RQ3E130BNTB Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 41.24 грн |
| 10+ | 33.79 грн |
| 100+ | 23.52 грн |
| 500+ | 17.23 грн |
| 1000+ | 14.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RQ3E130BNTB Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RQ3E130BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.0044 ohm, HSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 16W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 16W, Bauform - Transistor: HSMT, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RQ3E130BNTB за ціною від 11.01 грн до 43.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RQ3E130BNTB | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET |
на замовлення 2976 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RQ3E130BNTB | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RQ3E130BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.0044 ohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 16W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 16W Bauform - Transistor: HSMT Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
RQ3E130BNTB | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RQ3E130BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.0044 ohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 16W Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
RQ3E130BNTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| RQ3E130BNTB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 52A; 16W; HSMT8 Case: HSMT8 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Drain-source voltage: 30V Drain current: 39A On-state resistance: 9.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 16W Polarisation: unipolar Gate charge: 36nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 52A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| RQ3E130BNTB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 52A; 16W; HSMT8 Case: HSMT8 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Drain-source voltage: 30V Drain current: 39A On-state resistance: 9.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 16W Polarisation: unipolar Gate charge: 36nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 52A |
товар відсутній |