SUD40151EL-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 42A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 20 V
на замовлення 2329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 126.65 грн |
| 10+ | 101.12 грн |
| 100+ | 80.54 грн |
| 500+ | 63.95 грн |
| 1000+ | 54.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUD40151EL-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 42A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 17.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 20 V.
Інші пропозиції SUD40151EL-GE3 за ціною від 55.06 грн до 137.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUD40151EL-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs TO-252 |
на замовлення 66617 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SUD40151EL-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 42A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SUD40151EL-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 42A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SUD40151EL-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 42A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SUD40151EL-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -42A; Idm: -100A Polarisation: unipolar Case: DPAK; TO252 Gate charge: 112nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -100A Mounting: SMD Drain-source voltage: -40V Drain current: -42A On-state resistance: 17.5mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 50W Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
SUD40151EL-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 42A TO252AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 17.5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 20 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SUD40151EL-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -42A; Idm: -100A Polarisation: unipolar Case: DPAK; TO252 Gate charge: 112nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -100A Mounting: SMD Drain-source voltage: -40V Drain current: -42A On-state resistance: 17.5mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 50W Kind of package: reel; tape |
товар відсутній |