Продукція > VISHAY > SUD50P06-15-GE3
SUD50P06-15-GE3

SUD50P06-15-GE3 Vishay

sud50p06-15.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+55.32 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUD50P06-15-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SUD50P06-15-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SUD50P06-15-GE3 за ціною від 60.11 грн до 204.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sud50p06-15.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
на замовлення 5180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+79.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Виробник : Vishay sud50p06-15.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+95.41 грн
Мінімальне замовлення: 2000
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Виробник : Vishay sud50p06-15.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+102.85 грн
Мінімальне замовлення: 2000
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Виробник : Vishay sud50p06-15.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+127.75 грн
Мінімальне замовлення: 2000
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Виробник : VISHAY sud50p06-15.pdf Description: VISHAY - SUD50P06-15-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 19755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+127.9 грн
500+ 101.39 грн
1000+ 78.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Виробник : Vishay sud50p06-15.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
80+151.68 грн
95+ 127.57 грн
100+ 120.54 грн
200+ 115.27 грн
500+ 96.86 грн
1000+ 86.96 грн
Мінімальне замовлення: 80
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Виробник : VISHAY sud50p06-15.pdf Description: VISHAY - SUD50P06-15-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 19755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+161.44 грн
50+ 145.06 грн
100+ 127.9 грн
500+ 101.39 грн
1000+ 78.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Виробник : VISHAY sud50p06-15.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A; 113W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 113W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 165nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+170.02 грн
10+ 141.22 грн
14+ 63.73 грн
37+ 60.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sud50p06-15.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
на замовлення 5550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+177.48 грн
10+ 141.8 грн
100+ 112.85 грн
500+ 89.61 грн
1000+ 76.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sud50p06-15.pdf MOSFET 60V 50A 113W 15mohm @ 10V
на замовлення 25980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+197.91 грн
10+ 162.3 грн
100+ 111.93 грн
500+ 95.24 грн
1000+ 80.65 грн
2000+ 76.47 грн
4000+ 74.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Виробник : VISHAY sud50p06-15.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A; 113W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 113W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 165nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1722 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+204.02 грн
10+ 175.98 грн
14+ 76.47 грн
37+ 72.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Виробник : Vishay sud50p06-15.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Виробник : Vishay sud50p06-15.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній