RQ3E075ATTB

RQ3E075ATTB ROHM Semiconductor


RQ3E075AT Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET Pch -30V -18A Si MOSFET
на замовлення 2463 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+92.31 грн
10+ 81.9 грн
100+ 55.53 грн
500+ 45.89 грн
1000+ 36.25 грн
3000+ 33.74 грн
6000+ 32.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ3E075ATTB ROHM Semiconductor

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; Idm: -30A; 15W; HSMT8, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -30V, Drain current: -18A, Pulsed drain current: -30A, Power dissipation: 15W, Case: HSMT8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 33mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 21nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції RQ3E075ATTB

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RQ3E075ATTB RQ3E075ATTB Виробник : Rohm Semiconductor RQ3E075AT Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT
на замовлення 1181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RQ3E075ATTB Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR RQ3E075AT Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; Idm: -30A; 15W; HSMT8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 15W
Case: HSMT8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RQ3E075ATTB RQ3E075ATTB Виробник : Rohm Semiconductor RQ3E075AT Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT
товар відсутній
RQ3E075ATTB Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR RQ3E075AT Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; Idm: -30A; 15W; HSMT8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 15W
Case: HSMT8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній