SQ2351ES-T1_GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; 2W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.115Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; 2W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.115Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 48.3 грн |
18+ | 21.23 грн |
25+ | 18.99 грн |
60+ | 14.73 грн |
163+ | 13.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ2351ES-T1_GE3 VISHAY
Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SQ2351ES-T1_GE3 за ціною від 11.41 грн до 57.96 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
+1 |
SQ2351ES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; 2W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 0.115Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Gate charge: 5.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.8A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1928 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
SQ2351ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SQ2351ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFETs P-Channel 20V AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 100570 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SQ2351ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V |
на замовлення 8829 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SQ2351ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
SQ2351ES-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT SQ2351ES-T1_GE3 |
товар відсутній |