Технічний опис RQ3E150BNTB Rohm Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 60A; 17W; HSMT8, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 39A, Case: HSMT8, Polarisation: unipolar, On-state resistance: 7.4mΩ, Pulsed drain current: 60A, Power dissipation: 17W, Kind of channel: enhanced, Gate charge: 45nC, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції RQ3E150BNTB
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RQ3E150BNTB | Виробник : ROHM Semiconductor |
 MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET |
на замовлення 956 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| RQ3E150BNTB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 60A; 17W; HSMT8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 39A Case: HSMT8 Polarisation: unipolar On-state resistance: 7.4mΩ Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 17W Kind of channel: enhanced Gate charge: 45nC Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
RQ3E150BNTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT |
товар відсутній |
|
| RQ3E150BNTB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 60A; 17W; HSMT8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 39A Case: HSMT8 Polarisation: unipolar On-state resistance: 7.4mΩ Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 17W Kind of channel: enhanced Gate charge: 45nC Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |