Продукція > VISHAY > SQ3493EV-T1_GE3
SQ3493EV-T1_GE3

SQ3493EV-T1_GE3 VISHAY

3098121.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ3493EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.016 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 11028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+29.88 грн
500+ 23.28 грн
1000+ 16.29 грн
5000+ 15.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ3493EV-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQ3493EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.016 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SQ3493EV-T1_GE3 за ціною від 15.6 грн до 57.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQ3493EV-T1_GE3 SQ3493EV-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix doc?77089 MOSFET P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+50.35 грн
10+ 44.05 грн
100+ 26.08 грн
500+ 21.86 грн
1000+ 18.56 грн
3000+ 16.8 грн
6000+ 15.6 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQ3493EV-T1_GE3 SQ3493EV-T1_GE3 Виробник : VISHAY 3098121.pdf Description: VISHAY - SQ3493EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.016 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 11028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+57.32 грн
17+ 47.7 грн
100+ 29.88 грн
500+ 23.28 грн
1000+ 16.29 грн
5000+ 15.81 грн
Мінімальне замовлення: 14
SQ3493EV-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix doc?77089 Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+18.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQ3493EV-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix doc?77089 Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 10 V
на замовлення 5994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+48.66 грн
10+ 40.12 грн
100+ 27.78 грн
500+ 21.78 грн
1000+ 18.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQ3493EV-T1_GE3 Виробник : VISHAY doc?77089 SQ3493EV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товар відсутній