Продукція > VISHAY > SUD50P08-25L-E3
SUD50P08-25L-E3

SUD50P08-25L-E3 Vishay

sud50p08.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+68.54 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUD50P08-25L-E3 Vishay

Description: VISHAY - SUD50P08-25L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.021 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SUD50P08-25L-E3 за ціною від 72.48 грн до 205.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 Виробник : Vishay sud50p08.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+75.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 Виробник : Vishay sud50p08.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+78.53 грн
Мінімальне замовлення: 2000
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 Виробник : Vishay sud50p08.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+92.81 грн
Мінімальне замовлення: 2000
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 Виробник : Vishay sud50p08.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+98.42 грн
Мінімальне замовлення: 2000
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 Виробник : VISHAY VISHS75787-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUD50P08-25L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.021 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 17865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+125.87 грн
500+ 105.99 грн
1000+ 89.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 Виробник : VISHAY VISHS75787-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUD50P08-25L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.021 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 17865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+153.23 грн
50+ 139.94 грн
100+ 125.87 грн
500+ 105.99 грн
1000+ 89.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 Виробник : Vishay Siliconix sud50p08.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
на замовлення 1131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+180.18 грн
10+ 144.03 грн
100+ 114.66 грн
500+ 91.05 грн
1000+ 77.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 Виробник : Vishay Semiconductors sud50p08.pdf MOSFETs 80V 50A 136W 25.2mohm @ 10V
на замовлення 144947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+181.31 грн
10+ 149.87 грн
100+ 106.63 грн
250+ 101.75 грн
500+ 90.6 грн
1000+ 78.05 грн
2000+ 72.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 Виробник : Vishay sud50p08.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SUD50P08-25L-E3 Виробник : Vishay sud50p08.pdf Транз. Пол. БМ TO-252-3 MOSFET P-channel 80 V; 50 A; Pmax=136 W
на замовлення 190 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+205.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
SUD50P08-25L-E3
Код товару: 133983 		sud50p08.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 Виробник : VISHAY sud50p08.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -50A; Idm: -40A; 95W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 95W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 160nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 Виробник : Vishay Siliconix sud50p08.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
товар відсутній
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 Виробник : VISHAY sud50p08.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -50A; Idm: -40A; 95W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 95W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 160nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній