RQ3C150BCTB Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 29.7 грн |
| 6000+ | 28.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RQ3C150BCTB Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 20W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RQ3C150BCTB за ціною від 29.52 грн до 94.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RQ3C150BCTB | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs Pch -20V -30A Si MOSFET |
на замовлення 5745 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RQ3C150BCTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 10 V |
на замовлення 9148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RQ3C150BCTB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
RQ3C150BCTB SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |