Продукція > RQ3

Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 10 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.3 грн
6000+	30.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ3C150BCTB

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -37A; Idm: -60A; 20W; HSMT8
Power dissipation: 20W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: HSMT8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -37A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -60A

товар відсутній

RQ3C150BCTB

MOSFET Pch -20V -30A Si MOSFET

на замовлення 3548 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.84 грн
10+	81.64 грн
100+	54.89 грн
500+	45.4 грн
1000+	35.78 грн
3000+	33.46 грн
6000+	32.47 грн

Мінімальне замовлення: 4

RQ3C150BCTB

Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 10 V

на замовлення 9458 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	80.59 грн
10+	63.4 грн
100+	49.32 грн
500+	39.24 грн
1000+	31.96 грн

Мінімальне замовлення: 4

RQ3C150BCTB

товар відсутній

RQ3E070BNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 10820 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

RQ3E070BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 7A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 15 V

на замовлення 7341 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	31.93 грн
13+	24.16 грн
100+	14.51 грн
500+	12.61 грн
1000+	8.57 грн

Мінімальне замовлення: 10

RQ3E070BNTB

RQ3E070BNTB SMD N channel transistors

товар відсутній

RQ3E070BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 7A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.73 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ3E070BNTB1

MOSFET MOSFET

на замовлення 5979 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	68.63 грн
10+	60.14 грн
100+	40.84 грн
500+	33.74 грн
1000+	28.89 грн
3000+	24.53 грн
9000+	22.63 грн

Мінімальне замовлення: 5

RQ3E075ATTB

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; Idm: -30A; 15W; HSMT8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 15W
Case: HSMT8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

RQ3E075ATTB

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT

на замовлення 1181 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RQ3E075ATTB

товар відсутній

RQ3E075ATTB

MOSFET Pch -30V -18A Si MOSFET

на замовлення 2463 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.2 грн
10+	80.02 грн
100+	54.26 грн
500+	44.84 грн
1000+	35.42 грн
3000+	32.96 грн
6000+	31.35 грн

Мінімальне замовлення: 4

RQ3E075ATTB

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT

товар відсутній

RQ3E080BN

MOSFET

товар відсутній

RQ3E080BNTB

Description: ROHM - RQ3E080BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.011 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 14W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2789 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	42.18 грн
28+	28.62 грн
100+	15.3 грн
500+	13.62 грн
1000+	12.1 грн

Мінімальне замовлення: 19

RQ3E080BNTB

Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HSMT EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

627+	19.24 грн
731+	16.49 грн
1000+	13.43 грн

Мінімальне замовлення: 627

RQ3E080BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ3E080BNTB

RQ3E080BNTB SMD N channel transistors

товар відсутній

RQ3E080BNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 14503 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	38.13 грн
12+	27.08 грн
100+	13.57 грн
1000+	9.7 грн
3000+	8.5 грн
9000+	7.66 грн
24000+	7.52 грн

Мінімальне замовлення: 9

RQ3E080BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V

на замовлення 41389 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.54 грн
10+	31.04 грн
100+	21.16 грн
500+	14.89 грн
1000+	11.17 грн

Мінімальне замовлення: 8

RQ3E080BNTB

Description: ROHM - RQ3E080BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.011 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 14W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 14W
Bauform - Transistor: HSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2789 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	15.3 грн
500+	13.62 грн
1000+	12.1 грн

Мінімальне замовлення: 100

RQ3E080BNTB

Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HSMT EP T/R

на замовлення 5578 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

731+	16.5 грн
736+	16.39 грн
841+	14.34 грн
1000+	13.24 грн
3000+	11.71 грн

Мінімальне замовлення: 731

RQ3E080GNTB

RQ3E080GNTB SMD N channel transistors

товар відсутній

RQ3E080GNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 423 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	40.18 грн
11+	31.77 грн
100+	18.84 грн
500+	14.34 грн

Мінімальне замовлення: 9

RQ3E080GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.7mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V

на замовлення 2284 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	36.49 грн
11+	26.94 грн
100+	16.2 грн
500+	14.08 грн
1000+	9.57 грн

Мінімальне замовлення: 9

RQ3E080GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.7mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V

товар відсутній

RQ3E100ATTB

Description: MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.39 грн
6000+	22.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ3E100ATTB

Description: MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

на замовлення 7342 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	59.3 грн
10+	46.42 грн
100+	36.14 грн
500+	28.74 грн
1000+	23.41 грн

Мінімальне замовлення: 6

RQ3E100ATTB

MOSFET RQ3E100AT is the high reliability transistor, suitable for switching applications.

на замовлення 2508 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	64.04 грн
10+	51.65 грн
100+	35 грн
500+	29.59 грн
1000+	24.11 грн
3000+	22.7 грн
6000+	21.58 грн

Мінімальне замовлення: 6

RQ3E100BN

MOSFET

товар відсутній

RQ3E100BNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 119483 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	28.95 грн
14+	24.25 грн
100+	15.74 грн
500+	12.37 грн
1000+	10.05 грн
3000+	8.5 грн
9000+	7.87 грн

Мінімальне замовлення: 12

RQ3E100BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

на замовлення 83077 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	28.89 грн
13+	23.5 грн
100+	16.33 грн
500+	11.96 грн
1000+	9.73 грн

Мінімальне замовлення: 11

RQ3E100BNTB

Description: ROHM - RQ3E100BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.0077 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	34.46 грн
28+	28.23 грн

Мінімальне замовлення: 23

RQ3E100BNTB

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin HSMT EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

696+	17.33 грн

Мінімальне замовлення: 696

RQ3E100BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

на замовлення 75000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.62 грн
6000+	8.79 грн
9000+	8.16 грн
30000+	7.49 грн
75000+	7.29 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ3E100BNTB

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; Idm: 40A; 15W; HSMT8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 15W
Case: HSMT8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

RQ3E100BNTB

товар відсутній

RQ3E100BNTB

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin HSMT EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

622+	19.4 грн
645+	18.7 грн
1000+	18.09 грн
2500+	16.92 грн

Мінімальне замовлення: 622

RQ3E100BNTB1

Description: NCH 30V 21A POWER MOSFET: RQ3E10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

на замовлення 8642 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	73.75 грн
10+	58.21 грн
100+	45.27 грн
500+	36.01 грн
1000+	29.33 грн

Мінімальне замовлення: 5

RQ3E100BNTB1

Description: NCH 30V 21A POWER MOSFET: RQ3E10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.56 грн
6000+	28.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ3E100BNTB1

MOSFET MOSFET

на замовлення 3333 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	86.92 грн
10+	77.11 грн
100+	52.29 грн
500+	43.23 грн

Мінімальне замовлення: 4

RQ3E100GNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 199 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	37.72 грн
10+	32.33 грн
100+	21.02 грн
500+	16.52 грн

Мінімальне замовлення: 9

RQ3E100GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT

товар відсутній

RQ3E100GNTB

Description: ROHM - RQ3E100GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 0.0089 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 21
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 15
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 15
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0089
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0089
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

RQ3E100GNTB

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin HSMT EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

766+	15.74 грн
795+	15.18 грн
1000+	14.68 грн
2500+	13.74 грн

Мінімальне замовлення: 766

RQ3E100GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT

товар відсутній

RQ3E100GNTB

Description: ROHM - RQ3E100GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 0.0089 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 15
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0089
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

RQ3E100MNTB1

Description: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

на замовлення 5261 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	79.83 грн
10+	68.75 грн
100+	53.6 грн
500+	41.55 грн
1000+	32.8 грн

Мінімальне замовлення: 4

RQ3E100MNTB1

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 2532 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	87.74 грн
10+	70.72 грн
100+	47.86 грн
500+	40.63 грн
1000+	33.1 грн
3000+	30.57 грн
6000+	29.31 грн

Мінімальне замовлення: 4

RQ3E100MNTB1

Description: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ3E100MNTB1

Description: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

товар відсутній

RQ3E110AJTB

Description: MOSFET N-CH 30V 11A/24A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V

на замовлення 13868 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	50.94 грн
10+	43.05 грн
100+	29.81 грн
500+	23.37 грн
1000+	19.89 грн

Мінімальне замовлення: 6

RQ3E110AJTB

MOSFETs RQ3E110AJ is low on-resistance and Small Surface Mount Package MOSFET for switching application.

на замовлення 2949 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	55.68 грн
10+	47.85 грн
100+	28.82 грн
500+	24.04 грн
1000+	20.52 грн
3000+	18.2 грн
6000+	17.22 грн

Мінімальне замовлення: 6

RQ3E110AJTB

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; Idm: 44A; 15W; HSMT8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 15W
Polarisation: unipolar
Case: HSMT8
Gate charge: 13.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 44A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
On-state resistance: 16.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

RQ3E110AJTB

товар відсутній

RQ3E110AJTB

Description: MOSFET N-CH 30V 11A/24A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.6 грн
6000+	17.88 грн
9000+	16.56 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ3E120ATTB

RQ3E120ATTB SMD P channel transistors

товар відсутній

RQ3E120ATTB

Description: ROHM - RQ3E120ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39 A, 0.0061 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2011 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	61.5 грн
16+	50.7 грн
100+	31.93 грн
500+	25.26 грн
1000+	20.68 грн

Мінімальне замовлення: 13

RQ3E120ATTB

Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.63 грн
6000+	17.91 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ3E120ATTB

на замовлення 2011 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.93 грн
500+	25.26 грн
1000+	20.68 грн

Мінімальне замовлення: 100

RQ3E120ATTB

Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

на замовлення 10349 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	51.7 грн
10+	43.12 грн
100+	29.85 грн
500+	23.4 грн
1000+	19.92 грн

Мінімальне замовлення: 6

RQ3E120ATTB

MOSFET -30V P-CHANNEL -12A

на замовлення 81757 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	56.42 грн
10+	46.72 грн
100+	29.03 грн
500+	24.25 грн
1000+	20.66 грн
3000+	18.27 грн
6000+	17.29 грн

Мінімальне замовлення: 6

RQ3E120BNTB

Description: ROHM - RQ3E120BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0066 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

RQ3E120BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8

товар відсутній

RQ3E120BNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 1831 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

RQ3E120BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RQ3E120GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT

товар відсутній

RQ3E120GNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 11564 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

RQ3E120GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT

на замовлення 2621 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RQ3E120GNTB

RQ3E120GNTB SMD N channel transistors

на замовлення 2975 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

12+	25.17 грн
62+	16.52 грн
171+	15.64 грн

Мінімальне замовлення: 12

RQ3E120GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT

на замовлення 2621 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RQ3E130BNTB

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 52A; 16W; HSMT8
Case: HSMT8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
On-state resistance: 9.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 16W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 52A

товар відсутній

RQ3E130BNTB

товар відсутній

RQ3E130BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RQ3E130BNTB

Description: ROHM - RQ3E130BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.0044 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 16W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RQ3E130BNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 2976 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	42.72 грн
10+	33.06 грн
100+	21.65 грн
500+	16.94 грн
1000+	13.71 грн
3000+	11.67 грн
9000+	10.75 грн

Мінімальне замовлення: 8

RQ3E130BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.3 грн
10+	33.02 грн
100+	22.98 грн
500+	16.84 грн
1000+	13.68 грн

Мінімальне замовлення: 8

RQ3E130BNTB

Description: ROHM - RQ3E130BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.0044 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 16W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 16W
Bauform - Transistor: HSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RQ3E130MNTB1

Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT

на замовлення 2969 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RQ3E130MNTB1

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 1499 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	102.5 грн
10+	90.53 грн
100+	61.36 грн
500+	50.68 грн

Мінімальне замовлення: 4

RQ3E130MNTB1

Description: MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8

товар відсутній

RQ3E150BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RQ3E150BNTB

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 60A; 17W; HSMT8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Case: HSMT8
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 7.4mΩ
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 17W
Kind of channel: enhanced
Gate charge: 45nC
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

RQ3E150BNTB

товар відсутній

RQ3E150BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT

товар відсутній

RQ3E150BNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 956 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

RQ3E150GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 15 V

на замовлення 19165 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.82 грн
10+	34.19 грн
100+	23.74 грн
500+	17.4 грн
1000+	14.14 грн

Мінімальне замовлення: 8

RQ3E150GNTB

Description: ROHM - RQ3E150GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.0047 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	29.88 грн
33+	24.44 грн
100+	15.61 грн

Мінімальне замовлення: 27

RQ3E150GNTB

RQ3E150GNTB SMD N channel transistors

товар відсутній

RQ3E150GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 15 V

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.99 грн
6000+	12.79 грн
9000+	11.87 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ3E150GNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 599 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	41.82 грн
10+	33.14 грн
100+	18.13 грн
1000+	14.34 грн

Мінімальне замовлення: 8

RQ3E150GNTB

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	15.61 грн

Мінімальне замовлення: 100

RQ3E150MNTB1

MOSFET

товар відсутній

RQ3E150MNTB1

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT

на замовлення 2355 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RQ3E150MNTB1

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT

товар відсутній

RQ3E160ADTB

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 64A; 2W; HSMT8
Case: HSMT8
Mounting: SMD
On-state resistance: 7mΩ
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2W
Pulsed drain current: 64A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 51nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V

товар відсутній

RQ3E160ADTB

Description: ROHM - RQ3E160ADTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0035 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1513 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	61.5 грн
17+	46.99 грн
100+	32.09 грн
500+	28.77 грн
1000+	25.68 грн

Мінімальне замовлення: 13

RQ3E160ADTB

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 15 V

товар відсутній

RQ3E160ADTB

MOSFETs Nch 30V 16A Middle Power MOSFET

на замовлення 5885 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	39.69 грн
10+	33.87 грн
100+	20.38 грн
500+	17.01 грн
1000+	16.52 грн

Мінімальне замовлення: 9

RQ3E160ADTB

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 15 V

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RQ3E160ADTB

на замовлення 1513 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	32.09 грн
500+	28.77 грн
1000+	25.68 грн

Мінімальне замовлення: 100

RQ3E160ADTB

товар відсутній

RQ3E160ADTB1

Description: NCH 30V 16A MIDDLE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	50.96 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ3E160ADTB1

MOSFETs MOSFET

на замовлення 6990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	115.62 грн
10+	93.76 грн
100+	63.26 грн
500+	53.63 грн
1000+	49.06 грн
3000+	41.61 грн
9000+	38.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

RQ3E160ADTB1

Description: NCH 30V 16A MIDDLE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	120.13 грн
10+	103.38 грн
100+	80.62 грн
500+	62.51 грн
1000+	49.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

RQ3E180AJTB

ROHM - Japan

MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8 8-PowerVDFN RQ3E180AJTB TRQ3e180ajtb
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 50 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

30+	21.37 грн

Мінімальне замовлення: 30

RQ3E180AJTB

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 15 V

на замовлення 16173 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.5 грн
10+	43.71 грн
100+	34 грн
500+	27.04 грн
1000+	26.75 грн

Мінімальне замовлення: 6

RQ3E180AJTB

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; Idm: 72A; 30W; HSMT8
Mounting: SMD
Case: HSMT8
Drain current: 30A
On-state resistance: 5.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 39nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2936 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	80.42 грн
10+	69.34 грн
25+	60.09 грн
38+	27.15 грн
104+	25.74 грн
250+	25.65 грн

Мінімальне замовлення: 4

RQ3E180AJTB

на замовлення 2936 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	67.02 грн
10+	55.64 грн
25+	50.08 грн
38+	22.62 грн
104+	21.45 грн
250+	21.38 грн

Мінімальне замовлення: 6

RQ3E180AJTB

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 15 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.6 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ3E180AJTB

MOSFETs Nch 30V 18A Middle Power MOSFET

на замовлення 6011 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.45 грн
10+	48.09 грн
100+	32.54 грн
500+	28.4 грн

Мінімальне замовлення: 6

RQ3E180AJTB1

Description: NCH 30V 18A MIDDLE POWER MOSFET:

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	139.14 грн
10+	84.49 грн
100+	62.54 грн
500+	53.94 грн
1000+	44.42 грн

Мінімальне замовлення: 3

RQ3E180AJTB1

Description: NCH 30V 18A MIDDLE POWER MOSFET:

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	46.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ3E180AJTB1

MOSFETs MOSFET

на замовлення 2446 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	112.34 грн
10+	91.34 грн
100+	61.29 грн
500+	51.94 грн
1000+	47.44 грн
3000+	40.34 грн
9000+	37.53 грн

Мінімальне замовлення: 3

RQ3E180BNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 2431 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	51.09 грн
10+	44.21 грн
100+	26.57 грн
500+	22.14 грн
1000+	18.91 грн
3000+	16.8 грн
6000+	15.88 грн

Мінімальне замовлення: 7

RQ3E180BNTB

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ3E180BNTB

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V

на замовлення 5210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	48.66 грн
10+	40.34 грн
100+	27.89 грн
500+	21.86 грн
1000+	18.61 грн

Мінімальне замовлення: 7

RQ3E180BNTB

RQ3E180BNTB SMD N channel transistors

товар відсутній

RQ3E180BNTB1

Description: NCH 30V 39A MIDDLE POWER MOSFET:
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V

на замовлення 2820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	138.38 грн
10+	84.12 грн
100+	62.27 грн
500+	53.7 грн
1000+	44.22 грн

Мінімальне замовлення: 3

RQ3E180BNTB1

MOSFET MOSFET

на замовлення 5885 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	126.28 грн
10+	101.84 грн
100+	69.3 грн
500+	58.55 грн
1000+	53.56 грн
3000+	45.47 грн
9000+	42.31 грн

Мінімальне замовлення: 3

RQ3E180BNTB1

Description: NCH 30V 39A MIDDLE POWER MOSFET:
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V

товар відсутній

RQ3E180GNTB

MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 2994 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	52.64 грн
10+	44.62 грн
100+	26.85 грн
500+	22.42 грн
1000+	19.12 грн
3000+	17.01 грн
6000+	16.1 грн

Мінімальне замовлення: 7

RQ3E180GNTB

RQ3E180GNTB SMD N channel transistors

товар відсутній

RQ3E180GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V

на замовлення 4770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.9 грн
10+	39.76 грн
100+	27.55 грн
500+	21.6 грн
1000+	18.39 грн

Мінімальне замовлення: 7

RQ3E180GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.12 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ3G100GNTB

Description: MOSFET N-CH 40V 10A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 20 V

на замовлення 122311 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	36.49 грн
10+	30.16 грн
100+	22.5 грн
500+	16.59 грн
1000+	12.82 грн

Мінімальне замовлення: 9

RQ3G100GNTB

Description: ROHM - RQ3G100GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.011 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4774 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	31.22 грн
31+	25.86 грн
100+	24.21 грн
500+	21.01 грн
1000+	17.98 грн

Мінімальне замовлення: 26

RQ3G100GNTB

Description: MOSFET N-CH 40V 10A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 20 V

на замовлення 116812 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.94 грн
6000+	11.65 грн
15000+	10.85 грн
30000+	9.65 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ3G100GNTB

MOSFET Nch 40V 10A Power MOSFET

на замовлення 18354 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	38.87 грн
10+	33.54 грн
100+	20.24 грн
500+	15.81 грн
1000+	12.86 грн
3000+	10.82 грн
9000+	10.05 грн

Мінімальне замовлення: 9

RQ3G100GNTB

RQ3G100GNTB SMD N channel transistors

товар відсутній

RQ3G110ATTB

Description: ROHM - RQ3G110ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.0098 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 5537 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	128.52 грн
10+	98.56 грн
100+	75.06 грн
500+	58.21 грн
1000+	43.73 грн
5000+	40.68 грн

Мінімальне замовлення: 7

RQ3G110ATTB

Description: PCH -40V -35A, HSMT8, POWER MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 20 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	48.48 грн
6000+	44.93 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ3G110ATTB

MOSFETs Pch -40V -35A, HSMT8, Power MOSFET

на замовлення 1419 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	116.44 грн
10+	95.38 грн
100+	66 грн
250+	61.29 грн
500+	55.6 грн
1000+	47.65 грн
3000+	45.26 грн

Мінімальне замовлення: 3

RQ3G110ATTB

Description: PCH -40V -35A, HSMT8, POWER MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 20 V

на замовлення 8426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	107.96 грн
10+	86.03 грн
100+	68.46 грн
500+	54.36 грн
1000+	46.12 грн

Мінімальне замовлення: 3

RQ3G120BJFRATCB

MOSFETs Pch -40V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.26 грн
10+	61.75 грн
100+	41.82 грн
500+	35.42 грн
1000+	33.46 грн
3000+	28.47 грн
6000+	26.92 грн

Мінімальне замовлення: 5

RQ3G150GNTB

Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT

на замовлення 1402 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RQ3G150GNTB

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 39A; Idm: 60A; 20W; HSMT8
Power dissipation: 20W
Case: HSMT8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 60A
Gate charge: 24.1nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 39A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.9mΩ

товар відсутній

RQ3G150GNTB

Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT

товар відсутній

RQ3G150GNTB

товар відсутній

RQ3G150GNTB

MOSFET Nch 40V 30Aw Si MOSFET

на замовлення 3905 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	93.48 грн
10+	72.18 грн
100+	50.96 грн
500+	43.79 грн
1000+	35.71 грн
3000+	33.17 грн
6000+	31.98 грн

Мінімальне замовлення: 4

RQ3G270BJFRATCB

Description: ROHM - RQ3G270BJFRATCB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 27 A, 0.022 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	127.73 грн
10+	93.04 грн
100+	73.01 грн

Мінімальне замовлення: 7

RQ3G270BKFRATCB

MOSFETs Automotive Nch 40V 27A Power MOSFET for ADAS/Info./Lighting/Body.

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	102.5 грн
10+	82.45 грн
100+	56.3 грн
500+	47.65 грн
1000+	40.63 грн
3000+	34.51 грн

Мінімальне замовлення: 4

RQ3L050GNTB

RQ3L050GNTB SMD N channel transistors

товар відсутній

RQ3L050GNTB

Description: ROHM - RQ3L050GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.061 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 14.8W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	66.31 грн
15+	56.3 грн
100+	35.09 грн
500+	27.24 грн
1000+	19.33 грн

Мінімальне замовлення: 12

RQ3L050GNTB

MOSFET Nch 60V 12A Si MOSFET

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

RQ3L050GNTB

на замовлення 2740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	35.09 грн
500+	27.24 грн
1000+	19.33 грн

Мінімальне замовлення: 100

RQ3L070ATTB

Description: ROHM - RQ3L070ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 25 A, 0.022 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: HSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	66.31 грн
500+	52.13 грн
1000+	36.9 грн

Мінімальне замовлення: 100

RQ3L070ATTB

Description: PCH -60V -25A, HSMT8, POWER MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 30 V

на замовлення 5472 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	99.6 грн
10+	78.27 грн
100+	60.86 грн
500+	48.41 грн
1000+	39.44 грн

Мінімальне замовлення: 4

RQ3L070ATTB

MOSFET Pch -60V -25A, HSMT8, Power MOSFET

на замовлення 10467 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	108.24 грн
10+	88.1 грн
100+	59.11 грн
500+	50.04 грн
1000+	40.77 грн
3000+	38.38 грн
6000+	36.55 грн

Мінімальне замовлення: 4

RQ3L070ATTB

Description: ROHM - RQ3L070ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 25 A, 0.022 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	118.27 грн
10+	90.67 грн
100+	66.31 грн
500+	52.13 грн
1000+	36.9 грн

Мінімальне замовлення: 7

RQ3L070ATTB

Description: PCH -60V -25A, HSMT8, POWER MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 30 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	41.08 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ3L070ATTB

RQ3L070ATTB SMD P channel transistors

товар відсутній

RQ3L070BGTB1

MOSFET NCH 60V 20A, HSMT8G

на замовлення 5770 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	70.19 грн
10+	56.74 грн
100+	38.45 грн
500+	32.54 грн
1000+	29.8 грн
3000+	25.3 грн
6000+	24.04 грн

Мінімальне замовлення: 5

RQ3L090GNTB

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 36A; 20W; HSMT8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 20W
Case: HSMT8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

RQ3L090GNTB

Description: MOSFET N-CH 60V 9A/30A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 30 V

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.52 грн
10+	96.64 грн
100+	75.32 грн
500+	58.39 грн
1000+	46.1 грн

Мінімальне замовлення: 3

RQ3L090GNTB

MOSFET Nch 60V 30A Middle Power MOSFET

на замовлення 5750 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	108.24 грн
10+	88.1 грн
100+	59.04 грн
500+	49.97 грн
1000+	40.7 грн
3000+	38.38 грн
6000+	36.55 грн

Мінімальне замовлення: 4

RQ3L090GNTB

Description: MOSFET N-CH 60V 9A/30A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 30 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	47.61 грн
6000+	43.56 грн
15000+	41.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ3L090GNTB

товар відсутній

RQ3L120BKFRATCB

MOSFETs Nch 60V 12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.29 грн
10+	64.26 грн
100+	43.44 грн
500+	36.9 грн
1000+	32.47 грн
3000+	27.55 грн
6000+	26.92 грн

Мінімальне замовлення: 5

RQ3L270BKFRATCB

MOSFETs Nch 60V 27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	106.6 грн
10+	86.49 грн
100+	58.9 грн
500+	49.9 грн
1000+	42.52 грн
3000+	36.13 грн

Мінімальне замовлення: 4

RQ3L270BLFRATCB

MOSFETs Nch 60V 27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	106.6 грн
10+	86.49 грн
100+	58.9 грн
500+	49.9 грн
1000+	42.52 грн
3000+	36.13 грн

Мінімальне замовлення: 4

RQ3P045ATTB1

MOSFET RQ3P045AT is a low on-resistance MOSFET suitable for switching and load switches.

на замовлення 2619 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	120.54 грн
10+	98.61 грн
100+	68.67 грн
250+	62.91 грн
500+	57.07 грн
1000+	51.73 грн
3000+	44.98 грн

Мінімальне замовлення: 3

RQ3P045ATTB1

Description: PCH -100V -14.5A POWER MOSFET: R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 50 V

товар відсутній

RQ3P045ATTB1

Description: PCH -100V -14.5A POWER MOSFET: R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 50 V

на замовлення 2798 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.52 грн
10+	89.76 грн
100+	71.42 грн
500+	56.71 грн
1000+	48.12 грн

Мінімальне замовлення: 3

RQ3P300BETB1

Description: MOSFET N-CH 100V 10A/36A 8HSMT

товар відсутній

RQ3P300BETB1

Description: MOSFET N-CH 100V 10A/36A 8HSMT

товар відсутній

RQ3P300BHTB1

Description: NCH 100V 39A, HSMT8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 50 V

на замовлення 14405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	168.03 грн
10+	134.06 грн
100+	106.72 грн
500+	84.75 грн
1000+	71.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

RQ3P300BHTB1

Description: NCH 100V 39A, HSMT8, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 50 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	75.59 грн
6000+	70.06 грн
9000+	67.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ3P300BHTB1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 39A; Idm: 40A; 32W; HSMT8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 39A
On-state resistance: 24mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 32W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Case: HSMT8

товар відсутній

RQ3P300BHTB1

MOSFET Nch 100V 39A, HSMT8, Power MOSFET.

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

RQ3P300BHTB1