RQ3G150GNTB

RQ3G150GNTB ROHM Semiconductor


RQ3G150GN Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET Nch 40V 30Aw Si MOSFET
на замовлення 3905 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+94.39 грн
10+ 72.88 грн
100+ 51.45 грн
500+ 44.22 грн
1000+ 36.05 грн
3000+ 33.5 грн
6000+ 32.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ3G150GNTB ROHM Semiconductor

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 39A; Idm: 60A; 20W; HSMT8, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 39A, Pulsed drain current: 60A, Power dissipation: 20W, Case: HSMT8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 8.9mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 24.1nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції RQ3G150GNTB

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RQ3G150GNTB RQ3G150GNTB Виробник : Rohm Semiconductor RQ3G150GN Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT
на замовлення 1402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RQ3G150GNTB Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR RQ3G150GN Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 39A; Idm: 60A; 20W; HSMT8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 20W
Case: HSMT8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
RQ3G150GNTB RQ3G150GNTB Виробник : Rohm Semiconductor RQ3G150GN Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT
товару немає в наявності
RQ3G150GNTB Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR RQ3G150GN Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 39A; Idm: 60A; 20W; HSMT8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 20W
Case: HSMT8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності