на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 13.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ2308CES-T1_GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQ2308CES-T1_GE3 за ціною від 12.31 грн до 61.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ2308CES-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ2308CES-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ2308CES-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ2308CES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2308CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 41186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ2308CES-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ2308CES-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ2308CES-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 31432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ2308CES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2308CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 41186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ2308CES-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 60V 2.3A 2watt AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 17289 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ2308CES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 2A; Idm: 9A; 2W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2A Pulsed drain current: 9A Power dissipation: 2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.325Ω Mounting: SMD Gate charge: 3.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1982 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ2308CES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 2A; Idm: 9A; 2W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2A Pulsed drain current: 9A Power dissipation: 2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.325Ω Mounting: SMD Gate charge: 3.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1982 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SQ2308CES-T1_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET N-CH 60V 2.3A |
на замовлення 1371 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
SQ2308CES-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A TO236 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SQ2308CES-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans Mosfet N-Ch 60V 2.3A Automotive |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SQ2308CES-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET RECOMMENDED ALT SQ2308CES-T1_GE3 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SQ2308CES-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |