Продукція > IPU

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPU039N03LAG

на замовлення 43200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPU039N03LGXK

Description: MOSFET N-CH 30V 50A IPAK

на замовлення 283 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPU04N03LA

05+

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPU04N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: P-TO251-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5199 pF @ 15 V

товар відсутній

IPU04N03LA G

товар відсутній

IPU04N03LAG

07+ 251

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPU04N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: P-TO251-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

товар відсутній

IPU050N03L G

MOSFETs N-Ch 30V 50A IPAK-3

товар відсутній

IPU050N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

товар відсутній

IPU05N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3

товар відсутній

IPU05N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3

товар відсутній

IPU060N03L

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPU060N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

товар відсутній

IPU060N03LG

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPU06N03LA

03+

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPU06N03LA

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товар відсутній

IPU06N03LA G (транзистор)
Код товару: 47339

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товар відсутній

IPU06N03LAG

MOSFET N-Ch 25V 50A IPAK-3

товар відсутній

IPU06N03LAG

на замовлення 54300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPU06N03LAGBKMA1

MOSFET

товар відсутній

IPU06N03LAGXK

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: P-TO251-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V

товар відсутній

IPU06N03LANK

MOSFET

товар відсутній

IPU06N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

товар відсутній

IPU06N03LBG

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товар відсутній

IPU06N03LZ

07+;

на замовлення 76500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPU06N03LZ

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товар відсутній

IPU06N03LZG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2783 pF @ 15 V

на замовлення 171000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

650+	32.38 грн

Мінімальне замовлення: 650

IPU06N03LZG

MOSFET N-Ch 25V 50A IPAK-3

товар відсутній

IPU06N03LZG

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU06N03LZG - IPU06N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR,
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 171000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

625+	39.91 грн

Мінімальне замовлення: 625

IPU06N03LZNK

MOSFET

товар відсутній

IPU075N03L

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPU075N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

товар відсутній

IPU075N03LAG

на замовлення 25300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPU07N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: P-TO251-3-1
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V

товар відсутній

IPU090N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V

товар відсутній

IPU09N03LA

0339+

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPU09N03LA

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товар відсутній

IPU09N03LA G

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товар відсутній

IPU09N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V

товар відсутній

IPU09N03LAG

07+;

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPU09N03LAG

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPU09N03LAG

06+

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPU09N03LAGBKMA1

MOSFET

товар відсутній

IPU09N03LANK

MOSFET

товар відсутній

IPU09N03LB

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPU09N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V

товар відсутній

IPU09N03LBG

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPU103N08N3 G

Description: MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 40 V

товар відсутній

IPU103N80N3

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPU105N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 35A TO251-3

товар відсутній

IPU10N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO251-3

товар відсутній

IPU10N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO251-3

товар відсутній

IPU10N03LANK

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товар відсутній

IPU12N03L

03+

на замовлення 1451 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPU135N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V

товар відсутній

IPU135N08N3 G

Description: MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3

товар відсутній

IPU135N08N3G

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPU135N08N3GBKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товар відсутній

IPU13N03LA

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товар відсутній

IPU13N03LA

03+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPU13N03LA G

MOSFET N-Ch 25V 30A IPAK-3

товар відсутній

IPU13N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: P-TO251-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 15 V

товар відсутній

IPU13N03LAG

TO251 06+

на замовлення 3800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPU13N03LANK

MOSFET

товар відсутній

IPU20N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: P-TO251-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V

товар відсутній

IPU3004

IOR

на замовлення 75 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPU50R1K4CE

MOSFET N-Ch 500V 3.1A IPAK-3

на замовлення 1280 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPU50R1K4CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V

на замовлення 416723 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2049+	10.56 грн

Мінімальне замовлення: 2049

IPU50R1K4CEAKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R1K4CEAKMA1 - IPU50R1K4 - 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 416723 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1973+	12.68 грн

Мінімальне замовлення: 1973

IPU50R1K4CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V

товар відсутній

IPU50R1K4CEAKMA1

MOSFET CONSUMER

товар відсутній

IPU50R1K4CEBKMA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.1A; 25W; IPAK
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of package: tube
On-state resistance: 1.4Ω
Drain current: 3.1A
Drain-source voltage: 500V
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPU50R1K4CEBKMA1

товар відсутній

IPU50R1K4CEBKMA1

MOSFET N-Ch 500V 3.1A IPAK-3

на замовлення 1319 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPU50R1K4CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V

товар відсутній

IPU50R1K4CEBKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R1K4CEBKMA1 - IPU50R1K4 - 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1829 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPU50R2K0CE

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET CE
Packaging: Bulk

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2308+	9.64 грн

Мінімальне замовлення: 2308

IPU50R2K0CEAKMA1

MOSFET CONSUMER

товар відсутній

IPU50R2K0CEAKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R2K0CEAKMA1 - IPU50R2K0 - 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 75000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2223+	11.22 грн

Мінімальне замовлення: 2223

IPU50R2K0CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V

товар відсутній

IPU50R2K0CEBKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R2K0CEBKMA1 - IPU50R2K0 - 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1075 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPU50R2K0CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V

товар відсутній

IPU50R2K0CEBKMA1

MOSFET N-Ch 500V 2.4A IPAK-3

на замовлення 1455 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPU50R3K0CE

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET CE
Packaging: Bulk

на замовлення 250540 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2597+	8.9 грн

Мінімальне замовлення: 2597

IPU50R3K0CE

MOSFET N-Ch 500V 1.7A IPAK-3

на замовлення 65 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPU50R3K0CEAKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R3K0CEAKMA1 - IPU50R3K0 - 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 261040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	10 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPU50R3K0CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 1.7A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V

товар відсутній

IPU50R3K0CEAKMA1

MOSFET CONSUMER

товар відсутній

IPU50R3K0CEBKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R3K0CEBKMA1 - IPU50R3K0 - 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 25539 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	10 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPU50R3K0CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 1.7A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V

товар відсутній

IPU50R3K0CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 1.7A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V

на замовлення 25539 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2597+	8.45 грн

Мінімальне замовлення: 2597

IPU50R950CE

Trans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPU50R950CE

MOSFET N-Ch 500V 12.8A IPAK-3

на замовлення 80 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPU50R950CE

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V

на замовлення 235740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1731+	12.61 грн

Мінімальне замовлення: 1731

IPU50R950CEAKMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251

товар відсутній

IPU50R950CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V

на замовлення 119025 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1731+	11.97 грн

Мінімальне замовлення: 1731

IPU50R950CEAKMA1

товар відсутній

IPU50R950CEAKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R950CEAKMA1 - IPU50R950 COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 163349 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1667+	14.96 грн

Мінімальне замовлення: 1667

IPU50R950CEAKMA2

MOSFET CONSUMER

товар відсутній

IPU50R950CEAKMA2

товар відсутній

IPU50R950CEAKMA2

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R950CEAKMA2 - IPU50R950 - 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 333240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1667+	14.96 грн

Мінімальне замовлення: 1667

IPU50R950CEBKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R950CEBKMA1 - IPU50R950 - 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1667+	14.96 грн

Мінімальне замовлення: 1667

IPU50R950CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V

на замовлення 5380 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1731+	11.97 грн

Мінімальне замовлення: 1731

IPU50R950CEBKMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товар відсутній

IPU50R950CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V

товар відсутній

IPU50R950CEBTMA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-345
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V

на замовлення 4380 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1731+	12.61 грн

Мінімальне замовлення: 1731

IPU60R1K0CE

Infineon technologies

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPU60R1K0CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V TO-251-3

товар відсутній

IPU60R1K0CEAKMA2

Trans MOSFET N-CH 600V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1500+	16.74 грн

Мінімальне замовлення: 1500

IPU60R1K0CEAKMA2

Description: MOSFET N-CH 600V 4.3A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V

товар відсутній

IPU60R1K0CEAKMA2

MOSFET CONSUMER

товар відсутній

IPU60R1K0CEAKMA2

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU60R1K0CEAKMA2 - IPU60R1K0 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	24.95 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPU60R1K0CEBKMA1

MOSFET N-Ch 600V 4.3A IPAK-3

на замовлення 395 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPU60R1K0CEBKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товар відсутній

IPU60R1K0CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V TO-251-3

на замовлення 485 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPU60R1K4C6

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO-251-3-341
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V

на замовлення 2370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1072+	21.94 грн

Мінімальне замовлення: 1072

IPU60R1K4C6

MOSFET N-Ch 650V 3.2A IPAK-3

на замовлення 1384 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPU60R1K4C6AKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V

на замовлення 2370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

989+	21.63 грн

Мінімальне замовлення: 989

IPU60R1K4C6AKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU60R1K4C6AKMA1 - IPU60R1K4 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

953+	26.17 грн

Мінімальне замовлення: 953

IPU60R1K4C6AKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товар відсутній

IPU60R1K4C6AKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V

товар відсутній

IPU60R1K4C6BKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товар відсутній

IPU60R1K4C6BKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3

на замовлення 40500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPU60R1K4C6BKMA1

MOSFET N-Ch 650V 3.2A IPAK-3

на замовлення 37 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPU60R1K4C6BKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU60R1K4C6BKMA1 - IPU60R1K4 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 40500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	31.21 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPU60R1K5CEAKMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 5A Tube

товар відсутній

IPU60R1K5CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V TO-251-3

товар відсутній

IPU60R1K5CEAKMA2

Description: MOSFET N-CH 600V 3.1A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V

на замовлення 988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	45.46 грн
75+	36.08 грн
150+	26.18 грн
525+	20.53 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPU60R1K5CEAKMA2

MOSFETs N

на замовлення 2928 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	57.4 грн
10+	43.74 грн
100+	26.3 грн
500+	21.16 грн
1000+	19.56 грн
1500+	17.82 грн
4500+	14.49 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPU60R1K5CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 3.1A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V

товар відсутній

IPU60R1K5CEBKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU60R1K5CEBKMA1 - IPU60R1K5 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 193000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

916+	27.23 грн

Мінімальне замовлення: 916

IPU60R1K5CEBKMA1

MOSFET N-Ch 600V 3.1A IPAK-3

на замовлення 1170 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPU60R2K0C6

MOSFET N-Ch 650V 2.4A IPAK-3

на замовлення 1351 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPU60R2K0C6AKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU60R2K0C6AKMA1 - IPU60R2K0 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 47296 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1112+	22.43 грн

Мінімальне замовлення: 1112

IPU60R2K0C6AKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товар відсутній

IPU60R2K0C6AKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 760mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V

на замовлення 47296 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1154+	18.82 грн

Мінімальне замовлення: 1154

IPU60R2K0C6AKMA1

товар відсутній

IPU60R2K0C6AKMA1

MOSFET

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPU60R2K0C6BKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU60R2K0C6BKMA1 - IPU60R2K0 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 352500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

950+	26.25 грн

Мінімальне замовлення: 950

IPU60R2K0C6BKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товар відсутній

IPU60R2K0C6BKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-251

на замовлення 1261 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPU60R2K1CE

Infineon technologies

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPU60R2K1CEAKMA1

Description: INFINEON - IPU60R2K1CEAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 1.8 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1449 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	56.33 грн
19+	44.62 грн
100+	28.93 грн
500+	20.98 грн
1000+	12.4 грн

Мінімальне замовлення: 15

IPU60R2K1CEAKMA1

MOSFET CONSUMER

на замовлення 4389 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	51.9 грн
10+	42.99 грн
100+	27.46 грн
500+	21.59 грн
1000+	16.74 грн
1500+	15.14 грн
10500+	12.75 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPU60R2K1CEAKMA1

Description: CONSUMER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V

товар відсутній

IPU60R2K1CEAKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товар відсутній

IPU60R2K1CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 2.3A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V

товар відсутній

IPU60R2K1CEBKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU60R2K1CEBKMA1 - IPU60R2K1 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 6512 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1819+	13.74 грн

Мінімальне замовлення: 1819

IPU60R2K1CEBKMA1

на замовлення 6512 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1888+	11.87 грн

Мінімальне замовлення: 1888

IPU60R3K4CEAKMA1

Description: CONSUMER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V

на замовлення 13500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2308+	9.41 грн

Мінімальне замовлення: 2308

IPU60R3K4CEAKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU60R3K4CEAKMA1 - IPU60R3K4 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 755 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPU60R3K4CEAKMA1

Description: CONSUMER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V

товар відсутній

IPU60R3K4CEAKMA1

MOSFET

на замовлення 1475 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPU60R600C6

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

IPU60R600C6AKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V

товар відсутній

IPU60R600C6AKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товар відсутній

IPU60R600C6BKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO251-3

на замовлення 977 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPU60R600C6BKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товар відсутній

IPU60R950C6

MOSFET N-Ch 650V 4.4A IPAK-3

товар відсутній

IPU60R950C6AKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V

товар відсутній

IPU60R950C6AKMA1

MOSFET LOW POWER_LEGACY

на замовлення 1265 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPU60R950C6AKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товар відсутній

IPU60R950C6AKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU60R950C6AKMA1 - IPU60R950 COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 118421 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

855+	29.18 грн

Мінімальне замовлення: 855

IPU60R950C6BKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V

товар відсутній

IPU60R950C6BKMA1

MOSFET N-Ch 650V 4.4A IPAK-3

товар відсутній

IPU60R950C6BKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товар відсутній

IPU64CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 569 pF @ 50 V

товар відсутній

IPU78CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 13A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 50 V

товар відсутній

IPU80R1K0CE

MOSFET N-Ch 800V 5.7A IPAK-3

на замовлення 1356 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	131.02 грн
10+	107.48 грн
100+	74.63 грн
250+	68.76 грн
500+	62.31 грн
1000+	53.4 грн
1500+	50.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPU80R1K0CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-341
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V

товар відсутній

IPU80R1K0CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-341
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V

на замовлення 124500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

371+	59.44 грн

Мінімальне замовлення: 371

IPU80R1K0CEAKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU80R1K0CEAKMA1 - IPU80R1K0CE 800V COOLMOS N-CHANNEL POWE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 124500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

358+	69.9 грн

Мінімальне замовлення: 358

IPU80R1K0CEAKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товар відсутній

IPU80R1K0CEAKMA1

MOSFET CONSUMER

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPU80R1K0CEBKMA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.7A; 83W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 83W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

на замовлення 948 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	40.23 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPU80R1K0CEBKMA1

на замовлення 948 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

6+	50.13 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPU80R1K0CEBKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU80R1K0CEBKMA1 - IPU80R1K0 - 800V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	49.9 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPU80R1K0CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V

на замовлення 1410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

520+	42.56 грн

Мінімальне замовлення: 520

IPU80R1K0CEBKMA1

MOSFET N-Ch 800V 5.7A IPAK-3

товар відсутній

IPU80R1K0CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V

товар відсутній

IPU80R1K2P7AKMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

товар відсутній

IPU80R1K2P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товар відсутній

IPU80R1K2P7AKMA1

800V CoolMOS P7 Power Transistor

товар відсутній

IPU80R1K2P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V

на замовлення 1425 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

597+	36.69 грн

Мінімальне замовлення: 597

IPU80R1K2P7AKMA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 443 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

5+	64.37 грн
6+	55.3 грн
25+	47.28 грн
26+	41.21 грн
71+	38.94 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPU80R1K2P7AKMA1

на замовлення 443 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	53.64 грн
9+	44.38 грн
25+	39.4 грн
26+	34.34 грн
71+	32.45 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPU80R1K2P7AKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU80R1K2P7AKMA1 - IPU80R1K2 - 800V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1425 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

575+	43.48 грн

Мінімальне замовлення: 575

IPU80R1K2P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V

товар відсутній

IPU80R1K2P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товар відсутній

IPU80R1K4CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V

товар відсутній

IPU80R1K4CEAKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товар відсутній

IPU80R1K4CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V

на замовлення 19000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

831+	26.42 грн

Мінімальне замовлення: 831

IPU80R1K4CEBKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU80R1K4CEBKMA1 - IPU80R1K4 - 800V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 18925 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	31.21 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPU80R1K4CEBKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товар відсутній

IPU80R1K4CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V

товар відсутній

IPU80R1K4P7; 4A; 800V; 1,4R; 32W; N-канальный; Корпус: IPAK; INFINEON

на замовлення 7 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

7+	100.07 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPU80R1K4P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

на замовлення 22500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1500+	40.6 грн

Мінімальне замовлення: 1500

IPU80R1K4P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товар відсутній

IPU80R1K4P7AKMA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 32W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 32W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

на замовлення 1203 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	53.64 грн
10+	40.91 грн
25+	35.85 грн
29+	31.09 грн
78+	29.43 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPU80R1K4P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товар відсутній

IPU80R1K4P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.05 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V

на замовлення 75499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

692+	30.27 грн

Мінімальне замовлення: 692

IPU80R1K4P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

158+	78.04 грн
185+	66.47 грн
217+	56.84 грн
228+	52.05 грн
500+	45.08 грн
1000+	40.65 грн
1500+	40.47 грн

Мінімальне замовлення: 158

IPU80R1K4P7AKMA1

MOSFETs N

на замовлення 1371 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.85 грн
10+	63.57 грн
100+	43.83 грн
500+	37.1 грн
1000+	30.29 грн
1500+	27.82 грн
4500+	26.3 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPU80R1K4P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товар відсутній

IPU80R1K4P7AKMA1

на замовлення 1203 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

5+	64.37 грн
6+	50.98 грн
25+	43.02 грн
29+	37.31 грн
78+	35.32 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPU80R1K4P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.05 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	107.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPU80R1K4P7AKMA1

Description: INFINEON - IPU80R1K4P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	79.73 грн
14+	60.71 грн
100+	45.27 грн
500+	35.7 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPU80R2K0P7

Infineon LOW POWER_NEW

товар відсутній

IPU80R2K0P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 500 V

товар відсутній

IPU80R2K0P7AKMA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 24W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 24W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	292.6 грн
5+	69.6 грн
18+	60.68 грн
49+	57.06 грн

IPU80R2K0P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товар відсутній

IPU80R2K0P7AKMA1

Description: INFINEON - IPU80R2K0P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 55 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	76.4 грн
14+	59.98 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPU80R2K0P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товар відсутній

IPU80R2K0P7AKMA1

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	406.39 грн

IPU80R2K0P7AKMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

товар відсутній

IPU80R2K0P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товар відсутній

IPU80R2K4P7AKMA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.7A; 22W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 22W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPU80R2K4P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товар відсутній

IPU80R2K4P7AKMA1

Description: INFINEON - IPU80R2K4P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1234 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	79.81 грн
13+	66.32 грн
100+	42.18 грн
500+	28.68 грн
1000+	21.74 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPU80R2K4P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товар відсутній

IPU80R2K4P7AKMA1

товар відсутній

IPU80R2K4P7AKMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

на замовлення 1157 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.36 грн
10+	62.41 грн
100+	37.46 грн
500+	31.3 грн
1000+	28.76 грн
1500+	23.69 грн
4500+	22.46 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPU80R2K4P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V

на замовлення 1339 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.19 грн
10+	56.91 грн
100+	39.36 грн
500+	30.86 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPU80R2K4P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товар відсутній

