![SQ2315ES-T1_GE3 SQ2315ES-T1_GE3](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/3/1/5/17/21/906/vsh_/manual/63706-pt-medium.jpg)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 11.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ2315ES-T1_GE3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 4 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQ2315ES-T1_GE3 за ціною від 11.18 грн до 41.06 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SQ2315ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 4 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SQ2315ES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5A; Idm: -20A; 0.67W; SOT23 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Case: SOT23 Application: automotive industry Power dissipation: 0.67W Kind of package: reel; tape Gate charge: 13nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -20A Drain-source voltage: -12V Drain current: -5A On-state resistance: 75mΩ Type of transistor: P-MOSFET |
на замовлення 1957 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SQ2315ES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm |
на замовлення 12925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SQ2315ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 101098 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SQ2315ES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5A; Idm: -20A; 0.67W; SOT23 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Case: SOT23 Application: automotive industry Power dissipation: 0.67W Kind of package: reel; tape Gate charge: 13nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -20A Drain-source voltage: -12V Drain current: -5A On-state resistance: 75mΩ Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1957 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SQ2315ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 4 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 18139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SQ2315ES-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |