на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 13.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ2362ES-T1_GE3 Vishay
Description: VISHAY - SQ2362ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.3W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SQ2362ES-T1_GE3 за ціною від 13.9 грн до 65.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ2362ES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - SQ2362ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.125 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 49836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SQ2362ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 15098 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SQ2362ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SQ2362ES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.3A; Idm: 17A; 1W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Polarisation: unipolar Gate charge: 12nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 17A Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.3A On-state resistance: 147mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1W |
на замовлення 2367 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SQ2362ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SQ2362ES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2362ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 49836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SQ2362ES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.3A; Idm: 17A; 1W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Polarisation: unipolar Gate charge: 12nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 17A Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.3A On-state resistance: 147mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2367 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SQ2362ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
SQ2362ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
SQ2362ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V |
товар відсутній |