Продукція > SQ3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V

на замовлення 8263 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	52.51 грн
10+	44.08 грн
100+	30.55 грн
500+	23.95 грн
1000+	20.39 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ3410EV-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3410EV-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 6-Pin TSOP T/R

товар відсутній

SQ3410EV-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V

на замовлення 5780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	52.51 грн
10+	44.08 грн
100+	30.55 грн
500+	23.95 грн
1000+	20.39 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ3410EV-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 6-Pin TSOP

товар відсутній

SQ3410EV-T1_GE3

MOSFET 30V 8A 5W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 18657 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	57.4 грн
10+	49.99 грн
100+	29.63 грн
500+	24.78 грн
1000+	21.08 грн
3000+	18.48 грн
6000+	17.75 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ3410EV-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 6-Pin TSOP T/R

товар відсутній

SQ3410EV-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3418AEEV-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQ3418AEEV-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 40V (D-S)

на замовлення 36100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.99 грн
10+	56.49 грн
100+	38.18 грн
500+	32.39 грн
1000+	26.45 грн
3000+	24.78 грн
6000+	23.62 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ3418AEEV-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2969 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	64.27 грн
10+	50.64 грн
100+	39.36 грн
500+	31.31 грн
1000+	25.51 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ3418AEEV-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3418AEEV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3418AEEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.026 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 6500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	85.34 грн
13+	67.05 грн
100+	52.1 грн
500+	41.36 грн
1000+	31.77 грн
3000+	25.36 грн
6000+	24.8 грн

Мінімальне замовлення: 10

SQ3418AEEV-T1_GE3

на замовлення 6500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	52.1 грн
500+	41.36 грн
1000+	31.77 грн
3000+	25.36 грн
6000+	24.8 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ3418AEEV-T1_GE3

MOSFET N-Chnl 40-V (D-S) AEC-Q101 Qualified

на замовлення 7123 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	52.66 грн
10+	43.91 грн
100+	31.23 грн
500+	28.33 грн
1000+	25.36 грн
3000+	23.76 грн
6000+	23.47 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3418EEV-T1-GE3

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQ3418EEV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP

товар відсутній

SQ3418EEV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP

товар відсутній

SQ3418EEV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP

товар відсутній

SQ3418EV-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.61 грн
6000+	16.07 грн
9000+	14.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3418EV-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 32830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.24 грн
10+	38.64 грн
100+	26.78 грн
500+	21 грн
1000+	17.87 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3418EV-T1_GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.7 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3418EV-T1_GE3

MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 54636 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	51.9 грн
10+	44.99 грн
100+	26.66 грн
500+	22.32 грн
1000+	18.98 грн
3000+	16.08 грн
6000+	15.72 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3418EV-T1_GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 35349 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.92 грн
11+	27.92 грн
100+	19.32 грн
500+	15.15 грн
1000+	14.19 грн

Мінімальне замовлення: 10

SQ3419AEEV-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 59940 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	52.66 грн
10+	45.33 грн
100+	27.31 грн
500+	22.82 грн
1000+	18.11 грн
3000+	15.65 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3419AEEV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 6.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6551 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	48.59 грн
10+	40.76 грн
100+	28.23 грн
500+	22.13 грн
1000+	18.83 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3419AEEV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 6.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4329 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.56 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3419AEEV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3419AEEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.9 A, 0.048 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 5561 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	50.8 грн
19+	44.22 грн
100+	34.06 грн
500+	26.72 грн
1000+	21.18 грн
3000+	20.76 грн

Мінімальне замовлення: 16

SQ3419AEEV-T1_GE3

MOSFET -40V Vds TSOP-6 AEC-Q101 Qualified

на замовлення 28863 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	52.66 грн
10+	44.41 грн
100+	27.31 грн
500+	22.82 грн
1000+	19.42 грн
3000+	17.24 грн
6000+	16.3 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3419AEEV-T1_GE3

Automotive P-Channel 60 V D-S 175 Degree C Mosfet

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.08 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3419CEV-T1_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 1264 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	39.31 грн
10+	33.91 грн
100+	22.03 грн
500+	17.32 грн
1000+	13.33 грн
3000+	12.17 грн
9000+	10.65 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQ3419EEV-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP

на замовлення 3419 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ3419EEV-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 7.4A Automotive 6-Pin TSOP T/R

товар відсутній

SQ3419EEV-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP

на замовлення 3419 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ3419EEV-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP

товар відсутній

SQ3419EV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9835 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.02 грн
10+	39.47 грн
100+	27.34 грн
500+	21.43 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3419EV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.98 грн
6000+	16.4 грн
9000+	15.18 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3419EV-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive 6-Pin TSOP T/R

товар відсутній

SQ3419EV-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 40V (D-S)

на замовлення 33971 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	51.9 грн
10+	44.33 грн
100+	26.66 грн
500+	22.32 грн
1000+	18.98 грн
3000+	16.59 грн
6000+	15.72 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3419EV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.62 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3419EV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3419EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.9 A, 0.048 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 10001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	55.59 грн
18+	46.82 грн
100+	31.45 грн
500+	23.7 грн
1000+	16.58 грн
5000+	14.98 грн

Мінімальне замовлення: 15

SQ3419EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5725 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.81 грн
10+	39.85 грн
100+	27.59 грн
500+	21.63 грн
1000+	18.41 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3419EV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 358 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ3419EV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R

товар відсутній

SQ3419EV-T1_GE3

MOSFET P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 72603 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	46.41 грн
10+	44.33 грн
100+	26.66 грн
500+	22.32 грн
1000+	18.98 грн
3000+	16.88 грн
6000+	16.01 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ3419EV-T1_GE3

товар відсутній

SQ3419EV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 2890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

341+	36.14 грн

Мінімальне замовлення: 341

SQ3419EV-T1_GE3

на замовлення 10001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.45 грн
500+	23.7 грн
1000+	16.58 грн
5000+	14.98 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ3419EV-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -6.9A; Idm: -27A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -6.9A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.6W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SQ3419EV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 358 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	28.64 грн
23+	26.92 грн
25+	26.3 грн
100+	21.91 грн
250+	15.17 грн

Мінімальне замовлення: 22

SQ3419EV-T1_GE3

товар відсутній

SQ3419EV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.57 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3425EV-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 20V (D-S)

на замовлення 5210 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	51.9 грн
10+	44.33 грн
100+	26.66 грн
500+	22.32 грн
1000+	18.98 грн
3000+	16.88 грн
6000+	15.94 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3425EV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 20V 7.4A 6-TSOP

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	52.51 грн
10+	44.53 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ3425EV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 20V 7.4A 6-TSOP

товар відсутній

SQ3425EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP

на замовлення 2999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.65 грн
10+	46.79 грн
100+	35.87 грн
500+	26.61 грн
1000+	21.29 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ3425EV-T1_GE3

MOSFET P Ch -20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2509 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.55 грн
10+	53.74 грн
100+	35.86 грн
500+	28.33 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ3425EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP

товар відсутній

SQ3426AEEV-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 60V 7A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

SQ3426AEEV-T1_BE3

MOSFETs N-CHANNEL 60V (D-S)

на замовлення 41425 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.28 грн
10+	38.16 грн
100+	25.14 грн
500+	22.24 грн
1000+	19.42 грн
3000+	17.53 грн
6000+	16.3 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ3426AEEV-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9982 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	48.59 грн
10+	40.76 грн
100+	28.23 грн
500+	22.13 грн
1000+	18.83 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3426AEEV-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 7A 6-Pin TSOP Automotive AEC-Q101

на замовлення 7716 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	26.2 грн
25+	24.44 грн
100+	20.97 грн
250+	19.06 грн
500+	16.71 грн
1000+	15.62 грн
3000+	15.26 грн
6000+	14.9 грн

Мінімальне замовлення: 24

SQ3426AEEV-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 7A; Idm: 29A; 5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 29A
Power dissipation: 5W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 71mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

SQ3426AEEV-T1_GE3

товар відсутній

SQ3426AEEV-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive 6-Pin TSOP

товар відсутній

SQ3426AEEV-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 7A 6-Pin TSOP Automotive AEC-Q101

на замовлення 7716 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

467+	26.32 грн
525+	23.42 грн
535+	22.99 грн
586+	20.25 грн
1000+	17.52 грн
3000+	16.43 грн
6000+	16.05 грн

Мінімальне замовлення: 467

SQ3426AEEV-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.56 грн
6000+	16.93 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3426AEEV-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 7A 6-Pin TSOP Automotive AEC-Q101

товар відсутній

SQ3426AEEV-T1_GE3

MOSFETs 60V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 17859 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	45.56 грн
10+	44.83 грн
100+	26.95 грн
500+	22.03 грн
1000+	19.42 грн
3000+	17.53 грн
6000+	17.1 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ3426CEEV-T1-BE3

MOSFETs 60V N-CHANNEL (D-S)

товар відсутній

SQ3426CEEV-T1-GE3

MOSFETs 60V N-CHANNEL (D-S)

товар відсутній

SQ3426CEEV-T1/GE3

MOSFETs

товар відсутній

SQ3426CEEV-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2205 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	38.55 грн
11+	33.16 грн
100+	21.59 грн
500+	16.88 грн
1000+	13.04 грн
3000+	11.95 грн
9000+	10.36 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQ3426CEV-T1-BE3

MOSFETs N-CHAN 60-V(D-S)175C MOSFET

товар відсутній

SQ3426CEV-T1-GE3

MOSFETs N-CHAN 60-V(D-S)175C MOSFET

товар відсутній

SQ3426CEV-T1/GE3

MOSFETs

товар відсутній

SQ3426CEV-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 7A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

SQ3426CEV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3426CEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.034 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 1615 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	46.82 грн
21+	39.09 грн
100+	26.25 грн
500+	19.17 грн
1000+	11.91 грн

Мінімальне замовлення: 18

SQ3426CEV-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQ3426CEV-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 7A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ3426CEV-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 7A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

43+	14.48 грн
44+	14.04 грн

Мінімальне замовлення: 43

SQ3426CEV-T1_GE3

MOSFETs Automotive N-Channel 60V 175C MOSFET 42mO 10V, 63mO 4.5V

на замовлення 20813 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	41.67 грн
10+	35.24 грн
100+	21.37 грн
500+	16.66 грн
1000+	13.55 грн
3000+	12.68 грн
9000+	11.09 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQ3426CEV-T1_GE3

на замовлення 1615 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.25 грн
500+	19.17 грн
1000+	11.91 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ3426CEV-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	37.62 грн
10+	30.87 грн
100+	21.43 грн
500+	15.7 грн
1000+	12.76 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQ3426CEV-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 7A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

SQ3426EEV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP

товар відсутній

SQ3426EEV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP

товар відсутній

SQ3426EEV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ3426EEV-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive 6-Pin TSOP T/R

товар відсутній

SQ3426EV-T1"GE3

Description: VISHAY - SQ3426EV-T1"GE3 - N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET 26AK9939

товар відсутній

SQ3426EV-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 60V (D-S)

на замовлення 224712 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	58.16 грн
10+	49.83 грн
100+	30.07 грн
500+	25.14 грн
1000+	21.37 грн
3000+	18.69 грн
6000+	17.32 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ3426EV-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 60V 7A 6-Pin TSOP T/R

товар відсутній

SQ3426EV-T1_BE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 30 V

товар відсутній

SQ3426EV-T1_BE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 30 V

на замовлення 1713 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.43 грн
10+	48.08 грн
100+	36.86 грн
500+	27.34 грн
1000+	21.87 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ3426EV-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 7A; Idm: 29A; 5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 29A
Power dissipation: 5W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 71mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 2228 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	60.15 грн
10+	38.04 грн
25+	33.66 грн
31+	29.06 грн
83+	27.47 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3426EV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3426EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.032 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 50770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	47.47 грн
50+	39.5 грн
100+	31.54 грн
500+	20.68 грн
1500+	18.74 грн

Мінімальне замовлення: 18

SQ3426EV-T1_GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 41534 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	54.08 грн
10+	45.43 грн
100+	31.47 грн
500+	24.68 грн
1000+	21 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ3426EV-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

390+	31.53 грн
392+	31.38 грн
456+	26.95 грн
459+	25.83 грн
597+	18.38 грн

Мінімальне замовлення: 390

SQ3426EV-T1_GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.7 грн
6000+	18.88 грн
9000+	17.49 грн
30000+	16.25 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3426EV-T1_GE3

на замовлення 50770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.54 грн
500+	20.68 грн
1500+	18.74 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ3426EV-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	30.86 грн
21+	29.42 грн
25+	29.27 грн
50+	28.1 грн
100+	22.35 грн
250+	21.32 грн
500+	16.39 грн

Мінімальне замовлення: 20

SQ3426EV-T1_GE3

MOSFET N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 59981 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	58.16 грн
10+	49.83 грн
100+	30.07 грн
500+	25.14 грн
1000+	21.37 грн
3000+	18.98 грн
6000+	17.9 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ3426EV-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive 6-Pin TSOP T/R

товар відсутній

SQ3426EV-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 7A; Idm: 29A; 5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 29A
Power dissipation: 5W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 71mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2228 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

5+	72.17 грн
6+	47.4 грн
25+	40.39 грн
31+	34.87 грн
83+	32.97 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ3427AEEV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8043 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	54.08 грн
10+	45.28 грн
100+	31.36 грн
500+	24.59 грн
1000+	20.93 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ3427AEEV-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 60V (D-S)

на замовлення 144620 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	47.93 грн
10+	42.33 грн
100+	27.89 грн
500+	24.71 грн
1000+	21.59 грн
3000+	19.2 грн
6000+	18.11 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ3427AEEV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.62 грн
6000+	18.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3427AEEV-T1_GE3

MOSFETs -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 602761 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59 грн
10+	48.49 грн
100+	30.36 грн
500+	25.36 грн
1000+	21.59 грн
3000+	18.4 грн
6000+	17.82 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ3427AEEV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3427AEEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.079 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 19199 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	53.16 грн
50+	43.65 грн
100+	34.14 грн
500+	22.57 грн
1500+	20.55 грн

Мінімальне замовлення: 16

SQ3427AEEV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 17603 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	52.51 грн
10+	44.08 грн
100+	30.51 грн
500+	23.92 грн
1000+	20.36 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ3427AEEV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 5.3A Automotive 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 170 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ3427AEEV-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5.3A; Idm: -21A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.3A
Pulsed drain current: -21A
Power dissipation: 1.6W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 178mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SQ3427AEEV-T1_GE3

товар відсутній

SQ3427AEEV-T1_GE3

на замовлення 19199 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	34.14 грн
500+	22.57 грн
1500+	20.55 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ3427AEEV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.06 грн
6000+	18.3 грн
9000+	16.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3427CEV-T1_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 1598 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	39.31 грн
10+	33.83 грн
100+	21.95 грн
500+	17.24 грн
1000+	13.33 грн
3000+	12.1 грн
9000+	10.58 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQ3427EEV-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP

товар відсутній

SQ3427EEV-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP

товар відсутній

SQ3427EEV-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP

товар відсутній

SQ3427EV-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 60V (D-S)

на замовлення 111921 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	51.9 грн
10+	44.99 грн
100+	26.66 грн
500+	22.32 грн
1000+	18.98 грн
3000+	16.01 грн
6000+	15.43 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3427EV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP

товар відсутній

SQ3427EV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP

товар відсутній

SQ3427EV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3427EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.079 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 12072 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	30.07 грн
500+	19.85 грн
1500+	17.97 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ3427EV-T1_GE3

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.14 грн
6000+	16.55 грн
9000+	15.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3427EV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 5.3A Automotive 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.57 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3427EV-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5.3A; Idm: -21A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.3A
Pulsed drain current: -21A
Power dissipation: 5W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 178mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2624 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

5+	66.32 грн
7+	42.13 грн
25+	36.59 грн
37+	29.34 грн
100+	27.71 грн
3000+	27.08 грн
12000+	26.72 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ3427EV-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5.3A; Idm: -21A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.3A
Pulsed drain current: -21A
Power dissipation: 5W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 178mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 2624 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	55.27 грн
12+	33.81 грн
25+	30.49 грн
37+	24.45 грн
100+	23.09 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ3427EV-T1_GE3

на замовлення 12072 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	46.73 грн
50+	38.44 грн
100+	30.07 грн
500+	19.85 грн
1500+	17.97 грн

Мінімальне замовлення: 18

SQ3427EV-T1_GE3

на замовлення 17440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.81 грн
10+	39.85 грн
100+	27.59 грн
500+	21.63 грн
1000+	18.41 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3427EV-T1_GE3

MOSFETs P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 443407 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	51.9 грн
10+	44.99 грн
100+	26.66 грн
500+	22.32 грн
1000+	18.98 грн
3000+	16.23 грн
6000+	15.58 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3442EV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A 6TSOP

товар відсутній

SQ3442EV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A 6TSOP

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ3442EV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A 6TSOP

товар відсутній

SQ3456BEV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ3456BEV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP

товар відсутній

SQ3456BEV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ3456BEV-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	57.21 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ3456BEV-T1_GE3

MOSFET 30V 7.8A 4W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2199 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQ3456BEV-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP

товар відсутній

SQ3456CEV

Trans MOSFET N-CH 30V 7.8A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	17.46 грн
38+	16.29 грн
50+	15.18 грн

Мінімальне замовлення: 35

SQ3456CEV

Trans MOSFET N-CH 30V 7.8A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ3456CEV-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V

на замовлення 3050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.54 грн
10+	34.49 грн
100+	25.74 грн
500+	18.98 грн
1000+	14.67 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ3456CEV-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.8 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3456CEV-T1_GE3

MOSFET Automotive N-Channel 30V 175C MOSFET 35mO 10V, 52mO 4.5V

на замовлення 5759 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	40.07 грн
10+	34.08 грн
100+	22.1 грн
500+	17.39 грн
1000+	13.91 грн
3000+	11.74 грн
9000+	10.65 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQ3456EV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH D-S 30V 6TSOP

товар відсутній

SQ3457EV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	57.21 грн
10+	48.38 грн
100+	37.11 грн
500+	27.53 грн
1000+	22.03 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ3457EV-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 30V (D-S)

на замовлення 5823 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	42.43 грн
10+	37.24 грн
100+	24.56 грн
500+	21.74 грн
1000+	18.98 грн
3000+	16.52 грн
6000+	15.94 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ3457EV-T1_BE3

SQ3457EV-T1-BE3 SMD P channel transistors

товар відсутній

SQ3457EV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.85 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3457EV-T1_GE3

MOSFETs P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 203308 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	36.94 грн
11+	32.25 грн
100+	21.52 грн
500+	19.06 грн
1000+	17.24 грн
3000+	16.01 грн
6000+	15.65 грн

Мінімальне замовлення: 10

SQ3457EV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3457EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.035 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 17353 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	25.44 грн
500+	18.42 грн
1500+	16.65 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ3457EV-T1_GE3

SQ3457EV-T1-GE3 SMD P channel transistors

товар відсутній

SQ3457EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 14952 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.81 грн
10+	39.85 грн
100+	27.59 грн
500+	21.63 грн
1000+	18.41 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3457EV-T1_GE3

на замовлення 17353 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	38.53 грн
50+	32.02 грн
100+	25.44 грн
500+	18.42 грн
1500+	16.65 грн

Мінімальне замовлення: 22

SQ3457EV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A Automotive 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.57 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3457EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.14 грн
6000+	16.55 грн
9000+	15.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3460EV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP

на замовлення 541 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ3460EV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP

товар відсутній

SQ3460EV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP

на замовлення 541 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ3460EV-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 8A Automotive 6-Pin TSOP T/R

товар відсутній

SQ3460EV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3460EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 8 A, 0.025 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	49.17 грн
500+	38.26 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ3460EV-T1_GE3

MOSFET 20V 8A 3.6W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 394 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.01 грн
10+	64.74 грн
100+	43.83 грн
500+	36.73 грн
1000+	29.49 грн
3000+	27.97 грн
6000+	26.52 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ3460EV-T1_GE3

на замовлення 970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	84.53 грн
12+	68.35 грн
100+	49.17 грн
500+	38.26 грн

Мінімальне замовлення: 10

SQ3461EV-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 47953 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.52 грн
10+	52.58 грн
100+	31.15 грн
500+	26.01 грн
1000+	22.17 грн
3000+	19.42 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ3461EV-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V

товар відсутній

SQ3461EV-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V

товар відсутній

SQ3461EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.1 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3461EV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 8A Automotive 6-Pin TSOP T/R

товар відсутній

SQ3461EV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 8A Automotive 6-Pin TSOP T/R

товар відсутній

SQ3461EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5915 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.65 грн
10+	46.34 грн
100+	32.08 грн
500+	25.15 грн
1000+	21.41 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ3461EV-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6.6A; 1.67W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -6.6A
Power dissipation: 1.67W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SQ3461EV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 8A Automotive 6-Pin TSOP T/R

товар відсутній

SQ3461EV-T1_GE3

товар відсутній

SQ3461EV-T1_GE3

MOSFET P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 16631 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.52 грн
10+	51.66 грн
100+	31.15 грн
500+	26.01 грн
1000+	22.17 грн
3000+	19.71 грн
6000+	18.62 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ3469EV-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 8A TSOP-6

товар відсутній

SQ3469EV-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SQ3469EV-T1_GE3

товар відсутній

SQ3469EV-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V

на замовлення 8606 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	30.57 грн
12+	25.43 грн
100+	17.57 грн
500+	13.78 грн
1000+	12.9 грн

Мінімальне замовлення: 11

SQ3469EV-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.28 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3469EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V

товар відсутній

SQ3469EV-T1_GE3

MOSFET 20V 8A 5W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	51.9 грн
10+	44.99 грн
100+	26.66 грн
500+	22.32 грн
1000+	18.98 грн
3000+	16.59 грн
6000+	15.72 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3469EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V

на замовлення 2013 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.02 грн
10+	39.32 грн
100+	27.24 грн
500+	21.36 грн
1000+	18.18 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3481CEV-T1_GE3

MOSFETs

на замовлення 2480 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	36.94 грн
11+	31.5 грн
100+	20.43 грн
500+	16.01 грн
1000+	12.39 грн
2500+	11.23 грн
10000+	9.85 грн

Мінімальне замовлення: 10

SQ3481EV-T1-GE3

MOSFET P-Channel 30V Automotive MOSFET

на замовлення 1350 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQ3481EV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP

товар відсутній

SQ3481EV-T1_BE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -30A
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 4W
Polarisation: unipolar
Drain current: -7.5A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 23.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A

товар відсутній

SQ3481EV-T1_BE3

товар відсутній

SQ3481EV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP

товар відсутній

SQ3481EV-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 30V (D-S)

на замовлення 50521 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	51.9 грн
10+	44.99 грн
100+	26.66 грн
500+	22.32 грн
1000+	18.98 грн
3000+	16.08 грн
6000+	15.94 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3481EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP

товар відсутній

SQ3481EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP

товар відсутній

SQ3481EV-T1_GE3

MOSFETs P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 43268 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	51.9 грн
10+	44.33 грн
100+	26.66 грн
500+	22.32 грн
1000+	18.98 грн
3000+	16.88 грн
6000+	15.94 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3493EV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3493EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.016 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 11028 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	59.09 грн
17+	49.17 грн
100+	30.8 грн
500+	24 грн
1000+	16.79 грн
5000+	16.3 грн

Мінімальне замовлення: 14

SQ3493EV-T1_GE3

SQ3493EV-T1-GE3 SMD P channel transistors

товар відсутній

SQ3493EV-T1_GE3

MOSFET P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2168 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	51.9 грн
10+	45.41 грн
100+	26.88 грн
500+	22.53 грн
1000+	19.13 грн
3000+	17.32 грн
6000+	16.08 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3493EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3373 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	48.59 грн
10+	40.15 грн
100+	27.77 грн
500+	21.78 грн
1000+	18.53 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3493EV-T1_GE3

на замовлення 11028 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	30.8 грн
500+	24 грн
1000+	16.79 грн
5000+	16.3 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ3493EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3495EV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3495EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.017 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm

на замовлення 2261 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	57.95 грн
17+	48.2 грн
100+	30.24 грн
500+	23.55 грн
1000+	16.23 грн

Мінімальне замовлення: 15

SQ3495EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15203 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.92 грн
11+	27.55 грн
100+	19.06 грн
500+	14.94 грн
1000+	14 грн

Мінімальне замовлення: 10

SQ3495EV-T1_GE3

MOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 14176 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	36.94 грн
11+	31.5 грн
100+	18.98 грн
500+	15.87 грн
1000+	15.43 грн

Мінімальне замовлення: 10

SQ3495EV-T1_GE3

на замовлення 2261 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	30.24 грн
500+	23.55 грн
1000+	16.23 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ3495EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3585EV-T1_GE3

Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.57A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.57A (Tc), 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 1A, 4.5V, 166mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V, 3.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	118.52 грн
6000+	110.73 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3585EV-T1_GE3

MOSFETs N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 6610 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	275.56 грн
10+	235.8 грн
25+	194.17 грн
100+	167.37 грн
250+	158.67 грн
500+	145.63 грн
1000+	123.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQ3585EV-T1_GE3

Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.57A/2.5A Automotive 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.03 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3585EV-T1_GE3

Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.57A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.57A (Tc), 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 1A, 4.5V, 166mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V, 3.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	337.8 грн
10+	216.68 грн
25+	188.35 грн
100+	146.94 грн
250+	132.45 грн
500+	123.62 грн
1000+	114.37 грн

SQ3985EV-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 20V (D-S)

на замовлення 11807 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	51.9 грн
10+	44.33 грн
100+	26.66 грн
500+	22.32 грн
1000+	18.98 грн
3000+	16.3 грн
6000+	15.72 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3985EV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 3.9A Automotive 6-Pin TSOP

товар відсутній

SQ3985EV-T1_GE3

MOSFETs P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 128218 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	42.43 грн
10+	37.24 грн
100+	24.56 грн
500+	21.74 грн
1000+	18.98 грн
3000+	16.45 грн
6000+	15.72 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ3985EV-T1_GE3

на замовлення 2965 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQ3987EV-T1_GE3

MOSFET Dual P-Ch -30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 66742 шт:

термін постачання 551-560 дні (днів)

7+	54.94 грн
10+	47.91 грн
100+	31.95 грн
500+	25.29 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3987EV-T1_GE3
Код товару: 174743

Транзистори > Польові P-канальні

товар відсутній

SQ3987EV-T1_GE3

Description: MOSFET 2P-CH 30V 3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.5 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3987EV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3987EV-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3 A, 3 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.67W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.67W
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 7888 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	54.62 грн
18+	46.73 грн
100+	32.43 грн
500+	23.77 грн
1000+	21.46 грн
3000+	21.04 грн
6000+	20.55 грн

Мінімальне замовлення: 15

SQ3987EV-T1_GE3

DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.57 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3987EV-T1_GE3

DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

товар відсутній

SQ3987EV-T1_GE3

Description: MOSFET 2P-CH 30V 3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7092 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.11 грн
10+	36.23 грн
100+	25.09 грн
500+	19.67 грн
1000+	16.74 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ3987EV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3987EV-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3 A, 3 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.67W
euEccn: NLR
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.67W
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 7888 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	32.43 грн
500+	23.77 грн
1000+	21.46 грн
3000+	21.04 грн
6000+	20.55 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ3989EV-T1_BE3

Description: DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active

товар відсутній

SQ3989EV-T1_BE3

Description: DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active

товар відсутній

SQ3989EV-T1_GE3

Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 46483 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.97 грн
10+	33.21 грн
100+	23.11 грн
500+	16.93 грн
1000+	13.76 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ3989EV-T1_GE3

Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.61 грн
6000+	12.44 грн
9000+	11.55 грн
30000+	10.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3989EV-T1_GE3