Продукція > VISHAY > SQ3460EV-T1_GE3
SQ3460EV-T1_GE3

SQ3460EV-T1_GE3 VISHAY

VISH-S-A0001225350-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ3460EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 8 A, 0.025 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+48.17 грн
500+ 37.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ3460EV-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQ3460EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 8 A, 0.025 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.6W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SQ3460EV-T1_GE3 за ціною від 25.19 грн до 82.8 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQ3460EV-T1_GE3 SQ3460EV-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors MOSFETs 20V 8A 3.6W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 3054 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+75.43 грн
10+ 59.42 грн
100+ 41.09 грн
500+ 33.64 грн
1000+ 28.39 грн
3000+ 25.83 грн
6000+ 25.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
SQ3460EV-T1_GE3 SQ3460EV-T1_GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001225350-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQ3460EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 8 A, 0.025 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+82.8 грн
12+ 66.96 грн
100+ 48.17 грн
500+ 37.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
SQ3460EV-T1-GE3 SQ3460EV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq3460ev.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SQ3460EV-T1-GE3 SQ3460EV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq3460ev.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SQ3460EV-T1_GE3 SQ3460EV-T1_GE3 Виробник : Vishay sq3460ev.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 8A Automotive 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
SQ3460EV-T1-GE3 SQ3460EV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq3460ev.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
товару немає в наявності