Продукція > VISHAY SILICONIX > SUD50P04-09L-E3
SUD50P04-09L-E3

SUD50P04-09L-E3 Vishay Siliconix

sud50p04.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+79.93 грн
6000+ 74.07 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUD50P04-09L-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 24A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SUD50P04-09L-E3 за ціною від 72.3 грн до 222.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SUD50P04-09L-E3 SUD50P04-09L-E3 Виробник : Vishay Siliconix sud50p04.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
на замовлення 14826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+177.48 грн
10+ 141.8 грн
100+ 112.85 грн
500+ 89.61 грн
1000+ 76.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
SUD50P04-09L-E3 SUD50P04-09L-E3 Виробник : Vishay Semiconductors sud50p04.pdf MOSFETs 40V 50A 136W 9.4mohm @ 10V
на замовлення 5528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+190.61 грн
10+ 158.3 грн
100+ 109.84 грн
500+ 93.16 грн
1000+ 78.56 грн
4000+ 72.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
SUD50P04-09L-E3 SUD50P04-09L-E3 Виробник : VISHAY sud50p04.pdf Description: VISHAY - SUD50P04-09L-E3 - MOSFET, P CHANNEL, -40V, -50A, TO-252-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 5846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+222.27 грн
10+ 191.85 грн
25+ 179.38 грн
50+ 154.98 грн
100+ 131.69 грн
250+ 123.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
SUD50P04-09L-E3
Код товару: 167710 		sud50p04.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
SUD50P04-09L-E3 SUD50P04-09L-E3 Виробник : Vishay sud50p04.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній
SUD50P04-09L-E3 SUD50P04-09L-E3 Виробник : Vishay sud50p04.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній
SUD50P04-09L-E3 SUD50P04-09L-E3 Виробник : Vishay sud50p04.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній
SUD50P04-09L-E3 SUD50P04-09L-E3 Виробник : VISHAY sud50p04.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -50A; Idm: -100A; 136W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SUD50P04-09L-E3 SUD50P04-09L-E3 Виробник : VISHAY sud50p04.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -50A; Idm: -100A; 136W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній