Продукція > SQ2

MOSFET RECOMMENDED ALT SQ2301ES-T1_GE3

товар відсутній

SQ2301ES-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 3.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2301ES-T1-GE3

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQ2301ES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7725 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	36.49 грн
10+	30.09 грн
100+	20.92 грн
500+	15.33 грн
1000+	12.46 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQ2301ES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2301ES-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 20V (D-S)

на замовлення 28087 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	38.87 грн
10+	32.98 грн
100+	20.03 грн
500+	15.6 грн
1000+	12.65 грн
3000+	10.75 грн
9000+	10.33 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQ2301ES-T1_BE3

SQ2301ES-T1_BE3

товар відсутній

SQ2301ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236 (SOT-23)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	36.49 грн
10+	30.09 грн
100+	20.92 грн
500+	15.33 грн
1000+	12.46 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQ2301ES-T1_GE3

MOSFET P-Channel 20V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 23957 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	38.87 грн
11+	31.77 грн
100+	20.03 грн
500+	15.6 грн
1000+	12.65 грн
3000+	10.75 грн
9000+	9.91 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQ2301ES-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

7+	40.68 грн
10+	32.3 грн
61+	16.87 грн
166+	15.99 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2301ES-T1_GE3

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	33.9 грн
15+	25.92 грн
61+	14.06 грн
166+	13.32 грн

Мінімальне замовлення: 12

SQ2301ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 3.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2301ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236 (SOT-23)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.32 грн
6000+	11.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2303ES-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2303ES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9406 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	34.97 грн
10+	29.29 грн
100+	20.37 грн
500+	14.92 грн
1000+	12.13 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQ2303ES-T1_BE3

Automotive P-Channel 30 V, 175 degree C MOSFET

товар відсутній

SQ2303ES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12 грн
6000+	10.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2303ES-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 30V (D-S)

на замовлення 93687 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	38.87 грн
10+	32.98 грн
100+	20.03 грн
500+	15.6 грн
1000+	12.65 грн
3000+	10.75 грн
9000+	9.91 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQ2303ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12 грн
6000+	10.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2303ES-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -2.5A; Idm: -10A
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 6.8nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -10A
Case: SOT23
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.5A
On-state resistance: 370mΩ
Type of transistor: P-MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	46.52 грн
21+	18.01 грн
25+	16.11 грн
68+	12.59 грн
187+	11.93 грн
3000+	11.86 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQ2303ES-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2303ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.13 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 8235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	20.66 грн
500+	15.45 грн
1000+	10.34 грн
5000+	9.66 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ2303ES-T1_GE3

MOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 172861 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	32.06 грн
12+	27.4 грн
100+	18.13 грн
500+	14.62 грн
1000+	11.74 грн
3000+	10.75 грн
9000+	9.91 грн

Мінімальне замовлення: 11

SQ2303ES-T1_GE3

на замовлення 8235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	36.11 грн
26+	30.83 грн
100+	20.66 грн
500+	15.45 грн
1000+	10.34 грн
5000+	9.66 грн

Мінімальне замовлення: 22

SQ2303ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	34.97 грн
10+	29.29 грн
100+	20.37 грн
500+	14.92 грн
1000+	12.13 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQ2303ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2303ES-T1_GE3

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

6+	55.82 грн
13+	22.44 грн
25+	19.33 грн
68+	15.11 грн
187+	14.32 грн
3000+	14.23 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ2303P-203NM

Description: PNL ANT SQUINT OMNI N MALE

товар відсутній

SQ2303P12NF

Description: ANT OMNI SQUINT PNL N FEMALE

товар відсутній

SQ2303P36RSM

Description: ANT OMNI SQUINT PNL RP SMA

товар відсутній

SQ2303P36RTN

Description: ANT OMNI SQUINT PNL RP TNC

товар відсутній

SQ2303P72RTN

Description: ANT OMNI SQUINT PNL RP TNC

товар відсутній

SQ2303PNF

Description: ANT OMNI SQUINT PNL N FEMALE

товар відсутній

SQ2308BES-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2308CES
Код товару: 170837

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23-3
Uds,V: 60 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 164/3,5
Монтаж: SMD

у наявності 454 шт:

407 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
30 шт - РАДІОМАГ-Львів
7 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

1+	22 грн
10+	19.8 грн
100+	17.9 грн

SQ2308CES-T1"BE3

Description: VISHAY - SQ2308CES-T1"BE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 2.3A, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 33578 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	52.04 грн
25+	44.94 грн
50+	39.42 грн
100+	30.75 грн
250+	25.68 грн
500+	22.3 грн

Мінімальне замовлення: 16

SQ2308CES-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SQ2308CES-T1_GE3

товар відсутній

SQ2308CES-T1-GE3

Trans Mosfet N-Ch 60V 2.3A Automotive

товар відсутній

SQ2308CES-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A TO236

товар відсутній

SQ2308CES-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

SQ2308CES-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 57000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.13 грн
6000+	13.83 грн
9000+	12.84 грн
30000+	11.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2308CES-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 60V (D-S)

на замовлення 507645 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	48.79 грн
10+	41.22 грн
100+	24.95 грн
500+	19.47 грн
1000+	15.81 грн
3000+	13.35 грн
9000+	12.44 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2308CES-T1_BE3

Automotive N-Channel 60 V, 175 degree C MOSFET

товар відсутній

SQ2308CES-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 60755 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	44.86 грн
10+	36.9 грн
100+	25.68 грн
500+	18.82 грн
1000+	15.3 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2308CES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

293+	41.21 грн

Мінімальне замовлення: 293

SQ2308CES-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 2.3A

на замовлення 1371 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

SQ2308CES-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 31432 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	44.86 грн
10+	37.05 грн
100+	25.77 грн
500+	18.88 грн
1000+	15.35 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2308CES-T1_GE3

MOSFET 60V 2.3A 2watt AEC-Q101 Qualified

на замовлення 17289 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	48.05 грн
10+	40.33 грн
100+	24.95 грн
500+	19.47 грн
1000+	15.6 грн
3000+	13.42 грн
9000+	12.44 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2308CES-T1_GE3

Trans Mosfet N-Ch 60V 2.3A Automotive

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2308CES-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2308CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 41186 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	45.26 грн
50+	37.22 грн
100+	29.09 грн
500+	17.06 грн
1500+	15.41 грн

Мінімальне замовлення: 18

SQ2308CES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.62 грн
30000+	13.6 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2308CES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2308CES-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 2A; Idm: 9A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.325Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1982 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

5+	62.45 грн
9+	32.85 грн
25+	27.59 грн
42+	24.6 грн
114+	23.28 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ2308CES-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.18 грн
6000+	13.88 грн
9000+	12.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2308CES-T1_GE3

на замовлення 1982 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	52.04 грн
14+	26.36 грн
25+	22.99 грн
42+	20.5 грн
114+	19.4 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ2308CES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.75 грн
30000+	14.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2308CES-T1_GE3

на замовлення 41186 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	29.09 грн
500+	17.06 грн
1500+	15.41 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ2308CES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	38.27 грн
17+	35.51 грн
25+	35.18 грн
100+	25.63 грн
250+	22.93 грн
500+	18.23 грн

Мінімальне замовлення: 16

SQ2308ES-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH D-S 60V TO236

товар відсутній

SQ2308ES-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2308FES-T1/GE3

MOSFET

товар відсутній

SQ2308FES-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQ2308FES-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 1489 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	32.8 грн
13+	26.59 грн
100+	15.74 грн
1000+	8.86 грн
3000+	8.08 грн
9000+	7.1 грн
24000+	6.54 грн

Мінімальне замовлення: 10

SQ2309CES-T1_GE3

MOSFETs Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175C MOSFET SOT-23 , 370 mohm a. 10V, 500 mohm a. 4.5V

на замовлення 7544 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	38.13 грн
11+	30.63 грн
100+	18.2 грн
1000+	12.86 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQ2309CES-T1_GE3

P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET EC-Q101 qualified SOT-23-3

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.2 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2309ES

на замовлення 3080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQ2309ES-T1"BE3

Description: VISHAY - SQ2309ES-T1"BE3 - MOSFET, P-CH, 60V, 1.7A, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 4278 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	52.83 грн
25+	44.94 грн
50+	38.63 грн
100+	30.02 грн
250+	25.01 грн
500+	22.3 грн

Мінімальне замовлення: 15

SQ2309ES-T1-GE3

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQ2309ES-T1-GE3 8P..

Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 10V; 1,7A; 336mOhm; 2W; -55°C~175°C; Substitute: SQ2309ES-T1_GE3; SQ2309ES-T1-GE3; SQ2309ES-T1_GE3 VSIG; SQ2309ES-T1_BE3; SQ2309ES-T1_GE3 Vishay TSQ2309es
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

30+	23.49 грн

Мінімальне замовлення: 30

SQ2309ES-T1_BE3

SQ2309ES-T1_BE3

товар відсутній

SQ2309ES-T1_BE3

P-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 1,7 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 265 @ 25; Qg, нКл = 8,5 @ 10 В; Rds = 335 мОм @ 1,25 A, 10 В; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; SOT-23-3

на замовлення 37 шт:

термін постачання 3-4 дні (днів)

14+	46.75 грн
15+	43.63 грн
100+	40.53 грн

Мінімальне замовлення: 14

SQ2309ES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 335mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.18 грн
6000+	13.88 грн
9000+	12.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2309ES-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 60V (D-S)

на замовлення 327668 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	48.79 грн
10+	39.53 грн
100+	24.95 грн
500+	19.47 грн
1000+	15.81 грн
3000+	13.42 грн
9000+	12.44 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2309ES-T1_BE3

Automotive P-Channel MOSFET

товар відсутній

SQ2309ES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 335mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 11633 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	44.86 грн
10+	37.05 грн
100+	25.77 грн
500+	18.88 грн
1000+	15.35 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2309ES-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2309ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 27948 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	57.16 грн
17+	47.07 грн
100+	31.85 грн
500+	23.21 грн
1000+	16.63 грн
3000+	15.14 грн
6000+	14.8 грн
12000+	14.46 грн

Мінімальне замовлення: 14

SQ2309ES-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -1.7A; Idm: -6.8A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -6.8A
Power dissipation: 2W
Gate charge: 8.5nC
Technology: TrenchFET®
Drain current: -1.7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 704mΩ
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SQ2309ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 336mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.19 грн
6000+	13.88 грн
9000+	12.89 грн
30000+	11.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2309ES-T1_GE3

MOSFET 60V -1.7A 2W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 221997 шт:

термін постачання 535-544 дні (днів)

7+	52.4 грн
10+	41.87 грн
100+	28.75 грн
500+	22.56 грн
1000+	17.5 грн
3000+	14.9 грн
9000+	13.78 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2309ES-T1_GE3

товар відсутній

SQ2309ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 1.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2309ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 1.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 87000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2309ES-T1_GE3

на замовлення 27948 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.85 грн
500+	23.21 грн
1000+	16.63 грн
3000+	15.14 грн
6000+	14.8 грн
12000+	14.46 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ2309ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 336mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 48892 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	44.86 грн
10+	37.05 грн
100+	25.78 грн
500+	18.89 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2309ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 1.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2310CES-T1-GE3

Vishay 20V N-CHANNEL (D-S)

товар відсутній

SQ2310CES-T1/GE3

товар відсутній

SQ2310CES-T1_GE3

N-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET

товар відсутній

SQ2310CES-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2310CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.022 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	42.73 грн
24+	33.35 грн
100+	21.68 грн

Мінімальне замовлення: 19

SQ2310CES-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 6A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQ2310CES-T1_GE3

на замовлення 370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ2310CES-T1_GE3

MOSFETs Automotive N-Channel 20 V (D-S) 175C MOSFET SOT-23, 30 mohm a. 4.5V

на замовлення 5140 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	35.1 грн
12+	29.34 грн
100+	19.12 грн
500+	14.97 грн
1000+	11.6 грн
3000+	9.21 грн

Мінімальне замовлення: 10

SQ2310ES-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQ2310ES-T1_GE3

товар відсутній

SQ2310ES-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2310ES-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	42.58 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2310ES-T1_BE3

MOSFETs N-CHANNEL 20V (D-S)

на замовлення 20924 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	66.34 грн
10+	56.42 грн
100+	34.02 грн
500+	28.47 грн
1000+	24.18 грн
3000+	21.51 грн
6000+	20.31 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ2310ES-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2310ES-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 25674 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.24 грн
10+	54.98 грн
100+	36.3 грн
500+	26.54 грн
1000+	24.11 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQ2310ES-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.02 грн
6000+	21 грн
9000+	19.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2310ES-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2310ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 5417 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	44.23 грн
500+	37.92 грн
1500+	34.33 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ2310ES-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 6A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V

товар відсутній

SQ2310ES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

252+	48.01 грн
255+	47.4 грн
333+	36.31 грн
336+	34.68 грн
500+	26.85 грн
1000+	18.07 грн

Мінімальне замовлення: 252

SQ2310ES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2310ES-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2310ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 5417 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	57.56 грн
50+	50.93 грн
100+	44.23 грн
500+	37.92 грн
1500+	34.33 грн

Мінімальне замовлення: 14

SQ2310ES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	45.03 грн
25+	44.58 грн
50+	42.44 грн
100+	30.1 грн
250+	28.62 грн
500+	23.93 грн
1000+	16.78 грн

Мінімальне замовлення: 14

SQ2310ES-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 6A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V

на замовлення 3041 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.24 грн
10+	54.98 грн
100+	36.3 грн
500+	26.54 грн
1000+	24.11 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQ2310ES-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.5A; 0.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 628 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	77.58 грн
9+	33.21 грн
25+	28.82 грн
36+	28.47 грн
99+	26.88 грн
500+	25.83 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQ2310ES-T1_GE3

MOSFET 20V 6A 2W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 33571 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	64.86 грн
10+	54.96 грн
100+	34.72 грн
500+	28.96 грн
1000+	24.67 грн
3000+	21.93 грн
6000+	20.87 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ2310ES-T1_GE3

на замовлення 628 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	64.65 грн
14+	26.65 грн
25+	24.01 грн
36+	23.72 грн
99+	22.4 грн
500+	21.52 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2310ES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	42.58 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2315ES-T1-GE3

Description: VISHAY - SQ2315ES-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5 A, 0.042 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 5
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042
SVHC: To Be Advised

товар відсутній

SQ2315ES-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2315ES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2315ES-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 12V (D-S)

на замовлення 387806 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	44.2 грн
10+	37.1 грн
100+	22.49 грн
500+	17.5 грн
1000+	14.27 грн
3000+	12.02 грн
9000+	11.25 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ2315ES-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive 3-Pin SOT-23

товар відсутній

SQ2315ES-T1_BE3

Automotive P-Channel 12 V, 175 degree C MOSFET

товар відсутній

SQ2315ES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8389 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.06 грн
10+	33.39 грн
100+	23.19 грн
500+	17 грн
1000+	13.82 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ2315ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

932+	12.95 грн

Мінімальне замовлення: 932

SQ2315ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 4 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 18139 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.06 грн
10+	33.9 грн
100+	23.52 грн
500+	17.24 грн
1000+	14.01 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ2315ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2315ES-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2315ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5 A, 0.042 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm

на замовлення 12925 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	33.35 грн
50+	27.99 грн
100+	22.55 грн
500+	13.47 грн
1500+	12.16 грн

Мінімальне замовлення: 24

SQ2315ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2315ES-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5A; Idm: -20A; 0.67W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.67W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1957 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

8+	37.85 грн
50+	26.82 грн
51+	20.56 грн
138+	19.42 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ2315ES-T1_GE3

на замовлення 1957 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	31.54 грн
50+	21.52 грн
51+	17.13 грн
138+	16.18 грн

Мінімальне замовлення: 13

SQ2315ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 4 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.86 грн
6000+	12.67 грн
9000+	11.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2315ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

52+	11.53 грн

Мінімальне замовлення: 52

SQ2315ES-T1_GE3

MOSFETs P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 101098 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	36.57 грн
11+	30.88 грн
100+	20.17 грн
500+	16.38 грн
1000+	13 грн
3000+	11.81 грн
9000+	11.18 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQ2318AES-T1"BE3

Description: VISHAY - SQ2318AES-T1"BE3 - MOSFET, N-CH, 40V, 8A, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 90743 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	47.31 грн
25+	40.21 грн
50+	35.48 грн
100+	27.82 грн
250+	22.98 грн
500+	20.27 грн

Мінімальне замовлення: 17

SQ2318AES-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 553 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 61686 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.82 грн
10+	34.26 грн
100+	23.78 грн
500+	17.43 грн
1000+	14.17 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ2318AES-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 40V (D-S)

на замовлення 284046 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	44.2 грн
10+	37.18 грн
100+	24.18 грн
500+	19.05 грн
1000+	14.69 грн
3000+	12.44 грн
9000+	11.46 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ2318AES-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 553 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 54000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.01 грн
6000+	12.81 грн
9000+	11.89 грн
30000+	10.9 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2318AES-T1_BE3

Automotive N-Channel 40 V, 175 degree C MOSFET

товар відсутній

SQ2318AES-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4.6A; 1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 31mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.6A

на замовлення 1074 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	37.85 грн
13+	28.85 грн
50+	23.43 грн
56+	15.45 грн
152+	14.57 грн

Мінімальне замовлення: 11

SQ2318AES-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2318AES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 315813 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	29.25 грн
500+	21.31 грн
1000+	15.21 грн
3000+	13.65 грн
6000+	13.38 грн
12000+	13.11 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ2318AES-T1_GE3

MOSFET N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 163800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	44.2 грн
10+	37.18 грн
100+	24.18 грн
500+	19.05 грн
1000+	14.69 грн
3000+	13.21 грн
9000+	11.67 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ2318AES-T1_GE3

на замовлення 288841 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	38.79 грн
50+	32.56 грн
100+	26.33 грн
500+	15.45 грн
1500+	13.99 грн

Мінімальне замовлення: 21

SQ2318AES-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 29236 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.06 грн
10+	33.39 грн
100+	23.2 грн
500+	17 грн
1000+	13.82 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ2318AES-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.67 грн
6000+	12.49 грн
9000+	11.6 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2318AES-T1_GE3

на замовлення 1074 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

7+	45.42 грн
10+	35.95 грн
50+	28.11 грн
56+	18.54 грн
152+	17.48 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2318AES-T1_GE3 VSIG

SQ2318AES-T1-GE3, only from VSIG Itzehoe Fab

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2318BES-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQ2318BES-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2318BES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 3
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

SQ2318BES-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2318BES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 8
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 3
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

SQ2318BES-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQ2318BES-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 33666 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	40.43 грн
10+	33.79 грн
100+	25.87 грн
1000+	20.03 грн
3000+	12.09 грн
9000+	10.54 грн
24000+	10.26 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQ2318CES-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 1640 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	37.39 грн
11+	30.07 грн
100+	17.85 грн
1000+	9.98 грн
3000+	9.14 грн
9000+	8.01 грн
24000+	7.38 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQ2318CES-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2318CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 7 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	25.47 грн
37+	21.68 грн
100+	15.93 грн
500+	12.3 грн
1000+	8.99 грн

Мінімальне замовлення: 31

SQ2318ES-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

товар відсутній

SQ2318ES-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2319ADS-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2319ADS-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.6 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2319ADS-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 66000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.97 грн
15000+	30.13 грн
30000+	28.03 грн
45000+	25.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2319ADS-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 40V (D-S)

на замовлення 291213 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	50.35 грн
10+	43 грн
100+	25.87 грн
500+	21.65 грн
1000+	18.41 грн
3000+	15.53 грн
6000+	14.9 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2319ADS-T1_BE3

SQ2319ADS-T1_BE3

товар відсутній

SQ2319ADS-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2768 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

390+	30.95 грн
409+	29.51 грн
410+	29.4 грн
500+	25.39 грн
1000+	22.59 грн

Мінімальне замовлення: 390

SQ2319ADS-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5713 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.38 грн
10+	38.66 грн
100+	26.77 грн
500+	20.99 грн
1000+	17.86 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2319ADS-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 13442 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.14 грн
10+	39.24 грн
100+	27.14 грн
500+	21.28 грн
1000+	18.11 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2319ADS-T1_GE3

SQ2319ADS-T1_GE3 P-CH 40V 4,6A 75mOhm SOT-23

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

SQ2319ADS-T1_GE3

MOSFET P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 61330 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	50.35 грн
10+	42.92 грн
100+	25.87 грн
500+	21.65 грн
1000+	18.41 грн
3000+	16.45 грн
6000+	15.46 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2319ADS-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2319ADS-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

SQ2319ADS-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2319ADS-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.6 A, 0.068 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1979 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	54.8 грн
18+	45.73 грн
100+	28.38 грн
500+	22.26 грн
1000+	15.54 грн

Мінімальне замовлення: 15

SQ2319ADS-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 84000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.97 грн
21000+	30.13 грн
42000+	28.03 грн
63000+	25.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2319ADS-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.85 грн
6000+	16.28 грн
9000+	15.08 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2319ADS-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -2A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2710 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

5+	62.45 грн
9+	31.2 грн
25+	26.44 грн
44+	23.37 грн
120+	22.05 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ2319ADS-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

SQ2319ADS-T1_GE3

на замовлення 2710 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	52.04 грн
15+	25.04 грн
25+	22.04 грн
44+	19.48 грн
120+	18.38 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ2319ADS-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

SQ2319ADS-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

339+	35.66 грн

Мінімальне замовлення: 339

SQ2319ADS-T1_GE3

на замовлення 1979 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	28.38 грн
500+	22.26 грн
1000+	15.54 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ2319ADS-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.27 грн
6000+	20.07 грн
9000+	19.14 грн
15000+	17.92 грн
24000+	16.43 грн
30000+	15.6 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2319ES-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A TO-236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V

товар відсутній

SQ2319ES-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2325ES-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 150V 1A Automotive 3-Pin TO-236 T/R

товар відсутній

SQ2325ES-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2325ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 840 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 840mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 2843 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	28.07 грн
500+	20.65 грн
1000+	14.87 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ2325ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 150V 0.84A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2325ES-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -1A; Idm: -2A; 1W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Power dissipation: 1W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -2A
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -1A
On-state resistance: 4.4Ω
Type of transistor: P-MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	67.02 грн
10+	52.71 грн
25+	46.86 грн
47+	18.38 грн
128+	17.42 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ2325ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 150V 840MA TO236

товар відсутній

SQ2325ES-T1_GE3
Код товару: 164123

Транзистори > Польові P-канальні

товар відсутній

SQ2325ES-T1_GE3

на замовлення 4373 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	44.23 грн
50+	36.11 грн
100+	27.99 грн
500+	18.74 грн
1500+	16.96 грн

Мінімальне замовлення: 18

SQ2325ES-T1_GE3

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	80.42 грн
10+	65.69 грн
25+	56.23 грн
47+	22.05 грн
128+	20.91 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQ2325ES-T1_GE3

MOSFETs P-Chnl 150-V (D-S) AEC-Q101 Qualified

на замовлення 202915 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	42.72 грн
10+	37.18 грн
100+	23.41 грн
500+	20.1 грн
1000+	17.22 грн
3000+	14.9 грн
6000+	14.83 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ2325ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 150V 0.84A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2325ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 150V 840MA TO236

товар відсутній

SQ2325ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 150V 1A Automotive 3-Pin TO-236 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2328ES-T1-GE3

MOSFET N-Channel 100V Automotive MOSFET

товар відсутній

SQ2328ES-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2337ES-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 2.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2337ES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 285000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.44 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2337ES-T1_BE3

P-Channel MOSFET

товар відсутній

SQ2337ES-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 80V (D-S)

на замовлення 224300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	50.35 грн
10+	43 грн
100+	25.87 грн
500+	21.65 грн
1000+	18.41 грн
3000+	16.38 грн
6000+	15.46 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2337ES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 295032 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.14 грн
10+	39.02 грн
100+	27.03 грн
500+	21.19 грн
1000+	18.04 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2337ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 18987 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.14 грн
10+	39.02 грн
100+	27.03 грн
500+	21.19 грн
1000+	18.04 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2337ES-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1.3A; 1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.29Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -1.3A
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 3073 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

5+	69.07 грн
9+	34.12 грн
25+	28.99 грн
41+	25.12 грн
112+	23.75 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ2337ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 2.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.99 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2337ES-T1_GE3

MOSFETs P-Channel 80V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 196304 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	50.35 грн
10+	41.87 грн
100+	25.87 грн
500+	21.65 грн
1000+	18.41 грн
3000+	15.25 грн
6000+	14.83 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2337ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.78 грн
6000+	16.22 грн
9000+	15.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2337ES-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2337ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.241 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.241ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 5900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	47.86 грн
50+	38.71 грн
100+	29.49 грн
500+	19.48 грн
1500+	17.64 грн

Мінімальне замовлення: 17

SQ2337ES-T1_GE3

на замовлення 3073 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	57.56 грн
14+	27.38 грн
25+	24.16 грн
41+	20.94 грн
112+	19.79 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2348CES-T1_GE3

MOSFET Automotive P-Channel 12 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK SC-70W, 19 mohm a. 4.5V

на замовлення 1545 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	32.06 грн
13+	26.84 грн
100+	17.43 грн
500+	13.71 грн
1000+	10.61 грн
3000+	8.43 грн

Мінімальне замовлення: 11

SQ2348ES-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SQ2348ES-T1_GE3

товар відсутній

SQ2348ES-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 3-Pin SOT-23

товар відсутній

SQ2348ES-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 30V 8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

SQ2348ES-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 30V 8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V

на замовлення 12050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.38 грн
10+	38.07 грн
100+	26.48 грн
500+	19.4 грн
1000+	15.77 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2348ES-T1_BE3

MOSFETs N-CHANNEL 30V (D-S)

на замовлення 236102 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	48.79 грн
10+	41.22 грн
100+	24.95 грн
500+	19.47 грн
1000+	15.81 грн
3000+	13.78 грн
9000+	12.58 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2348ES-T1_BE3

SQ2348ES-T1_BE3

товар відсутній

SQ2348ES-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 30V 8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.6 грн
6000+	14.26 грн
9000+	13.24 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2348ES-T1_GE3

MOSFET 30V 8A 3W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 155225 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	48.79 грн
10+	41.38 грн
100+	26.85 грн
500+	21.09 грн
1000+	16.45 грн
3000+	14.62 грн
9000+	12.86 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2348ES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 3-Pin SOT-23

на замовлення 1404 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ2348ES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1688 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

268+	45.12 грн
354+	34.08 грн
358+	33.74 грн
500+	26.23 грн
1000+	18.72 грн

Мінімальне замовлення: 268

SQ2348ES-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2348ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.02 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 64225 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	56.06 грн
18+	46.2 грн
100+	31.22 грн
500+	22.99 грн
1000+	16.29 грн
3000+	14.8 грн
6000+	14.53 грн
12000+	14.19 грн

Мінімальне замовлення: 15

SQ2348ES-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; Idm: 32A; 1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry

товар відсутній

SQ2348ES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1688 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	46.81 грн
15+	42 грн
25+	41.9 грн
100+	30.52 грн
250+	27.97 грн
500+	21.65 грн
1000+	16.69 грн

Мінімальне замовлення: 13

SQ2348ES-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 8A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ2348ES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2348ES-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 8A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V

товар відсутній

SQ2351CES-T1_GE3

MOSFETs Automotive P-Channel 20 V (D-S) 175C MOSFET SOT-23, 115 mohm a. 4.5V

на замовлення 5213 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	37.39 грн
11+	29.99 грн
100+	17.78 грн
1000+	9.98 грн
3000+	7.73 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQ2351CES-T1_GE3

Automotive P-Channel 20 V (D-S) 175C MOSFET SOT-23

товар відсутній

SQ2351ES-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2351ES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3

товар відсутній

SQ2351ES-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 20V (D-S)

на замовлення 131589 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	44.2 грн
10+	37.1 грн
100+	22.49 грн
500+	17.5 грн
1000+	14.27 грн
3000+	12.02 грн
9000+	11.18 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ2351ES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3

товар відсутній

SQ2351ES-T1_BE3

SQ2351ES-T1_BE3

товар відсутній

SQ2351ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2351ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ2351ES-T1_GE3

MOSFETs P-Channel 20V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 100570 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	36.57 грн
11+	30.88 грн
100+	20.31 грн
500+	15.74 грн
1000+	13.28 грн
3000+	12.02 грн
9000+	11.18 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQ2351ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2351ES-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; 2W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.115Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1928 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

5+	57.72 грн
11+	25.91 грн
25+	22.58 грн
60+	17.25 грн
163+	16.31 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ2351ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V

на замовлення 8829 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.58 грн
10+	35.29 грн
100+	26.32 грн
500+	19.4 грн
1000+	14.99 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ2351ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2351ES-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2351ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 3.2
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

SQ2351ES-T1_GE3

на замовлення 1928 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	48.1 грн
18+	20.79 грн
25+	18.82 грн
60+	14.38 грн
163+	13.59 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQ2360EES-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive 3-Pin SOT-23

товар відсутній

SQ2360EES-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQ2362ES-T1_GE3

товар відсутній

SQ2360EES-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive 3-Pin SOT-23

товар відсутній

SQ2360EES-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V

товар відсутній

SQ2361AEES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.4 грн
6000+	14.07 грн
9000+	13.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2361AEES-T1_BE3

Trans MOSFET

товар відсутній

SQ2361AEES-T1_BE3

Trans MOSFET

товар відсутній

SQ2361AEES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10282 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	45.62 грн
10+	37.56 грн
100+	26.14 грн
500+	19.15 грн
1000+	15.57 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2361AEES-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 60V (D-S)

на замовлення 46491 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	48.79 грн
10+	41.38 грн
100+	24.81 грн
500+	19.12 грн
1000+	16.38 грн
3000+	13.64 грн
9000+	12.44 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2361AEES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2361AEES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.7 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2361AEES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2361AEES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 72000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.4 грн
6000+	14.07 грн
9000+	13.07 грн
30000+	11.98 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2361AEES-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -11A; 0.67W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Power dissipation: 0.67W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -11A
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
On-state resistance: 315mΩ
Drain current: -2.8A
Drain-source voltage: -60V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SQ2361AEES-T1_GE3

товар відсутній

SQ2361AEES-T1_GE3

MOSFETs -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 79846 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	56.42 грн
10+	42.6 грн
100+	24.81 грн
500+	19.12 грн
1000+	16.8 грн
3000+	13.42 грн
9000+	12.44 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ2361AEES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.3 грн
6000+	23.11 грн
12000+	21.5 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2361AEES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 74208 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	45.62 грн
10+	37.56 грн
100+	26.14 грн
500+	19.15 грн
1000+	15.57 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2361AEES-T1_GE3 9C..

Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 170mOhm; 2.8A; 2W; -55°C~175°C; SQ2361AEES-T1-GE3; SQ2361AEES-T1_BE3; SQ2361AEES-T1_GE3 TSQ2361aees
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 85 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

30+	24.73 грн

Мінімальне замовлення: 30

SQ2361CEES-T1-BE3

Vishay 60V P-CHANNEL (D-S)

товар відсутній

SQ2361CEES-T1-GE3

Vishay 60V P-CHANNEL (D-S)

товар відсутній

SQ2361CEES-T1/GE3

товар відсутній

SQ2361CEES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V

товар відсутній

SQ2361CEES-T1_GE3

SQ2361CEES-T1_GE3

товар відсутній

SQ2361CEES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

SQ2361CEES-T1_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2495 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	32.8 грн
12+	27.56 грн
100+	17.92 грн
500+	14.06 грн
1000+	10.82 грн
2500+	9.84 грн
5000+	9.35 грн

Мінімальне замовлення: 10

SQ2361CES-T1-GE3

Vishay 60V P-CHANNEL (D-S)

товар відсутній

SQ2361CES-T1/GE3

товар відсутній

SQ2361CES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V

товар відсутній

SQ2361CES-T1_GE3

Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175C MOSFET SOT-23 90M , 177 m @ 10V m @ 7.5V 246 m @ 4.5V

товар відсутній

SQ2361CES-T1_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 3019 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	30.5 грн
13+	26.35 грн
100+	17.15 грн
500+	13.49 грн
1000+	10.4 грн
3000+	9.49 грн
9000+	8.22 грн

Мінімальне замовлення: 11

SQ2361EES-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2361EES-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2361EES-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 30 V

товар відсутній

SQ2361ES-T1_BE3

Transistor P-Channel MOSFET

товар відсутній

SQ2361ES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 63000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.14 грн
6000+	14.72 грн
9000+	13.63 грн
30000+	12.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2361ES-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 60V (D-S)

на замовлення 193528 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	46.49 грн
10+	40.01 грн
100+	23.76 грн
500+	19.89 грн
1000+	16.94 грн
3000+	14.97 грн
6000+	14.2 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ2361ES-T1_BE3

Transistor P-Channel MOSFET

товар відсутній

SQ2361ES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 66542 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.82 грн
10+	35.44 грн
100+	24.53 грн
500+	19.24 грн
1000+	16.37 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ2361ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 60610 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.58 грн
10+	35.44 грн
100+	24.53 грн
500+	19.24 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ2361ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 468 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	43.76 грн
16+	38.38 грн
25+	36.75 грн
100+	25.11 грн
250+	14.28 грн

Мінімальне замовлення: 14

SQ2361ES-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2361ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm

на замовлення 227016 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	44.23 грн
50+	36.03 грн
100+	27.75 грн
500+	18.38 грн
1500+	16.63 грн

Мінімальне замовлення: 18

SQ2361ES-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -11A; 0.67W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.8A
Pulsed drain current: -11A
Power dissipation: 0.67W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry

товар відсутній

SQ2361ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 468 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

305+	39.58 грн
430+	28.05 грн

Мінімальне замовлення: 305

SQ2361ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.14 грн
6000+	14.72 грн
9000+	13.63 грн
30000+	12.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2361ES-T1_GE3

на замовлення 227016 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.75 грн
500+	18.38 грн
1500+	16.63 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ2361ES-T1_GE3

товар відсутній

SQ2361ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.06 грн
6000+	15.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2361ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2361ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.22 грн
6000+	15.64 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2361ES-T1_GE3

MOSFETs P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 164791 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.31 грн
10+	39.44 грн
100+	24.11 грн
500+	20.45 грн
1000+	17.36 грн
3000+	15.04 грн
6000+	14.27 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2362CES-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2450 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	37.39 грн
11+	30.07 грн
100+	17.85 грн
1000+	9.98 грн
3000+	9.14 грн
9000+	8.01 грн
24000+	7.38 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQ2362ES-T1_BE3

MOSFETs N-CHANNEL 60V (D-S)

на замовлення 597769 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	48.79 грн
10+	41.38 грн
100+	24.81 грн
500+	19.12 грн
1000+	16.38 грн
3000+	13.49 грн
9000+	12.58 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2362ES-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3

на замовлення 1515 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.5 грн
10+	45.69 грн
100+	34.13 грн
500+	25.16 грн
1000+	19.44 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ2362ES-T1_BE3

SQ2362ES-T1_BE3

товар відсутній

SQ2362ES-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3

товар відсутній

SQ2362ES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2362ES-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.3A; Idm: 17A; 1W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 17A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.3A
On-state resistance: 147mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2367 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

5+	65.28 грн
10+	53.74 грн
25+	45.33 грн
55+	18.54 грн
151+	17.48 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ2362ES-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2362ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 49836 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.85 грн
500+	26.5 грн
1000+	19.06 грн
3000+	16.22 грн
6000+	15.41 грн
12000+	15.14 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ2362ES-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V

товар відсутній

SQ2362ES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

220+	55.03 грн

Мінімальне замовлення: 220

SQ2362ES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	51.1 грн
14+	43.57 грн
25+	39.65 грн
100+	31.08 грн
250+	28.49 грн
500+	27.07 грн
1000+	26.79 грн

Мінімальне замовлення: 12

SQ2362ES-T1_GE3

MOSFET N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 15098 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	48.79 грн
10+	40.82 грн
100+	26.85 грн
500+	21.09 грн
1000+	16.38 грн
3000+	13.92 грн
9000+	13.85 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2362ES-T1_GE3

на замовлення 49836 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	58.03 грн
18+	43.84 грн
100+	31.85 грн
500+	26.5 грн
1000+	19.06 грн
3000+	16.22 грн
6000+	15.41 грн
12000+	15.14 грн

Мінімальне замовлення: 14

SQ2362ES-T1_GE3

на замовлення 2367 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	54.4 грн
10+	43.12 грн
25+	37.78 грн
55+	15.45 грн
151+	14.57 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ2362ES-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V

товар відсутній

SQ2362ES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2364EES-T1 GE3

Vishay 60V N-CHANNEL (D-S)

товар відсутній

SQ2364EES-T1"GE3

Description: VISHAY - SQ2364EES-T1"GE3 - N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET 26AK9938

товар відсутній

SQ2364EES-T1-BE3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C

товар відсутній

SQ2364EES-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.4 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2364EES-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 8572 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	48.79 грн
10+	41.38 грн
100+	26.85 грн
500+	21.09 грн
1000+	16.38 грн
3000+	13.57 грн
9000+	12.37 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2364EES-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6876 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	45.62 грн
10+	37.56 грн
100+	26.14 грн
500+	19.15 грн
1000+	15.57 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2364EES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3020 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

289+	41.74 грн
292+	41.29 грн
415+	29.09 грн
419+	27.76 грн
540+	19.95 грн
1000+	16.58 грн
3000+	12.83 грн

Мінімальне замовлення: 289

SQ2364EES-T1_GE3

MOSFETs 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-23; 4A Id

на замовлення 140909 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	48.79 грн
10+	40.98 грн
100+	24.95 грн
500+	19.19 грн
1000+	15.81 грн
3000+	13.42 грн
9000+	12.51 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2364EES-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 7863 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	28.54 грн
500+	20.72 грн
1000+	17.23 грн
5000+	15.27 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ2364EES-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.13 грн
6000+	13.83 грн
9000+	12.84 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2364EES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3020 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	46.35 грн
16+	39.21 грн
25+	38.76 грн
50+	36.97 грн
100+	24.12 грн
250+	22.92 грн
500+	17.79 грн
1000+	15.4 грн
3000+	11.91 грн

Мінімальне замовлення: 13

SQ2364EES-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.3A; 1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 245mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.3A

на замовлення 1614 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	63.08 грн
13+	29.72 грн
25+	26.21 грн
38+	22.77 грн
103+	21.52 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2364EES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.91 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2364EES-T1_GE3

на замовлення 7863 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	54.8 грн
18+	44.78 грн
100+	28.54 грн
500+	20.72 грн
1000+	17.23 грн
5000+	15.27 грн

Мінімальне замовлення: 15

SQ2364EES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.47 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2364EES-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 21316 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	44.86 грн
10+	36.9 грн
100+	25.68 грн
500+	18.82 грн
1000+	15.3 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2364EES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2020 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

443+	27.26 грн
469+	25.72 грн
471+	25.61 грн
540+	21.53 грн
1000+	19.03 грн
2000+	18.18 грн

Мінімальне замовлення: 443

SQ2364EES-T1_GE3

на замовлення 1614 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	75.69 грн
8+	37.04 грн
25+	31.45 грн
38+	27.32 грн
103+	25.83 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQ2389ES-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 4.1A Automotive

товар відсутній

SQ2389ES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 96000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.54 грн
6000+	16 грн
9000+	14.81 грн
30000+	13.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2389ES-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 4.1A Automotive

товар відсутній

SQ2389ES-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 40V (D-S)

на замовлення 542145 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	50.35 грн
10+	43 грн
100+	25.87 грн
500+	21.65 грн
1000+	18.41 грн
3000+	16.38 грн
6000+	15.46 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2389ES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 98550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.38 грн
10+	38.51 грн
100+	26.66 грн
500+	20.91 грн
1000+	17.79 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2389ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 20059 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.38 грн
10+	38.66 грн
100+	26.77 грн
500+	20.99 грн
1000+	17.86 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2389ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 4.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2389ES-T1_GE3

MOSFET -40V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 20679 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	50.35 грн
10+	42.92 грн
100+	25.87 грн
500+	21.65 грн
1000+	17.92 грн
3000+	16.24 грн
6000+	15.32 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2389ES-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -4.1A; Idm: -16A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -4.1A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 169mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2938 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	80.42 грн
10+	65.87 грн
25+	55.88 грн
45+	22.93 грн
123+	21.7 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQ2389ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.6 грн
6000+	16.06 грн
9000+	14.87 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2389ES-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2389ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.1 A, 0.094 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 103818 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	48.81 грн
50+	39.5 грн
100+	30.12 грн
500+	19.84 грн
1500+	17.98 грн

Мінімальне замовлення: 17

SQ2389ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 4.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.99 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2389ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 4.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2389ES-T1_GE3

на замовлення 2938 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	67.02 грн
10+	52.86 грн
25+	46.56 грн
45+	19.11 грн
123+	18.08 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ2389ES-T1_GE3 (A9xxx)

MOSFET P-CHAN 40V SO23 SQ2389ES-T1_GE3 SQ2389ES-T1_GE3 TSQ2389es
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 4 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	55.1 грн

Мінімальне замовлення: 10

SQ2398ES-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8545 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.82 грн
10+	35.44 грн
100+	24.53 грн
500+	19.24 грн
1000+	16.37 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ2398ES-T1_BE3

SQ2398ES-T1_BE3

товар відсутній

SQ2398ES-T1_BE3

SQ2398ES-T1_BE3

товар відсутній

SQ2398ES-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.14 грн
6000+	14.72 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2398ES-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 100V (D-S)

на замовлення 15262 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	45.76 грн
10+	39.36 грн
100+	23.76 грн
500+	19.82 грн
1000+	16.94 грн
3000+	14.97 грн
6000+	14.2 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ2398ES-T1_GE3

MOSFETs N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 96884 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.46 грн
10+	37.75 грн
100+	22.91 грн
500+	19.26 грн
1000+	16.45 грн
3000+	14.97 грн
6000+	14.27 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ2398ES-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 221646 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.82 грн
10+	35.44 грн
100+	24.53 грн
500+	19.24 грн
1000+	16.37 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ2398ES-T1_GE3

SQ2398ES-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SQ2398ES-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 219000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.14 грн
6000+	14.72 грн
9000+	13.63 грн
30000+	12.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2398ES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ24-12S500

на замовлення 52 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQ24-5D500

на замовлення 51 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQ2403PFTNF

Antennas Omni,Squint,fixed,TN CF

товар відсутній

SQ2403PFTNF

Description: ANT OMNI SQUINT PNL RP TNC FEM

товар відсутній

SQ2403PG12NF

Antennas Omni,Squint,12in,NF

товар відсутній

SQ2403PG12NF

Description: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT

товар відсутній

SQ2403PG12RTN

Antennas Omni,Squint,12in,RTN M

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQ2403PG12RTN

Description: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT

товар відсутній

SQ2403PG36RSM

Antennas Omni,Squint,36in,RSM AM

товар відсутній

SQ2403PG36RSM

Description: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT

товар відсутній

SQ2403PG36RTN

Antennas Omni,Squint,36in,RTN M

товар відсутній

SQ2403PG36RTN

Description: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT

товар відсутній

SQ2403PG48RBN

Antennas Omni,Squint,48in,RBN CM

товар відсутній

SQ2403PG48RBN

TE Connectivity Laird

Description: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT
Features: Cable - 1.2m
Packaging: Bulk
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency Range: 2.4GHz ~ 2.5GHz
Gain: 3.5dBi
Termination: RP-BNC
Number of Bands: 1
VSWR: 1.5
Antenna Type: Panel
Height (Max): 0.866" (22.00mm)
Frequency Group: UHF (2GHz ~ 3GHz)
Frequency (Center/Band): 2.4GHz

товар відсутній

SQ2403PTNF

Description: ANT OMNI QUINT VEHICLE APPL

товар відсутній

SQ2403PTRASMF

Description: ANT OMNI QUINT VEHICLE APPL

товар відсутній

SQ2403PV117SMM

Antennas Omni,Squint,117in,SM AM

товар відсутній

SQ2403PV117SMM

Description: ANT OMNI QUINT VEHICLE SMA MALE

товар відсутній

SQ2403PV12NF

Antennas Omni,Squint,12in,NF

товар відсутній

SQ2403PV12NF

Description: ANT OMNI QUINT VEHICLE N FEMALE

товар відсутній

SQ2403PV144RSM

Description: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT

товар відсутній

SQ2403PV144RSM

Antennas Omni,Squint,144in,RS MAM

товар відсутній

SQ2403PV36RTN

Antennas Omni,Squint,36in,RTN M

товар відсутній

SQ2403PV36RTN

Description: ANT OMNI QUINT VEHICLE RP TNC

товар відсутній

SQ2403PV96RSM

Description: ANT OMNI QUINT VEHICLE RP SMA

товар відсутній

SQ2403PV96RSM

Antennas Omni,Squint,96in,RSM AM

товар відсутній

SQ2403PVNF

Description: ANT OMNI QUINT VEHICLE N FEMALE

товар відсутній

SQ2405DD12NF

Description: ANT BIDIR CEILING MNT N FEMALE

товар відсутній

SQ2405DD36RTN

Description: ANT BIDIR CEILING MNT RP TNC

товар відсутній

SQ2405DDN36RSM

Description: ANT BIDIR CEILING MNT RP SMA

товар відсутній

SQ24493P12SMM

Description: ANT SQUINT OMNI DUAL WIDE BAND

товар відсутній

SQ2449PV36RSM

Laird

Antennas Omni,Squint,36in,RSM AM

товар відсутній

SQ2449PV36RSM

Description: ANT SQUINT OMNI 36" CBL N FEMALE

товар відсутній

SQ2449PV72RSM

Laird

Antennas Omni,Squint,72in,RSM AM

товар відсутній

SQ2449PV72RSM

Description: ANT SQUINT OMNI 72" CBL N FEMALE

товар відсутній

SQ24D25

Teledyne Relays

Solid State Relays - Industrial Mount 25A 230VAC Zero Cross

на замовлення 120 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	21200.28 грн
10+	20110.15 грн
25+	17179.23 грн
36+	16918.47 грн
108+	16917.07 грн
252+	16915.66 грн
504+	16914.26 грн

SQ24D25-12

Teledyne Relays

Solid State Relays - Industrial Mount 25A 230VAC Zero Cross

на замовлення 23 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	18483.62 грн
10+	17082.31 грн
25+	13863.15 грн
50+	13367.64 грн
100+	13170.84 грн
250+	12749.13 грн
500+	12748.42 грн

SQ24S03150-NS00

Description: DC/DC CONVERT 15V 3.3A

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24S03150-PS00

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 15V 3.3A 8-Pin 1/8-Brick

товар відсутній

SQ24S03150-PS00

Power-One

Description: DC/DC CONVERTER 15V 50W

товар відсутній

SQ24S03150-PS00G

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 15V 3.3A 8-Pin 1/8-Brick

товар відсутній

SQ24S03150-PS00G

Description: DC DC CONVERTER 15V

товар відсутній

SQ24S04120-NS00

Description: DC DC CONVERTER 12V 48W

товар відсутній

SQ24S04120-NS00G

Description: DC DC CONVERTER 12V 48W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, UVLO
Package / Case: 8-SMD Module, 1/8 Brick
Size / Dimension: 2.30" L x 0.90" W x 0.27" H (58.4mm x 22.9mm x 7.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 87%
Current - Output (Max): 4A
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active Low
Power (Watts): 48 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 2 kV

товар відсутній

SQ24S04120-NS00G

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 12V 4A 50W 8-Pin 1/8-Brick

товар відсутній

SQ24S04120-NS00G

Isolated DC/DC Converters - SMD DC/DC Converter

на замовлення 33 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	7188.12 грн
5+	7028.85 грн
10+	6063.55 грн
25+	5681.9 грн
48+	5681.19 грн
96+	4990.99 грн
288+	4989.58 грн

SQ24S04120-PS00

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 12V 4A 50W 8-Pin 1/8-Brick

товар відсутній

SQ24S04120-PS00

Isolated DC/DC Converters DC/DC Converter

товар відсутній

SQ24S04120-PS00

Description: DC DC CONVERTER 12V 48W

товар відсутній

SQ24S04120-PS00G

Isolated DC/DC Converters DC/DC Converter

на замовлення 56 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQ24S04120-PS00G

Description: DC DC CONVERTER 12V 48W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, UVLO
Package / Case: 8-SMD Module, 1/8 Brick
Size / Dimension: 2.30" L x 0.90" W x 0.27" H (58.4mm x 22.9mm x 7.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 87%
Current - Output (Max): 4A
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 48 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 2 kV

на замовлення 144 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	6364.49 грн
5+	6080.15 грн
10+	6031.47 грн
48+	5112.48 грн
96+	4856.87 грн

SQ24S04120-PS00G

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 12V 4A 50W 8-Pin 1/8-Brick

товар відсутній

SQ24S04120-PS0S

Description: DC DC CONVERTER 12V 48W

товар відсутній

SQ24S05080-NS00

Description: DC DC CONVERTER 8V 42W

товар відсутній

SQ24S05080-PS00

Description: DC DC CONVERTER 8V 42W

товар відсутній

SQ24S05080-PS00G

Isolated DC/DC Converters POWER SUPPLY;SQ24S05080-PS00G;DC-DC;36-75V;8.0V;5A;SM;

товар відсутній

SQ24S05080-PS00G

Description: DC DC CONVERTER 8V 42W

товар відсутній

SQ24S08060-NS00

Description: DC DC CONVERTER 6V 48W

товар відсутній

SQ24S08060-NS00G

Description: DC DC CONVERTER 6V 48W

товар відсутній

SQ24S08060-NS00G

Isolated DC/DC Converters - SMD POWER SUPPLY;SQ24S08060-NS00G;DC-DC;18-36V;6.0V;8A;SM;

на замовлення 132 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	7265.2 грн
5+	7104.02 грн
10+	6128.21 грн
25+	5732.5 грн

SQ24S08060-NS00G

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 6V 8A 50W 8-Pin 1/8-Brick

товар відсутній

SQ24S08060-PS00

Description: DC DC CONVERTER 6V 48W

товар відсутній

SQ24S08060-PS00G

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 6V 8A 50W 8-Pin 1/8-Brick

товар відсутній

SQ24S08060-PS00G

Description: DC DC CONVERTER 6V 48W

товар відсутній

SQ24S08060-PS00G

Isolated DC/DC Converters - SMD POWER SUPPLY;SQ24S08060-PS00G;DC-DC;NA;24V;6V;8.3A;SMT;;

товар відсутній

SQ24S10050-NS00

Description: DC/DC CONVERT 5V 10A

товар відсутній

SQ24S10050-NS00G

Isolated DC/DC Converters DC/DC Converter

товар відсутній

SQ24S10050-NS00G

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 10A 50W 8-Pin 1/8-Brick

товар відсутній

SQ24S10050-NS0S

Description: DC/DC CONVERT 5V 10A

товар відсутній

SQ24S10050-PS00

Description: DC/DC CONVERT 5V 10A

товар відсутній

SQ24S10050-PS00G

Isolated DC/DC Converters - SMD POWER SUPPLY;SSQE48T07050-PABNG;DC-DC;18-36V;5.0V;10A;SM;

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	7165.98 грн
5+	6764.54 грн
10+	5773.27 грн
25+	5561.01 грн
48+	5187.09 грн
96+	5099.23 грн
288+	4995.91 грн

SQ24S10050-PS00G

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 10A 50W 8-Pin 1/8-Brick

товар відсутній

SQ24S10050-PS00G

BEL / PARTNER STOCK

Description: BEL / PARTNER STOCK - SQ24S10050-PS00G - SURFACE MOUNT ISOLATED DC-DC CONVERTERS
tariffCode: 85044095
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	10761.71 грн

SQ24S10050-PS00G

Description: DC/DC CONVERTER 5V 50W

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24S10050-PS0S

Description: DC/DC CONVERT 5V 10A

товар відсутній

SQ24S10050-PSN0

Description: DC/DC CONVERTER 5V 50W

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24S15033-NS00

Description: DC/DC CONVERT 3.3V 15A

товар відсутній

SQ24S15033-NS00G

Description: DC/DC CONVERTER 3.3V 50W

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24S15033-NS00G

Isolated DC/DC Converters - SMD DC/DC Converter

товар відсутній

SQ24S15033-NS0S

Description: DC/DC CONVERT 3.3V 15A

товар відсутній

SQ24S15033-PS00

Description: DC/DC CONVERT 3.3V 15A

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24S15033-PS00G

Isolated DC/DC Converters POWER SUPPLY;SQ24S15033-PS00G;DC-DC;;18-36V;3.3V;15A;SM;;

товар відсутній

SQ24S15033-PS00G

Description: DC DC CONVERTER 3.3V 50W

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	7108.83 грн

SQ24S15033-PS00G

Description: DC DC CONVERTER 3.3V 50W

товар відсутній

SQ24S15033-PS00G

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 3.3V 15A 50W 8-Pin 1/8-Brick

товар відсутній

SQ24S15033-PS0S

Description: DC DC CONVERTER 3.3V 50W

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	5021.04 грн
15+	4642.08 грн
25+	4454.94 грн
60+	4014.22 грн

SQ24S15033-PS0S

Description: DC DC CONVERTER 3.3V 50W

товар відсутній

SQ24S15033-PSN0

Description: DC/DC CONVERTER 3.3V 50W

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24T03150-NBA0

Description: DC/DC CONVERT 15V 3.3A

товар відсутній

SQ24T03150-NBA0G

Description: DC/DC CONVERTER 15V 50W

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24T03150-NEC0

Description: DC/DC CONVERT 15V 3.3A

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24T03150-NEC0G

Description: DC DC CONVERTER 15V 50W

товар відсутній

SQ24T03150-NEC0G

Isolated DC/DC Converters - Through Hole DC-DC CONVERTER

товар відсутній

SQ24T03150-NEC0G

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 15V 3.3A 8-Pin 1/8-Brick

товар відсутній

SQ24T03150-PAA0

Description: DC/DC CONVERT 15V 3.3A

товар відсутній

SQ24T03150-PCA0

Description: DC/DC CONVERTER 15V 50W

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24T04120-NAC0

Description: DC/DC CONVERT 12V 4A

товар відсутній

SQ24T04120-NAC0G

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 12V 4A 50W 8-Pin 1/8-Brick

товар відсутній

SQ24T04120-NAC0G

Description: DC DC CONVERTER 12V 48W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, UVLO
Package / Case: 8-DIP Module, 1/8 Brick
Size / Dimension: 2.30" L x 0.90" W x 0.27" H (58.4mm x 22.9mm x 7.0mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 87%
Current - Output (Max): 4A
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active Low
Power (Watts): 48 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 2 kV

товар відсутній

SQ24T04120-NBA0

Description: DC/DC CONVERT 12V 4A

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24T04120-NBA0G

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 12V 4A 50W 8-Pin 1/8-Brick

товар відсутній

SQ24T04120-NBA0G

на замовлення 144 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	6364.49 грн
5+	6080.15 грн
10+	6031.47 грн
48+	5112.48 грн
96+	4856.87 грн

SQ24T04120-NBA0G

Isolated DC/DC Converters - Through Hole DC/DC Converter

на замовлення 87 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	7402.96 грн
5+	7239.01 грн
10+	6244.18 грн
25+	5841.45 грн
48+	5672.06 грн
288+	5252.45 грн

SQ24T04120-NBB0

Description: DC/DC CONVERT 12V 4A

товар відсутній

SQ24T04120-NBC0

Description: DC/DC CONVERT 12V 4A

товар відсутній

SQ24T04120-NBC0G

Description: DC/DC CONVERTER 12V 48W

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24T04120-NDB0

Description: DC/DC CONVERTER 12V 48W

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24T04120-NEAS

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 12V 4A 50W 8-Pin 1/8-Brick

товар відсутній

SQ24T04120-PAC0G

Isolated DC/DC Converters - Through Hole DC/DC Converter

товар відсутній

SQ24T04120-PAC0G

Description: DC DC CONVERTER 12V 48W
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, UVLO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP Module, 1/8 Brick
Size / Dimension: 2.30" L x 0.90" W x 0.27" H (58.4mm x 22.9mm x 7.0mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 87%
Current - Output (Max): 4A
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 48 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 2 kV

товар відсутній

SQ24T04120-PAC0G

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 12V 4A 50W 8-Pin 1/8-Brick

товар відсутній

SQ24T04120-PBA0G

Description: DC/DC CONVERTER 12V 48W

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24T04120-PCB0

Description: DC/DC CONVERT 12V 4A

товар відсутній

SQ24T04120-PDA0

Description: DC/DC CONVERTER 12V 48W

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24T04120-PDB0

Description: DC/DC CONVERT 12V 4A

товар відсутній

SQ24T05080-NBA0

Description: DC DC CONVERTER 8V 42W

товар відсутній

SQ24T05080-NBA0G

Description: DC DC CONVERTER 8V 42W

товар відсутній

SQ24T05080-PBA0G

Description: DC DC CONVERTER 8V 42W

товар відсутній

SQ24T05080-PBA0G

Isolated DC/DC Converters /DC DC POWER SUPPLY/

товар відсутній

SQ24T08060-NAA0G

Description: DC/DC CONVERTER 6V 48W

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24T08060-NBA0G

Description: DC/DC CONVERT 6V 8A

товар відсутній

SQ24T08060-NEC0G

Description: DC/DC CONVERTER 6V 48W

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24T08060-PAA0G

Isolated DC/DC Converters POWER SUPPLY

товар відсутній

SQ24T08060-PBA0

Description: DC/DC CONVERT 6V 8A

товар відсутній

SQ24T08060-PCA0

Description: DC/DC CONVERTER 6V 48W

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24T10050-NAA0

Description: DC/DC CONVERT 5V 10A

товар відсутній

SQ24T10050-NAB0

Description: DC/DC CONVERT 5V 10A

товар відсутній

SQ24T10050-NAC0G

Description: DC/DC CONVERTER 5V 50W

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24T10050-NBA0G

Description: DC/DC CONVERTER 5V 50W

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24T10050-NBA0G

Isolated DC/DC Converters DC/DC Converter

на замовлення 144 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	6861.76 грн
48+	6762.93 грн
96+	5118.21 грн
288+	4713.36 грн

SQ24T10050-NBA0G

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 10A 50W 8-Pin 1/8-Brick

товар відсутній

SQ24T10050-NBB0

Description: DC/DC CONVERT 5V 10A

товар відсутній

SQ24T10050-NBC0

Description: DC/DC CONVERT 5V 10A

товар відсутній

SQ24T10050-NBC0G

Description: DC/DC CONVERTER 5V 50W

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24T10050-NEC0

Description: DC/DC CONVERT 5V 10A

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24T10050-NEC0

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 10A 50W 8-Pin 1/8-Brick

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	4130.18 грн

SQ24T10050-NEC0G

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 10A 50W 8-Pin 1/8-Brick

товар відсутній

SQ24T10050-NEC0G

Isolated DC/DC Converters - Through Hole DC-DC CONVERTER

товар відсутній

SQ24T10050-PAA0

Description: DC/DC CONVERT 5V 10A

товар відсутній

SQ24T10050-PAA0G

BEL / PARTNER STOCK

Description: BEL / PARTNER STOCK - SQ24T10050-PAA0G - THROUGH HOLE ISOLATED DC-DC CONVERTERS
tariffCode: 85044095
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	10761.71 грн

SQ24T10050-PAALG

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 10A 50W

товар відсутній

SQ24T10050-PBA0

Description: DC/DC CONVERT 5V 10A

товар відсутній

SQ24T10050-PDB0

Description: DC/DC CONVERTER 5V 50W

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24T10050-PDB0G

Description: DC/DC CONVERTER 5V 50W

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24T10050-PEC0

BEL

Category: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC
Type of converter: DC/DC

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	7921.67 грн
4+	6356.46 грн

SQ24T10050-PEC0G

Isolated DC/DC Converters - Through Hole POWER SUPPLY; SQ24T10050-PEC0; DC/DC 18VDC-36VDC; 5.0v/10A; TH

товар відсутній

SQ24T15012-NBB0G

Isolated DC/DC Converters - Through Hole POWER SUPPLY

на замовлення 144 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	6914.24 грн
5+	6761.31 грн
10+	5832.31 грн
25+	5267.91 грн
48+	5003.64 грн
96+	4979.74 грн
288+	4872.91 грн

SQ24T15012-NBB0G

Description: DC DC CONVERTER 1.2V 18W

товар відсутній

SQ24T15015-PCA0

Description: DC/DC CONVERTER 1.5V 23W

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24T15015-PCA0G

Isolated DC/DC Converters - Through Hole DC-DCTHT

товар відсутній

SQ24T15020-NEC0

BEL

Category: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC
Type of converter: DC/DC

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	8028.9 грн
4+	6442.12 грн

SQ24T15020-NEC0

Description: DC DC CONVERTER 2V 30W
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, UVLO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP Module, 1/8 Brick
Size / Dimension: 2.30" L x 0.90" W x 0.27" H (58.4mm x 22.9mm x 7.0mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 85%
Current - Output (Max): 15A
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 2V
Control Features: Enable, Active Low
Power (Watts): 30 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 2 kV

товар відсутній

SQ24T15020-NEC0

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 2V 15A 50W 8-Pin 1/8-Brick

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	5035.51 грн

SQ24T15020-NEC0

BEL / PARTNER STOCK

Description: BEL / PARTNER STOCK - SQ24T15020-NEC0 - THROUGH HOLE ISOLATED DC-DC CONVERTERS
tariffCode: 85044095
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	12259.79 грн

SQ24T15020-NEC0

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 2V 15A 50W 8-Pin 1/8-Brick

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	7688.84 грн
4+	7381.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQ24T15020-NEC0

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 2V 15A 50W 8-Pin 1/8-Brick

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	5422.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ24T15020-NEC0G

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 2V 15A 30W 8-Pin 1/8-Brick

товар відсутній

SQ24T15020-NEC0G

Description: DC DC CONVERTER 2V 30W

товар відсутній

SQ24T15020-NEC0G

Isolated DC/DC Converters - Through Hole DC-DC CONVERTER

товар відсутній

SQ24T15025-NBB0G

Description: DC DC CONVERTER 2.5V 38W

товар відсутній

SQ24T15025-NBB0G

Isolated DC/DC Converters POWER SUPPLY

товар відсутній

SQ24T15033-NAB0

POWERO

07+NOP

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQ24T15033-NAB0

Description: DC/DC CONVERT 3.3V 15A

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24T15033-NAB0G

Isolated DC/DC Converters

товар відсутній

SQ24T15033-NBA0

Description: DC/DC CONVERT 3.3V 15A

товар відсутній

SQ24T15033-NBA0G

Description: DC/DC CONVERTER 3.3V 50W

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24T15033-NBB0

Isolated DC/DC Converters 18-36Vin 15A 3.3Vout

товар відсутній

SQ24T15033-NBB0

Description: DC/DC CONVERT 3.3V 15A

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24T15033-NBB0G

Isolated DC/DC Converters - Through Hole 18-36Vin 15A 3.3Vout 50W

на замовлення 144 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	6464.88 грн
5+	6345.04 грн
10+	5494.23 грн
25+	5304.46 грн
48+	5209.58 грн
96+	4936.87 грн

SQ24T15033-NBB0G

Description: DC/DC CONVERTER 3.3V 50W

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24T15033-NBC0

Description: DC/DC CONVERT 3.3V 15A

товар відсутній

SQ24T15033-NEC0

Description: DC/DC CONVERT 3.3V 15A

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24T15033-NEC0

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 3.3V 15A 50W 8-Pin 1/8-Brick

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3089.27 грн

SQ24T15033-NEC0G

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 3.3V 15A 50W 8-Pin 1/8-Brick

товар відсутній

SQ24T15033-NEC0G

Isolated DC/DC Converters - Through Hole DC-DC CONVERTER

товар відсутній

SQ24T15033-PBB0

Description: DC/DC CONVERT 3.3V 15A

товар відсутній

SQ24T15033-PCA0

Description: DC/DC CONVERTER 3.3V 50W

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24T15033-PDC0

Description: DC/DC CONVERTER 3.3V 50W

товар відсутній

SQ24T15033-PEC0G