на замовлення 50541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 50.35 грн |
| 10+ | 43.65 грн |
| 100+ | 25.87 грн |
| 500+ | 21.65 грн |
| 1000+ | 18.41 грн |
| 3000+ | 16.03 грн |
| 6000+ | 15.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ3481EV-T1_BE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -30A, Case: TSOP6, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Type of transistor: P-MOSFET, On-state resistance: 70mΩ, Power dissipation: 4W, Polarisation: unipolar, Drain current: -7.5A, Drain-source voltage: -30V, Gate charge: 23.5nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: -30A, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SQ3481EV-T1_BE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SQ3481EV-T1_BE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -30A Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: P-MOSFET On-state resistance: 70mΩ Power dissipation: 4W Polarisation: unipolar Drain current: -7.5A Drain-source voltage: -30V Gate charge: 23.5nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -30A кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||
 |
SQ3481EV-T1_BE3 | Виробник : Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP |
товар відсутній |
|
|
|
SQ3481EV-T1_BE3 | Виробник : Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP |
товар відсутній |
|
| SQ3481EV-T1_BE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -30A Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: P-MOSFET On-state resistance: 70mΩ Power dissipation: 4W Polarisation: unipolar Drain current: -7.5A Drain-source voltage: -30V Gate charge: 23.5nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -30A |
товар відсутній |