на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 109.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUD19N20-90-E3 Vishay
Description: VISHAY - SUD19N20-90-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.09 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SUD19N20-90-E3 за ціною від 76.43 грн до 245.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SUD19N20-90-E3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 1450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SUD19N20-90-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUD19N20-90-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.09 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 5298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SUD19N20-90-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 1450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SUD19N20-90-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 200V N-CH (D-S) 175 DEG.C |
на замовлення 2030 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SUD19N20-90-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V |
на замовлення 788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SUD19N20-90-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUD19N20-90-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.09 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 5298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SUD19N20-90-E3 Код товару: 154670 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
SUD19N20-90-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SUD19N20-90-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
SUD19N20-90-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 136W; DPAK,TO252 Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A On-state resistance: 90mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 136W Polarisation: unipolar Gate charge: 34nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SUD19N20-90-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SUD19N20-90-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 136W; DPAK,TO252 Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A On-state resistance: 90mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 136W Polarisation: unipolar Gate charge: 34nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
товар відсутній |