Продукція > VISHAY > SQ3426CEV-T1_GE3
SQ3426CEV-T1_GE3

SQ3426CEV-T1_GE3 VISHAY

sq3426cev.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ3426CEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.034 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+25.19 грн
500+ 18.39 грн
1000+ 11.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ3426CEV-T1_GE3 VISHAY

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S), Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQ3426CEV-T1_GE3 за ціною від 10.64 грн до 44.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQ3426CEV-T1_GE3 SQ3426CEV-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq3426cev.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+36.85 грн
10+ 30.42 грн
100+ 21.15 грн
500+ 15.49 грн
1000+ 12.59 грн
Мінімальне замовлення: 9
SQ3426CEV-T1_GE3 SQ3426CEV-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sq3426cev.pdf MOSFETs Automotive N-Channel 60V 175C MOSFET 42mO 10V, 63mO 4.5V
на замовлення 20813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+39.99 грн
10+ 33.82 грн
100+ 20.51 грн
500+ 15.99 грн
1000+ 13 грн
3000+ 12.17 грн
9000+ 10.64 грн
Мінімальне замовлення: 9
SQ3426CEV-T1_GE3 SQ3426CEV-T1_GE3 Виробник : VISHAY sq3426cev.pdf Description: VISHAY - SQ3426CEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.034 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+44.92 грн
21+ 37.51 грн
100+ 25.19 грн
500+ 18.39 грн
1000+ 11.43 грн
Мінімальне замовлення: 18
SQ3426CEV-T1_GE3 Виробник : Vishay sq3426cev.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
43+14.21 грн
44+ 13.77 грн
Мінімальне замовлення: 43
SQ3426CEV-T1_GE3 Виробник : Vishay sq3426cev.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SQ3426CEV-T1_GE3 Виробник : Vishay sq3426cev.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
SQ3426CEV-T1_GE3 SQ3426CEV-T1_GE3 Виробник : Vishay sq3426cev.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
SQ3426CEV-T1_GE3 SQ3426CEV-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq3426cev.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
SQ3426CEV-T1-GE3 Виробник : Vishay MOSFETs N-CHAN 60-V(D-S)175C MOSFET
товар відсутній
SQ3426CEV-T1/GE3 Виробник : Vishay MOSFETs
товар відсутній