Продукція > VISHAY SILICONIX > SQ2364EES-T1_GE3
SQ2364EES-T1_GE3

SQ2364EES-T1_GE3 Vishay Siliconix

sq2364ees.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+14.51 грн
6000+ 12.97 грн
9000+ 12.45 грн
15000+ 11.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ2364EES-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SQ2364EES-T1_GE3 за ціною від 12.03 грн до 76.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Виробник : Vishay sq2364ees.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+17.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Виробник : Vishay sq2364ees.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
443+27.52 грн
469+ 25.97 грн
471+ 25.86 грн
540+ 21.74 грн
1000+ 19.21 грн
2000+ 18.35 грн
Мінімальне замовлення: 443
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Виробник : VISHAY 2611857.pdf Description: VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 7863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+28.82 грн
500+ 20.92 грн
1000+ 17.4 грн
5000+ 15.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Виробник : Vishay sq2364ees.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+34.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Виробник : Vishay sq2364ees.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
289+42.15 грн
292+ 41.69 грн
415+ 29.37 грн
419+ 28.04 грн
540+ 20.15 грн
1000+ 16.74 грн
3000+ 12.95 грн
Мінімальне замовлення: 289
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Виробник : Vishay sq2364ees.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+46.8 грн
16+ 39.6 грн
25+ 39.14 грн
50+ 37.33 грн
100+ 24.35 грн
250+ 23.14 грн
500+ 17.96 грн
1000+ 15.55 грн
3000+ 12.03 грн
Мінімальне замовлення: 13
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sq2364ees.pdf MOSFETs 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-23; 4A Id
на замовлення 140909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+49.27 грн
10+ 41.38 грн
100+ 25.19 грн
500+ 19.38 грн
1000+ 15.97 грн
3000+ 13.56 грн
9000+ 12.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq2364ees.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+49.9 грн
10+ 32.38 грн
100+ 22.14 грн
500+ 16.41 грн
1000+ 14.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Виробник : VISHAY 2611857.pdf Description: VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 7863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+55.33 грн
18+ 45.22 грн
100+ 28.82 грн
500+ 20.92 грн
1000+ 17.4 грн
5000+ 15.42 грн
Мінімальне замовлення: 15
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Виробник : VISHAY sq2364ees.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.3A; 1W; SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 245mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Case: SOT23
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.3A
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+63.69 грн
13+ 30.02 грн
25+ 26.47 грн
38+ 22.99 грн
104+ 21.74 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Виробник : VISHAY sq2364ees.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.3A; 1W; SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 245mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Case: SOT23
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.3A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+76.43 грн
8+ 37.4 грн
25+ 31.76 грн
38+ 27.59 грн
104+ 26.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQ2364EES-T1 GE3 Виробник : Vishay Vishay 60V N-CHANNEL (D-S)
товару немає в наявності