06-60L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	80.76 грн
151+	79.97 грн
196+	61.7 грн
250+	58.9 грн
500+	45.83 грн
1000+	33.57 грн

Мінімальне замовлення: 150

SUD19P06-60L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD19P06-60L-E3

на замовлення 1630 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD19P06-60L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 19A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V

на замовлення 21289 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.72 грн
10+	70.72 грн
100+	55.03 грн
500+	43.77 грн
1000+	35.66 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUD19P06-60L-E3

MOSFETs 60V 19A 46W 60mohm @ 10V

на замовлення 68310 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	95.94 грн
10+	77.43 грн
100+	51.66 грн
500+	43.65 грн
1000+	35.28 грн
2000+	33.32 грн
4000+	32.26 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUD19P06-60L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SUD19P06-60L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 19A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	37.14 грн
6000+	34.06 грн
10000+	32.49 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD19P0660

на замовлення 9300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD19P0660L

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD20N10-66L-BE3

Description: MOSFET N-CH 100V 16.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 50 V

товар відсутній

SUD20N10-66L-BE3

MOSFETs TO252 100V 35A N-CH MOSFET

на замовлення 19820 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.57 грн
10+	53.51 грн
100+	32.26 грн
500+	26.92 грн
1000+	22.91 грн
2000+	22.28 грн
4000+	19.68 грн

Мінімальне замовлення: 6

SUD20N10-66L-BE3

Description: MOSFET N-CH 100V 16.9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 50 V

на замовлення 1900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.54 грн
10+	48.83 грн
100+	33.8 грн
500+	26.51 грн
1000+	22.56 грн

Мінімальне замовлення: 6

SUD20N10-66L-BE3

SUD20N10-66L-BE3

товар відсутній

SUD20N10-66L-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 16.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD20N10-66L-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 16.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD20N10-66L-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 16.9A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 50 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	22.23 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD20N10-66L-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 16.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD20N10-66L-GE3

Description: VISHAY - SUD20N10-66L-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16.9 A, 0.055 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 11996 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	54.32 грн
18+	45.57 грн
100+	28.86 грн
500+	22.4 грн

Мінімальне замовлення: 15

SUD20N10-66L-GE3

SUD20N10-66L-GE3 Trans MOSFET N-CH 100V 16.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 605 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

SUD20N10-66L-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 16.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	54.6 грн
13+	46.14 грн

Мінімальне замовлення: 11

SUD20N10-66L-GE3

MOSFET N-Channel 100-V D-S

на замовлення 5915 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.57 грн
10+	53.51 грн
100+	32.26 грн
500+	26.92 грн
1000+	22.91 грн
2000+	20.45 грн
4000+	19.33 грн

Мінімальне замовлення: 6

SUD20N10-66L-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 16.9A; Idm: 25A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 41.7W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SUD20N10-66L-GE3

на замовлення 11996 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	28.86 грн
500+	22.4 грн

Мінімальне замовлення: 100

SUD20N10-66L-GE3

товар відсутній

SUD20N10-66L-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 16.9A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 50 V

на замовлення 4493 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.54 грн
10+	48.83 грн
100+	33.8 грн
500+	26.51 грн
1000+	22.56 грн

Мінімальне замовлення: 6

SUD23N06-31

10+ TSSOP8

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD23N06-31-BE3

Description: VISHAY - SUD23N06-31-BE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 21.4A, TO-252
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	74.9 грн
13+	62.29 грн
25+	57.56 грн
50+	49.05 грн
100+	41.23 грн

Мінімальне замовлення: 11

SUD23N06-31-BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 9.1A/21.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta), 21.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

на замовлення 1939 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.15 грн
10+	52.35 грн
100+	40.71 грн
500+	32.38 грн
1000+	26.38 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUD23N06-31-BE3

Trans MOSFET N-CH 60V 21.4A 4-Pin(3+Tab) TO-252

товар відсутній

SUD23N06-31-BE3

MOSFET N-CHANNEL 60V (D-S)

на замовлення 947 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	70.93 грн
10+	57.39 грн
100+	38.8 грн
500+	32.96 грн
1000+	26.85 грн
2000+	24.88 грн
4000+	23.76 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUD23N06-31-BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 9.1A/21.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta), 21.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD23N06-31-BE3

Trans MOSFET N-CH 60V 21.4A 4-Pin(3+Tab) TO-252

товар відсутній

SUD23N06-31-BE3
Код товару: 75849

товар відсутній

SUD23N06-31-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 21.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD23N06-31-GE3

Description: VISHAY - SUD23N06-31-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21.4 A, 0.025 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31.25W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 1939 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	49.99 грн
500+	38.95 грн
1000+	28.86 грн

Мінімальне замовлення: 100

SUD23N06-31-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

на замовлення 7977 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.15 грн
10+	52.35 грн
100+	40.71 грн
500+	32.38 грн
1000+	26.38 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUD23N06-31-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 21.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD23N06-31-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17.1A; 31.25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17.1A
Power dissipation: 31.25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

на замовлення 1769 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	61.5 грн
10+	47.37 грн
28+	31.31 грн
76+	29.6 грн

Мінімальне замовлення: 7

SUD23N06-31-GE3

на замовлення 1939 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	69.62 грн
50+	59.77 грн
100+	49.99 грн
500+	38.95 грн
1000+	28.86 грн

Мінімальне замовлення: 12

SUD23N06-31-GE3

на замовлення 1769 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	73.8 грн
10+	59.03 грн
28+	37.58 грн
76+	35.52 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUD23N06-31-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

на замовлення 7825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	27.48 грн
6000+	25.2 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD23N06-31-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 21.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD23N06-31-GE3

MOSFET N-Ch MOSFET 60V 31 mohm @ 10V

на замовлення 22549 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	70.93 грн
10+	57.39 грн
100+	38.8 грн
500+	32.96 грн
1000+	26.85 грн
2000+	24.46 грн
4000+	23.76 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUD23N06-31-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 21.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

175+	69.21 грн
205+	58.96 грн
240+	50.43 грн
253+	46.11 грн
500+	40 грн
1000+	35.99 грн

Мінімальне замовлення: 175

SUD23N06-31-T4-GE3

на замовлення 2470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	95.04 грн
10+	74.82 грн
100+	58.16 грн
500+	46.26 грн
1000+	37.69 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUD23N06-31-T4-GE3

MOSFET N-Channel 60-V (D-S)

на замовлення 2355 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101.68 грн
10+	81.64 грн
100+	55.53 грн
500+	47.09 грн
1000+	38.31 грн
2500+	35.99 грн
5000+	34.3 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUD23N06-31-T4-GE3

товар відсутній

SUD23N06-31L

MOSFET 60V 23A 100W

товар відсутній

SUD23N06-31L

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD23N06-31L

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD23N06-31L-E3

Description: MOSFET N-CH 60V TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD23N06-31L-E3

Description: MOSFET N-CH 60V TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD23N06-31L-E3

MOSFET 60V 23A 100W

на замовлення 2988 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SUD23N06-31L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD23N06-31L-T4-E3

Description: MOSFET N-CH 60V TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	27.48 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SUD23N06-31L-T4-E3

MOSFET N-CH 60-V (D-S) 175C Logic Level

на замовлення 10268 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.49 грн
10+	58.2 грн
100+	39.43 грн
500+	33.39 грн
1000+	27.2 грн
2500+	25.16 грн
5000+	24.32 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUD23N06-31L-T4-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD23N06-31L-T4-E3

Description: MOSFET N-CH 60V TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

на замовлення 3858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.91 грн
10+	52.35 грн
100+	40.71 грн
500+	32.39 грн
1000+	26.38 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUD23N06-31L-T4BE3

товар відсутній

SUD23N06-31L-T4BE3

Trans MOSFET N-CH 60V 23A 4-Pin(3+Tab) TO-252

товар відсутній

SUD23N06-31L-T4BE3

товар відсутній

SUD23N06-31L-T4BE3

MOSFETs 60V N-CHANNEL

на замовлення 28314 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.49 грн
10+	58.2 грн
100+	39.43 грн
500+	33.39 грн
1000+	27.2 грн
2500+	26.29 грн
5000+	24.11 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUD25N04

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD25N04-25

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD25N04-25

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD25N04-25-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD25N04-25-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 25A TO252

товар відсутній

SUD25N04-25-T4-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 25A TO252

товар відсутній

SUD25N05-45L

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD25N06-45L

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD25N06-45L

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD25N06-45L
Код товару: 133238

товар відсутній

SUD25N06-45L

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD23N06-31-GE3

товар відсутній

SUD25N06-45L

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD25N06-45L-E3

MOSFET 60V 25A 50W

товар відсутній

SUD25N06-45L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD25N06-45L-E3

10+ SOP

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD25N06-45L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD25N06-45L-T4

MOSFET 60V N-CH LOGIC LEVEL

товар відсутній

SUD25N15-52

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD25N15-52

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD25N15-52-E3

товар відсутній

SUD25N15-52

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD25N15-52-BE3

Trans MOSFET N-CH 150V 25A

товар відсутній

SUD25N15-52-BE3

Description: MOSFET N-CH 150V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V

на замовлення 5390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	168.03 грн
10+	134.13 грн
100+	106.72 грн
500+	84.75 грн
1000+	71.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD25N15-52-BE3

SUD25N15-52-BE3

товар відсутній

SUD25N15-52-BE3

Description: MOSFET N-CH 150V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	75.59 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD25N15-52-BE3

MOSFET 150V N-CH (D-S) 175 DEG.C

на замовлення 7683 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	184.5 грн
10+	151.15 грн
100+	104.73 грн
500+	88.56 грн
1000+	75.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD25N15-52-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 25A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	76.28 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD25N15-52-E3

Trans MOSFET N-CH 150V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD25N15-52-E3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 25A; Idm: 50A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт

товар відсутній

SUD25N15-52-E3

MOSFET 150V 25A 136W 52mohm @ 10V

на замовлення 4839 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	184.5 грн
10+	159.23 грн
100+	111.75 грн
250+	107.54 грн
500+	93.48 грн
1000+	78.02 грн
2000+	75.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD25N15-52-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 25A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V

на замовлення 6133 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	169.55 грн
10+	135.3 грн
100+	107.69 грн
500+	85.52 грн
1000+	72.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD25N15-52-E3

Trans MOSFET N-CH 150V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD25N15-52-E3

Description: VISHAY - SUD25N15-52-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 25 A, 0.042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 1387 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	195.54 грн
10+	145.08 грн
100+	111.96 грн
500+	92.25 грн
1000+	83.13 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUD25N15-52-E3

Trans MOSFET N-CH 150V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD25N15-52-E3

товар відсутній

SUD25N15-52-T4-E3

MOSFET N-Channel 150-V D-S

товар відсутній

SUD25N15-52-T4-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 25A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD30N03

на замовлення 145 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD30N03-30

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD30N03-30

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD30N03-30

MOSFET 30V 30A 50W

товар відсутній

SUD30N03-30-E3

MOSFET 30V 30A 50W

товар відсутній

SUD30N03-30-T4

на замовлення 3822 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD30N03-30-T4

MOSFET 30V-30MILLIOHM N-CH

товар відсутній

SUD30N04-10

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD30N04-10

MOSFET 40V 30A 97W

товар відсутній

SUD30N04-10

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD30N04-10-E3

MOSFET 40V 30A 97W

товар відсутній

SUD30N04-10-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD30N04-10-T1-E3

MOSFET

товар відсутній

SUD30N04-10-T4

MOSFET 40V N-CH 12MTRENCH

товар відсутній

SUD35N05

на замовлення 15 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD35N05-26

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD35N05-26L
Код товару: 122656

товар відсутній

SUD35N05-26L

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD35N05-26L

Trans MOSFET N-CH 55V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD35N05-26L-E3

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD35N05-26L-E3

Description: MOSFET N-CH 55V 35A TO252

товар відсутній

SUD35N05-26L-E3

Trans MOSFET N-CH 55V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD35N05-26L-E3

Description: MOSFET N-CH 55V 35A TO252

товар відсутній

SUD35N10-26

на замовлення 35 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD35N10-26P-BE3

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 4-Pin(3+Tab) TO-252

товар відсутній

SUD35N10-26P-BE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 83W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт

товар відсутній

SUD35N10-26P-BE3

SUD35N10-26P-BE3

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	77.65 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD35N10-26P-BE3

товар відсутній

SUD35N10-26P-BE3

Description: MOSFET N-CH 100V 12A/35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V

на замовлення 1835 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	145.98 грн
10+	117 грн
100+	93.13 грн
500+	73.95 грн
1000+	62.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUD35N10-26P-BE3

MOSFETs TO252 100V 35A N-CH MOSFET

на замовлення 25927 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	159.08 грн
10+	130.94 грн
100+	90.67 грн
250+	83.64 грн
500+	75.91 грн
1000+	64.87 грн
2000+	59.67 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUD35N10-26P-BE3

Description: MOSFET N-CH 100V 12A/35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V

товар відсутній

SUD35N10-26P-E3

товар відсутній

SUD35N10-26P-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD35N10-26P-E3

товар відсутній

SUD35N10-26P-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V

товар відсутній

SUD35N10-26P-E3

MOSFETs 100V 35A 83W 26mohm @ 10V

на замовлення 4132 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	159.08 грн
10+	130.94 грн
100+	90.67 грн
250+	87.15 грн
500+	76.61 грн
1000+	66.7 грн
2000+	62.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUD35N10-26P-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD35N10-26P-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	156.18 грн
10+	138.73 грн
25+	133 грн
100+	107.77 грн
250+	98.27 грн
500+	75.61 грн
1000+	66.85 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUD35N10-26P-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V

на замовлення 1143 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	145.98 грн
10+	117 грн
100+	93.13 грн
500+	73.95 грн
1000+	62.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUD35N10-26P-GE3

MOSFETs 100V 35A 83W 26mohm @ 10V

на замовлення 17408 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	159.08 грн
10+	130.94 грн
100+	90.67 грн
250+	87.15 грн
500+	76.61 грн
1000+	64.87 грн
2000+	62.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUD35N10-26P-GE3

N-Channel 100 V MOSFET

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	41.16 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD35N10-26P-GE3

N-Channel 100 V MOSFET

товар відсутній

SUD35N10-26P-GE3

товар відсутній

SUD35N10-26P-GE3

товар відсутній

SUD35N10-26P-GE3

товар відсутній

SUD35N10-26P-GE3

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	145.98 грн
10+	117 грн
100+	93.13 грн
500+	73.95 грн
1000+	62.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUD35N10-26P-T4GE3

товар відсутній

SUD35N10-26P-T4GE3

MOSFET N-Channel 100-V D-S

товар відсутній

SUD40151EL-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 42A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 20 V

товар відсутній

SUD40151EL-GE3

MOSFETs 40V Vds 20V Vgs TO-252

на замовлення 66617 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	138.58 грн
10+	113.16 грн
100+	79.42 грн
250+	72.39 грн
500+	66 грн
1000+	56.44 грн
2000+	55.53 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUD40151EL-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -42A; Idm: -100A
Polarisation: unipolar
Case: DPAK; TO252
Gate charge: 112nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -100A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -42A
On-state resistance: 17.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 50W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 2000 шт

товар відсутній

SUD40151EL-GE3

товар відсутній

SUD40151EL-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 42A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SUD40151EL-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 42A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 20 V

на замовлення 2329 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	127.73 грн
10+	101.99 грн
100+	81.22 грн
500+	64.5 грн
1000+	54.72 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUD40151EL-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 42A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SUD40151EL-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 42A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SUD40N02-08

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD40N02-08

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD40N02-08-E3

на замовлення 1931 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD40N02-08-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 40A TO252

товар відсутній

SUD40N02-08-E3

Trans MOSFET N-CH 20V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD40N02-3M3P-E3

Trans MOSFET N-CH 20V 24.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD40N02-3M3P-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 24.4A/40A TO252

товар відсутній

SUD40N03

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD40N03-18

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD40N03-18P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD40N03-18P

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD40N03-18P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD40N04-10A

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD40N04-10A

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD40N04-10A

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD40N04-10A-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 40A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD40N04-10A-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD40N04-10A-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 40A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD40N04-10A-E3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD40N04-10AE3

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD40N06
Код товару: 58679

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товар відсутній

SUD40N06-24

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD40N06-24-T4

MOSFET 60V N-CH .024

товар відсутній

SUD40N06-25L

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD40N06-25L
Код товару: 88851

Мікросхеми > Інші мікросхеми
8542 39 90 00

товар відсутній

SUD40N06-25L

MOSFETs 60V 20A 75W

товар відсутній

SUD40N06-25L

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD40N06-25L-E3

MOSFET 60V 20A 75W

товар відсутній

SUD40N06-25L-E3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD40N06-25L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD40N06-25L-T1-E3

MOSFET

товар відсутній

SUD40N06-25L-T4

MOSFET 60V AS 10MIL TRIMTL2 @2V 25R

товар відсутній

SUD40N0625LE3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD40N08-16

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD40N08-16

MOSFET 80V 40A 100W

товар відсутній

SUD40N08-16

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD40N08-16-E3

Trans MOSFET N-CH 80V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD40N08-16-E3

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD40N08-16-E3

Description: MOSFET N-CH 80V 40A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V

на замовлення 6574 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	208.32 грн
10+	168.76 грн
100+	136.54 грн
500+	113.9 грн
1000+	97.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD40N08-16-E3

MOSFETs 80V 40A 100W

на замовлення 9744 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	223.04 грн
10+	185.91 грн
100+	130.73 грн
500+	116.67 грн
1000+	107.54 грн
2000+	106.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD40N08-16-E3

Description: VISHAY - SUD40N08-16-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.013 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: 0
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: 0
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 11344 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	218.4 грн
10+	164 грн
100+	132.46 грн
500+	109.09 грн
1000+	86.51 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUD40N08-16-E3

Trans MOSFET N-CH 80V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD40N08-16-E3

Trans MOSFET N-CH 80V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1045 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	196.85 грн
10+	149.31 грн
25+	147.9 грн
100+	125.06 грн
250+	103.47 грн
500+	95.04 грн
1000+	89.42 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUD40N08-16-E3

Description: MOSFET N-CH 80V 40A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	101.62 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD40N08-16-E3

SUD40N08-16-E3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SUD40N08-16-T4

09+ DIP

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD40N10-25

Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD40N10-25

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD40N10-25

0630+

на замовлення 520 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD40N10-25

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD40N10-25

на замовлення 12170 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD40N10-25

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD35N10-26P-GE3

товар відсутній

SUD40N10-25-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD40N10-25-E3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 70A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт

товар відсутній

SUD40N10-25-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

на замовлення 433 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	288.15 грн
10+	182.74 грн
100+	128.63 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD40N10-25-E3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SUD35N10-26P-GE3

на замовлення 8219 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	245.18 грн
10+	195.61 грн
25+	160.25 грн
100+	125.11 грн
500+	102.62 грн
1000+	95.59 грн
2000+	94.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD40N10-25-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD40N10-25-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD40N10-25-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD40N10-25-E3

товар відсутній

SUD40N10-25-T4-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO252

товар відсутній

SUD40N10-25-T4-E3

MOSFETs N-Channel 100-V D-S

товар відсутній

SUD40N1025

0433

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD40P03-20

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD42N03-3M9P-GE3

Trans MOSFET N-CH Si 30V 107A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

SUD42N03-3M9P-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 42A TO252

товар відсутній

SUD42N03-3M9P-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 42A TO252

товар відсутній

SUD42N03-3M9P-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N048M8P4GE3

товар відсутній

SUD45N05

на замовлення 1050 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD45N05-20L

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD45N05-20L

MOSFET 50V 30A 75W

товар відсутній

SUD45N05-20L

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD45N05-20L-E3

Trans MOSFET N-CH 50V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD45N05-20L-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD23N06-31-GE3

товар відсутній

SUD45P03

на замовлення 682 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD45P03-09-GE3

Description: VISHAY - SUD45P03-09-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 45 A, 0.0072 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 45
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 41.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 41.7
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0072
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)

товар відсутній

SUD45P03-09-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

SUD45P03-09-GE3

MOSFET 30V 45A PCH

на замовлення 13533 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SUD45P03-09-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 45A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 15 V

товар відсутній

SUD45P03-10

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD45P03-10

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD45P03-10-E3

Trans MOSFET P-CH 30V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD45P03-10-E3

Description: MOSFET P-CH 30V TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD45P03-10-E3
Код товару: 92766

товар відсутній

SUD45P03-15

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD45P03-15

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD45P03-15-E3

Description: MOSFET P-CH 30V TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD45P03-15-E3

на замовлення 200000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD45P03-15-T1-E3

на замовлення 2460 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD45P04-16P-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 36A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD492H

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD492H

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD492J

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD492J

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD494J

AUK

07+ SOT-363

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD494J

AUK

на замовлення 6200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD494J

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD494N

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD494N

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50M02-12P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50M02-12P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N014-06P

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N02-04P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N02-04P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N02-04P-E3

на замовлення 1840 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N02-04P-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V

товар відсутній

SUD50N02-06

на замовлення 6800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N02-06-E3

Trans MOSFET N-CH 20V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N02-06-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 30A TO252

товар відсутній

SUD50N02-06-E3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N02-06P

MOSFET OBSOLETE - USE SUD50N02-06P-E3

товар відсутній

SUD50N02-06P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N02-06P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N02-06P

Trans MOSFET N-CH 20V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N02-06P-E3

Trans MOSFET N-CH 20V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N02-06P-E3

Trans MOSFET N-CH 20V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SUD50N02-06P-E3

MOSFET 20V 26A 65W

товар відсутній

SUD50N02-06P-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V

товар відсутній

SUD50N02-06P-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N02-06P-E3

товар відсутній

SUD50N02-06P-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

SUD50N02-06P-T4

MOSFET 20V 26A 65W

товар відсутній

SUD50N02-09P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N02-09P

MOSFET 20V 20A 6.5W

товар відсутній

SUD50N02-09P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N02-09P-E3

Trans MOSFET N-CH 20V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N02-09P-E3

Description: MOSFET N-CH 20V TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 39.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V

товар відсутній

SUD50N02-09P-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUD50N02-06P-GE3

товар відсутній

SUD50N02-09P-E3

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N02-09P-E3

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N02-09P-E3

Description: MOSFET N-CH 20V TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 39.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V

товар відсутній

SUD50N02-09P-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 39.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V

товар відсутній

SUD50N02-09P-GE3

N-Ch MOSFET DPak (TO-252) 20V 9.5mohm @ 10V 175C Rated

товар відсутній

SUD50N02-09P-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUD50N02-06P-GE3

товар відсутній

SUD50N02-09P-T4

MOSFET

товар відсутній

SUD50N02-09P-T4-E3

MOSFET

товар відсутній

SUD50N02-11P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N02-11P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N02-12P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N02-12P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N0206

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N0206T4

на замовлення 294 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N024

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N024-0

на замовлення 3774 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N024-06

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N024-06

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N024-06P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N024-06P
Код товару: 89310

товар відсутній

SUD50N024-06P

MOSFET OBSOLETE - USE SUD50N025-06P-E3

товар відсутній

SUD50N024-06P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N024-06P

TO252

на замовлення 2528 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N024-06P-E3

MOSFETs 24V 80A 6.8W

товар відсутній

SUD50N024-06P-T4

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N024-06P-T4E3

TO252

на замовлення 42900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N024-09F-T4

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N024-09P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N024-09P

TO252

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N024-09P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N024-09P транзистор
Код товару: 85069

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товар відсутній

SUD50N024-09P-E3

Description: MOSFET N-CH 22V 49A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 39.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 22 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V

товар відсутній

SUD50N024-09P-E3

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N024-09P-E4E3

TO252

на замовлення 22541 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N024-09P-T4

на замовлення 3774 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N024-09P-T4E3

на замовлення 4200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N024-6D-24

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N025

на замовлення 1072 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N025-05P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N025-05P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N025-06P-E3

06+

на замовлення 100000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N025-06P-E3

Description: MOSFET N-CH 25V 78A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 10.7W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 12 V

товар відсутній

SUD50N025-06P-E3

MOSFET 25V 78A 65W

товар відсутній

SUD50N025-06P-E3

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N025-09BP-4E3

на замовлення 200000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N025-09BP-E3

Description: MOSFET N-CH D-S 25V TO252

товар відсутній

SUD50N03

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-06

vishay

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-06AP-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N03-06AP-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 15 V

на замовлення 4145 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	73.75 грн
10+	58.57 грн
100+	46.62 грн
500+	39.51 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUD50N03-06AP-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N03-06AP-E3

MOSFETs 30V 90A 83W

на замовлення 2855 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	80.11 грн
10+	65.39 грн
100+	45.26 грн
500+	42.52 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUD50N03-06AP-E3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 90A; Idm: 100A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт

товар відсутній

SUD50N03-06AP-E3

товар відсутній

SUD50N03-06AP-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 15 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	43.72 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD50N03-06AP-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N03-06AP-E3

на замовлення 200000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-06AP-T4E3

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 15 V

товар відсутній

SUD50N03-06P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-06P

MOSFET RECOMMENDED ALT SUD50N048M8P4GE3

товар відсутній

SUD50N03-06P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-06P-E3

09+

на замовлення 478 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-06P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 84A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD50N03-06P-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N03-07

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-07

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N03-06AP-E3

товар відсутній

SUD50N03-07

SIL

02+

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-07

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-07-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N03-06AP-E3

товар відсутній

SUD50N03-07-E3

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-07-T4

Vishay OBSOLETE - USE SUD50N03-06AP-E3

товар відсутній

SUD50N03-07AP

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-07AP

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N03-06AP-E3

товар відсутній

SUD50N03-07AP-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N03-06AP-E3

товар відсутній

SUD50N03-07AP-T4

MOSFET 30V N-CH, 175DEG C RATED

товар відсутній

SUD50N03-09P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-09P

VISHY

2004

на замовлення 1727 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-09P

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-09P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-09P-E3

09+

на замовлення 618 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-09P-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N03-09P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 63A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD50N03-09P-E3

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-09P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 63A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD50N03-09P-GE3

товар відсутній

SUD50N03-09P-GE3

N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

товар відсутній

SUD50N03-1

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-10

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N048M8P4GE3

товар відсутній

SUD50N03-10

02+

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-10

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-10
Код товару: 36248

Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 15 A
Rds(on), Ohm: 0,01 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3200/55
Монтаж: SMD

товар відсутній

SUD50N03-10

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-10

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-10-E3

MOSFET 30V 15A 83W

товар відсутній

SUD50N03-10-T4

на замовлення 1588 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-10-T4

Vishay OBSOLETE - USE SUD50N03-09P-E3

товар відсутній

SUD50N03-10-T4-E3

товар відсутній

SUD50N03-10AP

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-10AP

MOSFET 30V 20A 71W

товар відсутній

SUD50N03-10AP

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-10AP-E3

MOSFET 30V 20A 71W

товар відсутній

SUD50N03-10AP-E3

09+

на замовлення 396 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-10AP-T4

Vishay OBSOLETE - USE SUD50N03-09P-E3

товар відсутній

SUD50N03-10BP

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N048M8P4GE3

товар відсутній

SUD50N03-10BP-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N048M8P4GE3

товар відсутній

SUD50N03-10BP-T4

MOSFET 30V N-CH 175DEG C RATED

товар відсутній

SUD50N03-10BP-T4

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-10BP-T4-E3

MOSFET

товар відсутній

SUD50N03-10CP

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-10CP

MOSFET N-CH 30V(D-S),175 C MOSFET PWM OPTIMIZED

товар відсутній

SUD50N03-10CP

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-10CP-E3

Vishay OBSOLETE - USE SUD50N03-09P-E3

товар відсутній

SUD50N03-10CP-T4

товар відсутній

SUD50N03-10CP-T4E3

товар відсутній

SUD50N03-10P

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD50N04-5M6_GE3

товар відсутній

SUD50N03-10P

SOT252/2.5

на замовлення 864 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-10P-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N048M8P4GE3

товар відсутній

SUD50N03-10P-T4

MOSFET 30V N-CH 10MOHM, 32M CELL TRENCH

товар відсутній

SUD50N03-11

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-11

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-11

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N03-11

SILICON

04+

на замовлення 1207 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-11*

на замовлення 34000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-11-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N03-11-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD50N03-12P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-12P

Trans MOSFET N-CH 30V 17.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N03-12P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-12P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 46.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD50N03-12P-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 17.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N03-12P-E3

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-12P-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 16.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD50N03-12P-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 16.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N03-16

на замовлення 22000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-16P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-16P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-16P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 40.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD50N03-16P-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N03-16P-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 40.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD50N03-7M3P-E3

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N0307E3

на замовлення 3898 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N04

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N04-05L

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N04-05L

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N04-05L-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 115A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N04-05L-E3

TO-252

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N04-05L-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 115A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD50N04-05L-E3

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N04-05L-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N048M8P4GE3

товар відсутній

SUD50N04-06H

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N04-06H

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N04-06H-E3

MOSFETs 40V 109A 136W 6.0mohm @ 10V

товар відсутній

SUD50N04-06H-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 109A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N04-07-E3

0904+

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N04-07L

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N04-07L

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N04-07L-E3

MOSFETs 40V 65A 65W 7.4mohm @ 10V

товар відсутній

SUD50N04-09H-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD50N04-09H-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 115A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N04-09H-E3

MOSFETs 40V 50A 83.3W 9.0mohm @ 10V

товар відсутній

SUD50N04-16P-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 9.8A/20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1655 pF @ 20 V

товар відсутній

SUD50N04-16P-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 9.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N04-37P-E3

N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

товар відсутній

SUD50N04-37P-T4-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 5.4A/8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 10.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 20 V

товар відсутній

SUD50N04-8M8P-4BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 14A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V

товар відсутній

SUD50N04-8M8P-4BE3

Trans MOSFET N-CH 40V 14A

товар відсутній

SUD50N04-8M8P-4BE3

MOSFETs N-CHANNEL 40V (D-S)

на замовлення 16324 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	108.24 грн
10+	88.1 грн
100+	59.04 грн
500+	50.04 грн
1000+	40.77 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUD50N04-8M8P-4BE3

N-Channel MOSFET

товар відсутній

SUD50N04-8M8P-4BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 14A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V

товар відсутній

SUD50N04-8M8P-4GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 14A; Idm: 100A; 30.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 30.8W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 2358 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	81.21 грн
10+	62.38 грн
41+	21.16 грн
112+	19.99 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUD50N04-8M8P-4GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	35.81 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SUD50N04-8M8P-4GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N04-8M8P-4GE3

Description: VISHAY - SUD50N04-8M8P-4GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0069 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 53306 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	107.23 грн
10+	82.79 грн
100+	60.08 грн
500+	47.3 грн
1000+	40.75 грн
5000+	39.94 грн

Мінімальне замовлення: 8

SUD50N04-8M8P-4GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N04-8M8P-4GE3

MOSFETs 40V 50A 48.1W 8.8mohm @ 10V

на замовлення 4747 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.3 грн
10+	76.71 грн
100+	51.52 грн
500+	43.65 грн
1000+	40.77 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUD50N04-8M8P-4GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V

на замовлення 3304 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.67 грн
10+	68.24 грн
100+	53.04 грн
500+	42.2 грн
1000+	34.37 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUD50N04-8M8P-4GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N04-8M8P-4GE3

на замовлення 2358 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	97.45 грн
10+	77.73 грн
41+	25.39 грн
112+	23.98 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUD50N04-8M8P-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N06-07L

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N06-07L

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N06-07L-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 96A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD50N06-07L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 96A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N06-07L-E3

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N06-07L-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 96A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD50N06-07L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 96A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N06-07L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 96A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N06-07L-E3

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N06-07L-GE3

товар відсутній

SUD50N06-07L-GE3

товар відсутній

SUD50N06-08H

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N06-08H

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N06-08H-E3

MOSFETs 60V 93A 136W 7.8mohm @ 10V

товар відсутній

SUD50N06-08H-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 93A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD50N06-09-T1-E3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N06-09L

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N06-09L-E3

товар відсутній

SUD50N06-09L

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N06-09L

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N06-09L

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N06-09L-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V

на замовлення 20589 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	229.61 грн
10+	185.67 грн
100+	150.16 грн
500+	125.27 грн
1000+	107.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD50N06-09L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	129.36 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD50N06-09L-E3
Код товару: 169164

товар відсутній

SUD50N06-09L-E3

Description: VISHAY - SUD50N06-09L-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0074 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm

на замовлення 2033 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	219.19 грн
50+	198.69 грн
100+	177.4 грн
500+	155.21 грн
1000+	123.68 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUD50N06-09L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 821 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	173.27 грн
10+	158.34 грн
25+	156.78 грн
100+	135.42 грн
250+	124.12 грн
500+	103.87 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUD50N06-09L-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	111.76 грн
6000+	103.25 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD50N06-09L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1766 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

79+	153.69 грн
83+	146.52 грн
100+	144.46 грн
200+	138.32 грн
500+	124.41 грн

Мінімальне замовлення: 79

SUD50N06-09L-E3

Siliconix

N-MOSFET 60V 50A 9.3mΩ 136W SUD50N06-09L-E3 Vishay TSUD50N06-09L
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 70 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	68 грн

Мінімальне замовлення: 10

SUD50N06-09L-E3

MOSFETs 60V 50A 136W 9.3mohm @ 10V

на замовлення 3606 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	240.26 грн
10+	200.45 грн
25+	172.9 грн
100+	143.38 грн
500+	130.03 грн
1000+	118.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD50N06-09L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N06-09L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	58.71 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD50N06-09L-E3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 136W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhanced

на замовлення 859 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	149.02 грн
12+	76.88 грн
31+	73.21 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUD50N06-09L-E3

Description: VISHAY - SUD50N06-09L-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0074 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm

на замовлення 2338 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	185.29 грн
500+	151.55 грн
1000+	123.68 грн

Мінімальне замовлення: 100

SUD50N06-09L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 821 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

65+	186.6 грн
71+	170.52 грн
72+	168.84 грн
100+	145.84 грн
250+	133.67 грн
500+	111.86 грн

Мінімальне замовлення: 65

SUD50N06-09L-E3

на замовлення 859 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	178.82 грн
12+	95.8 грн
31+	87.86 грн
10000+	85.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD50N06-09L-T1-E3

на замовлення 350 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N06-12

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N06-12

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N06-16

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N06-16

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N06-16-E3

на замовлення 5 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N06-36-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N06-36-T4-E3

MOSFETs 60V 12A 24W 36mohm @ 10V

товар відсутній

SUD50N10-18P

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N10-18P-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 8.2A/50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 50 V

товар відсутній

SUD50N10-18P-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N10-18P-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 8.2A/50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 50 V

товар відсутній

SUD50N10-18P-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N10-18P-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 8.2A/50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 50 V

товар відсутній

SUD50N10-34P-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N10-34P-T4-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 5.9A/20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD50N10-34P-T4-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 5.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

SUD50NP04-62-4-E3

на замовлення 1984 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50NP04-62-T4-E3

MOSFET 40V 8.0A 15.6/23.5W 30/32mohm @ 10V

товар відсутній

SUD50NP04-77P-T4-E3

Trans MOSFET N/P-CH 40V 8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

SUD50NP04-77P-T4E3

Description: MOSFET N/P-CH 40V 8A TO252-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 10.8W, 24W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
Part Status: Active

товар відсутній

SUD50P04

на замовлення 120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50P04-08-BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	100.36 грн
10+	79.36 грн
100+	61.72 грн
500+	49.09 грн
1000+	39.99 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUD50P04-08-BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	72.81 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD50P04-08-BE3

MOSFETs P-CHANNEL 40V (D-S)

на замовлення 2445 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	109.88 грн
10+	84.87 грн
100+	59.95 грн
500+	50.82 грн
1000+	41.4 грн
2000+	38.87 грн
4000+	37.04 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUD50P04-08-BE3

Description: VISHAY - SUD50P04-08-BE3 - MOSFET, P-CH, 40V, 50A, TO-252
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead

на замовлення 5110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	120.63 грн
10+	98.56 грн
25+	91.46 грн
50+	77.61 грн
100+	66.03 грн

Мінімальне замовлення: 7

SUD50P04-08-BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	41.66 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD50P04-08-BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A

товар відсутній

SUD50P04-08-BE3

P-Channel MOSFET

товар відсутній

SUD50P04-08-E3

Description: MOSFET P-CH 40V DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active

товар відсутній

SUD50P04-08-GE3

Description: VISHAY - SUD50P04-08-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0067 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 65396 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	124.58 грн
10+	95.4 грн
100+	69.94 грн
500+	55.06 грн
1000+	44.27 грн
5000+	37.64 грн

Мінімальне замовлення: 7

SUD50P04-08-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 9295 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

211+	57.26 грн

Мінімальне замовлення: 211

SUD50P04-08-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -50A; Idm: -100A; 73.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 73.5W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 159nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 1971 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	94.62 грн
10+	74.68 грн
17+	51.25 грн
46+	48.32 грн
500+	46.86 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUD50P04-08-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 20 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	41.66 грн
6000+	38.21 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD50P04-08-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50P04-08-GE3

на замовлення 1971 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	113.54 грн
10+	93.06 грн
17+	61.5 грн
46+	57.99 грн
500+	56.23 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUD50P04-08-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	75.94 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD50P04-08-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 9500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	38.95 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD50P04-08-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50P04-08-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 20 V

на замовлення 6360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	100.36 грн
10+	79.36 грн
100+	61.72 грн
500+	49.09 грн
1000+	39.99 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUD50P04-08-GE3

MOSFETs 40V 50A P-CH MOSFET

на замовлення 27282 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	109.88 грн
10+	88.91 грн
100+	59.95 грн
500+	50.82 грн
1000+	41.4 грн
2000+	38.94 грн
4000+	37.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUD50P04-08-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	41.02 грн
4000+	40.6 грн
6000+	40.21 грн
10000+	38.27 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD50P04-09L

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50P04-09L

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50P04-09L-E3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V

на замовлення 14564 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	179.43 грн
10+	143.35 грн
100+	114.09 грн
500+	90.6 грн
1000+	76.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD50P04-09L-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50P04-09L-E3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -50A; Idm: -100A; 136W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SUD50P04-09L-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50P04-09L-E3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V

на замовлення 14000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	80.81 грн
6000+	74.89 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD50P04-09L-E3

MOSFETs 40V 50A 136W 9.4mohm @ 10V

на замовлення 5528 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	192.7 грн
10+	160.04 грн
100+	111.05 грн
500+	94.18 грн
1000+	79.42 грн
4000+	73.1 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD50P04-09L-E3

Description: VISHAY - SUD50P04-09L-E3 - MOSFET, P CHANNEL, -40V, -50A, TO-252-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead

на замовлення 5846 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	224.71 грн
10+	193.96 грн
25+	181.35 грн
50+	156.68 грн
100+	133.14 грн
250+	125.03 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUD50P04-09L-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50P04-09L-E3
Код товару: 167710

товар відсутній

SUD50P04-09L-E3

товар відсутній

SUD50P04-09L-E3-VB

VBsemi

Transistor P-Channel MOSFET; -40V; +/-20V; 59mOhm; -50A; 136W; -55°C~175°C; SUD50P04-09L-E3 TSUD50P04-09L-E3 VBS
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 80 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	45.56 грн

Мінімальне замовлення: 20

SUD50P04-13L

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50P04-13L
Код товару: 92167

товар відсутній

SUD50P04-13L

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50P04-13L
Код товару: 92169

товар відсутній

SUD50P04-13L-E3

09+ SOP8

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50P04-13L-E3

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50P04-13L-E3

Description: MOSFET P-CH 40V 60A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 93.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD50P04-13L-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50P04-13L-GE3

товар відсутній

SUD50P04-13L-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 55.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

SUD50P04-15

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50P04-15

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50P04-15-E3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD50P04-15-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50P04-15-E3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD50P04-15-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50P04-15-T4

на замовлення 490 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50P04-23

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50P04-23-E3

Description: MOSFET P-CH 40V 8.2A/20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 45.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 20 V

товар відсутній

SUD50P04-23-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50P04-23-GE3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50P04-23-GE3

товар відсутній

SUD50P04-40P

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50P04-40P-E3

P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

товар відсутній

SUD50P04-40P-T4-E3

Description: MOSFET P-CH 40V 6A/8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1555 pF @ 20 V

товар відсутній

SUD50P06

на замовлення 115 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50P06
Код товару: 66964

товар відсутній

SUD50P06-15

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50P06-15-BE3

MOSFETs P-CHANNEL 60V (D-S)

на замовлення 34705 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	195.16 грн
10+	155.19 грн
100+	111.05 грн
250+	102.62 грн
500+	92.78 грн
1000+	79.42 грн
2000+	73.1 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD50P06-15-BE3

Description: VISHAY - SUD50P06-15-BE3 - MOSFET, P-CH, 60V, 50A, TO-252
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead

на замовлення 1893 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	214.46 грн
10+	179.77 грн
25+	167.94 грн
50+	142.77 грн
100+	122.32 грн
250+	112.86 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUD50P06-15-BE3

Power MOSFET

товар відсутній

SUD50P06-15-BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V

на замовлення 3341 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	182.47 грн
10+	145.84 грн
100+	116.11 грн
500+	92.2 грн
1000+	78.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD50P06-15-BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	82.24 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD50P06-15-BE3

Power MOSFET

товар відсутній

SUD50P06-15-GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V

на замовлення 5180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	80.81 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD50P06-15-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50P06-15-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	127.75 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD50P06-15-GE3

Description: VISHAY - SUD50P06-15-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 19755 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	129.31 грн
500+	102.5 грн
1000+	79.75 грн

Мінімальне замовлення: 100

SUD50P06-15-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A; 113W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 113W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 165nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 1722 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	171.88 грн
10+	142.77 грн
14+	64.43 грн
37+	60.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUD50P06-15-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	95.41 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD50P06-15-GE3

на замовлення 1722 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	206.26 грн
10+	177.91 грн
14+	77.31 грн
37+	72.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD50P06-15-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50P06-15-GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V

на замовлення 5550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	179.43 грн
10+	143.35 грн
100+	114.09 грн
500+	90.6 грн
1000+	76.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD50P06-15-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

80+	151.68 грн
95+	127.57 грн
100+	120.54 грн
200+	115.27 грн
500+	96.86 грн
1000+	86.96 грн

Мінімальне замовлення: 80

SUD50P06-15-GE3

MOSFET 60V 50A 113W 15mohm @ 10V

на замовлення 25980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	200.08 грн
10+	164.08 грн
100+	113.16 грн
500+	96.29 грн
1000+	81.53 грн
2000+	77.31 грн
4000+	75.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD50P06-15-GE3

на замовлення 19755 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	163.21 грн
50+	146.65 грн
100+	129.31 грн
500+	102.5 грн
1000+	79.75 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUD50P06-15-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	102.85 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD50P06-15-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	55.92 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD50P06-15L

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50P06-15L

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50P06-15L

MOSFET 60V 50A 136W

товар відсутній

SUD50P06-15L

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50P06-15L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	79.98 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD50P06-15L-E3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A; 136W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 165nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 1513 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	174.25 грн
10+	139.11 грн
12+	77.61 грн
31+	73.21 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUD50P06-15L-E3

Транз. Пол. БМ DPAK MOSFET P-channel 60 V; 50 A; 15mohm@17A, 10V Pmax=136 W

на замовлення 112 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

2+	269.78 грн
10+	229.19 грн
100+	207.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD50P06-15L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	82.83 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD50P06-15L-E3
Код товару: 82293

товар відсутній

SUD50P06-15L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V

на замовлення 27840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	80.81 грн
6000+	74.89 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD50P06-15L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	89.2 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD50P06-15L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	130.5 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD50P06-15L-E3

на замовлення 1513 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	209.1 грн
10+	173.35 грн
12+	93.13 грн
31+	87.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD50P06-15L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	68.72 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD50P06-15L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50P06-15L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V

на замовлення 27840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	179.43 грн
10+	143.35 грн
100+	114.09 грн
500+	90.6 грн
1000+	76.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD50P06-15L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	85.87 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD50P06-15L-E3

на замовлення 6380 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50P06-15L-E3

MOSFETs P-CH 60V 50A

на замовлення 31373 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	195.16 грн
10+	159.23 грн
100+	111.05 грн
250+	106.83 грн
500+	93.48 грн
1000+	79.42 грн
2000+	77.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD50P06-15L-E3

Description: VISHAY - SUD50P06-15L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 2364 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	216.04 грн
10+	159.27 грн
100+	122.21 грн
500+	99.57 грн
1000+	77.72 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUD50P06-15L-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50P06-15L-T4-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD50P06-15L-T4-E3

MOSFET P-Channel 60-V D-S

на замовлення 9460 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	216.48 грн
10+	179.44 грн
25+	146.9 грн
100+	125.81 грн
250+	118.78 грн
500+	112.46 грн
1000+	96.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD50P06-15L-T4-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

SUD50P06-15L-T4-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

SUD50P0615

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50P0615L

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50P08-25L

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50P08-25L-BE3

Description: MOSFET P-CH 80V 12.5A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	80.81 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD50P08-25L-BE3

MOSFETs TO252 80V 50A P-CH MOSFET

на замовлення 50418 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	195.16 грн
10+	160.04 грн
100+	111.05 грн
250+	102.62 грн
500+	92.78 грн
1000+	79.42 грн
2000+	73.1 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD50P08-25L-BE3

Trans MOSFET P-CH 80V 50A 4-Pin(3+Tab) TO-252

товар відсутній

SUD50P08-25L-BE3

Trans MOSFET P-CH 80V 50A

товар відсутній

SUD50P08-25L-BE3

Description: MOSFET P-CH 80V 12.5A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V

на замовлення 4088 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	179.43 грн
10+	143.35 грн
100+	114.09 грн
500+	90.6 грн
1000+	76.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD50P08-25L-BE3
Код товару: 182312

товар відсутній

SUD50P08-25L-BE3

Trans MOSFET P-CH 80V 50A 4-Pin(3+Tab) TO-252

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	105.84 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD50P08-25L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SUD50P08-25L-E3

Транз. Пол. БМ TO-252-3 MOSFET P-channel 80 V; 50 A; Pmax=136 W

на замовлення 190 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

2+	204.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD50P08-25L-E3

Description: VISHAY - SUD50P08-25L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.021 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 17865 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	126.94 грн
500+	106.89 грн
1000+	90.56 грн

Мінімальне замовлення: 100

SUD50P08-25L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	92.58 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD50P08-25L-E3

Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V

товар відсутній

SUD50P08-25L-E3
Код товару: 133983

товар відсутній

SUD50P08-25L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	78.34 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD50P08-25L-E3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -50A; Idm: -40A; 95W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 95W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 160nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SUD50P08-25L-E3

на замовлення 17865 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	154.54 грн
50+	141.13 грн
100+	126.94 грн
500+	106.89 грн
1000+	90.56 грн

Мінімальне замовлення: 6

SUD50P08-25L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	98.18 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD50P08-25L-E3

товар відсутній

SUD50P08-25L-E3

MOSFETs 80V 50A 136W 25.2mohm @ 10V

на замовлення 144244 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	182.86 грн
10+	151.15 грн
100+	107.54 грн
250+	102.62 грн
500+	91.37 грн
1000+	78.72 грн
2000+	73.1 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD50P08-25L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	75.71 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD50P08-25L-E3

Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V

на замовлення 3844 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	237.21 грн
10+	149.06 грн
100+	103.75 грн
500+	79.14 грн
1000+	73.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD50P08-25L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	68.88 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD50P08-26

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50P08-26-E3

Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 40 V

товар відсутній

SUD50P08-26-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50P10-43-E3

Description: MOSFET P-CH 100V 38A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5230 pF @ 50 V

товар відсутній

SUD50P10-43-E3

Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50P10-43L

на замовлення 25200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50P10-43L-BE3

Description: MOSFET P-CH 100V 9.2A/37.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V

на замовлення 1900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	180.95 грн
10+	144.82 грн
100+	115.25 грн
500+	91.52 грн
1000+	77.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD50P10-43L-BE3

MOSFETs TO252 100V 37.1A P-CH MOSFET

на замовлення 21465 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	194.34 грн
10+	159.23 грн
100+	110.35 грн
250+	101.91 грн
500+	92.78 грн
1000+	79.42 грн
2000+	73.1 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD50P10-43L-BE3

Trans MOSFET P-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R

товар відсутній

SUD50P10-43L-BE3

Description: MOSFET P-CH 100V 9.2A/37.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V

товар відсутній

SUD50P10-43L-E3

Trans MOSFET P-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	119.4 грн
10+	104.42 грн
25+	85.85 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUD50P10-43L-E3

Trans MOSFET P-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SUD50P10-43L-E3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -37.1A; Idm: -40A; 95W
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -37.1A
On-state resistance: 43mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 95W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 160nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252

товар відсутній

SUD50P10-43L-E3

Description: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V

на замовлення 6676 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	178.67 грн
10+	142.84 грн
100+	113.71 грн
500+	90.29 грн
1000+	76.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD50P10-43L-E3

Trans MOSFET P-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50P10-43L-E3

Транз. Пол. БМ DPAK MOSFET P-channel 60 V; 50 A; 15mohm@17A, 10V Pmax=136 W

на замовлення 30 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

2+	264.04 грн
10+	239.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD50P10-43L-E3

Trans MOSFET P-CH 100V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50P10-43L-E3

Description: VISHAY - SUD50P10-43L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.036 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 14670 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	189.23 грн
10+	134.04 грн
100+	108.81 грн
500+	92.25 грн
1000+	80.42 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUD50P10-43L-E3

Description: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	80.53 грн
6000+	74.64 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD50P10-43L-E3

товар відсутній

SUD50P10-43L-E3

MOSFETs 100V 37A 136W 43mohm @ 10V

на замовлення 40525 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	170.56 грн
10+	134.98 грн
100+	98.4 грн
250+	96.29 грн
500+	87.86 грн
1000+	78.72 грн
2000+	76.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD50P10-43L-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -36.4A; Idm: -40A; 72.7W
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -36.4A
On-state resistance: 43mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 72.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 160nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SUD50P10-43L-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 36.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50P10-43L-GE3

Description: VISHAY - SUD50P10-43L-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 36.4 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 1115 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	116.69 грн
500+	98.84 грн
1000+	78.4 грн

Мінімальне замовлення: 100

SUD50P10-43L-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 36.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	105.84 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD50P10-43L-GE3

MOSFETs 100V 37A P-Channel

на замовлення 38610 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	194.34 грн
10+	159.23 грн
100+	110.35 грн
250+	101.91 грн
500+	92.78 грн
1000+	79.42 грн
2000+	74.5 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD50P10-43L-GE3

Description: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V

на замовлення 3099 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	178.67 грн
10+	142.84 грн
100+	113.71 грн
500+	90.29 грн
1000+	76.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD50P10-43L-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 36.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50P10-43L-GE3

товар відсутній

SUD50P10-43L-GE3

на замовлення 1115 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	159.27 грн
50+	137.98 грн
100+	116.69 грн
500+	98.84 грн
1000+	78.4 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUD50P10-43L-GE3

Description: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	80.53 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD54P04-23-GE3

MOSFET 40V 23mohm @ 10V

товар відсутній

SUD5N03-11

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD70090E-GE3

Description: VISHAY - SUD70090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0074 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 208 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	93.04 грн

Мінімальне замовлення: 100

SUD70090E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	48 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD70090E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 50A; Idm: 120A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт

товар відсутній

SUD70090E-GE3

товар відсутній

SUD70090E-GE3

на замовлення 208 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	134.83 грн
10+	102.5 грн
100+	93.04 грн

Мінімальне замовлення: 6

SUD70090E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

91+	133.65 грн
101+	120.02 грн
104+	117.02 грн
109+	107.33 грн
121+	89.42 грн
250+	83.86 грн
500+	72.94 грн
1000+	64.33 грн

Мінімальне замовлення: 91

SUD70090E-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 21705 шт:

термін постачання 985-994 дні (днів)

3+	115.62 грн
10+	94.57 грн
100+	75.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUD70090E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V

на замовлення 3958 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	106.44 грн
10+	85.15 грн
100+	67.77 грн
500+	53.82 грн
1000+	45.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUD70090E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD70090E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	124.11 грн
10+	111.44 грн
25+	108.66 грн
50+	99.66 грн
100+	83.03 грн
250+	77.87 грн
500+	67.73 грн
1000+	59.73 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUD70N02

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD70N02-03P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD70N02-03P-E3

Trans MOSFET N-CH 20V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD70N02-049-E3

на замовлення 1670 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD70N02-04P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD70N02-04P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD70N02-05+P

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD70N02-05P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD70N02-05P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD70N02-05P-T4

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD70N03-04P

на замовлення 966 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD70N03-04P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD70N03-04P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD70N03-06P

06+

на замовлення 108 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD70N03-06P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD70N03-06P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD80460E-BE3

Trans MOSFET N-CH 150V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD80460E-BE3

MOSFET 150V N-CHANNEL MOSFET (D-S)

на замовлення 22000 шт:

термін постачання 656-665 дні (днів)

5+	71.59 грн
10+	62.24 грн
100+	41.54 грн
500+	33.25 грн
1000+	28.25 грн
2000+	26.92 грн
4000+	26.43 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUD80460E-BE3

Description: MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44.7mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 50 V

товар відсутній

SUD80460E-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 42A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SUD80460E-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44.7mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 50 V

товар відсутній

SUD80460E-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 42A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SUD80460E-GE3

SUD80460E-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SUD80460E-GE3

MOSFET 150V Vds 42A Id 10.5nC Qg Typ.

на замовлення 4055 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.23 грн
10+	61.83 грн
100+	38.59 грн
500+	31.7 грн
1000+	28.33 грн
2000+	25.65 грн
4000+	25.16 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUD80460E-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44.7mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 50 V

товар відсутній

SUD90330E-BE3

Description: MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V

товар відсутній

SUD90330E-BE3

SUD90330E-BE3

товар відсутній

SUD90330E-BE3

MOSFET N-CHANNEL 200V (D-S)

на замовлення 79 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SUD90330E-BE3

Description: MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V

товар відсутній

SUD90330E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

SUD90330E-GE3

MOSFET 200V Vds 20V Vgs TO-252

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SUD90330E-GE3