IPU80R2K4P7AKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU80R2K4P7AKMA1 - IPU80R2K4 - 800V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 15100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

816+	30.56 грн

Мінімальне замовлення: 816

IPU80R2K8CE

MOSFET N-Ch 800V 1.9A IPAK-3

товар відсутній

IPU80R2K8CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V

на замовлення 14499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

860+	25.68 грн

Мінімальне замовлення: 860

IPU80R2K8CEAKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU80R2K8CEAKMA1 - IPU80R2K8 - 800V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 14499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

828+	30.15 грн

Мінімальне замовлення: 828

IPU80R2K8CEAKMA1

MOSFET CONSUMER

товар відсутній

IPU80R2K8CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V

товар відсутній

IPU80R2K8CEBKMA1
Код товару: 105297

Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 800 V
Idd,A: 1,9 A
Rds(on), Ohm: 2,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/12
Монтаж: THT

у наявності 1 шт:

1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

1+	38 грн

IPU80R2K8CEBKMA1

MOSFET N-Ch 800V 1.9A IPAK-3

товар відсутній

IPU80R2K8CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V

товар відсутній

IPU80R2K8CEBKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товар відсутній

IPU80R3K3P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V

товар відсутній

IPU80R3K3P7AKMA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.3A; 18W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 18W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

товар відсутній

IPU80R3K3P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товар відсутній

IPU80R3K3P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товар відсутній

IPU80R3K3P7AKMA1

товар відсутній

IPU80R3K3P7AKMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	67.62 грн
10+	57.24 грн
100+	33.18 грн
500+	27.82 грн
1000+	26.01 грн
1500+	21.23 грн
4500+	20.21 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPU80R3K3P7AKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU80R3K3P7AKMA1 - IPU80R3K3 - 800V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 150000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

908+	27.55 грн

Мінімальне замовлення: 908

IPU80R4K5P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товар відсутній

IPU80R4K5P7AKMA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; Idm: 2.6A; 13W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 2.6A
Power dissipation: 13W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 4nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1469 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	110.21 грн
5+	58.12 грн
25+	42.39 грн
69+	40.03 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPU80R4K5P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товар відсутній

IPU80R4K5P7AKMA1

MOSFETs N

товар відсутній

IPU80R4K5P7AKMA1

Description: INFINEON - IPU80R4K5P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.8 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 531 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	64.21 грн
16+	52.1 грн
100+	34.3 грн
500+	26.64 грн

Мінімальне замовлення: 13

IPU80R4K5P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V

на замовлення 1466 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	79.94 грн
10+	48.45 грн
100+	31.86 грн
500+	23.2 грн
1000+	21.04 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPU80R4K5P7AKMA1

на замовлення 1469 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	91.84 грн
9+	46.64 грн
25+	35.32 грн
69+	33.36 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPU80R4K5P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

278+	44.35 грн
324+	38 грн
341+	36.05 грн
500+	32.49 грн
1000+	28.26 грн
1500+	27.04 грн

Мінімальне замовлення: 278

IPU80R4K5P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товар відсутній

IPU80R600P7AKMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

товар відсутній

IPU80R600P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V

на замовлення 1456 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	114.43 грн
10+	91.4 грн
100+	72.75 грн
500+	57.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPU80R600P7AKMA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.5A; 60W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 60W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	157.68 грн
5+	131.32 грн
7+	129.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPU80R600P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товар відсутній

IPU80R600P7AKMA1

800V CoolMOS P7 Power Transistor

товар відсутній

IPU80R600P7AKMA1

на замовлення 8 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	189.21 грн
5+	163.65 грн
7+	155.77 грн
19+	147.62 грн
25+	146.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPU80R600P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товар відсутній

IPU80R750P7

Infineon LOW POWER_NEW

товар відсутній

IPU80R750P7AKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU80R750P7AKMA1 - IPU80R750 - 800V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 3535 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

439+	56.89 грн

Мінімальне замовлення: 439

IPU80R750P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товар відсутній

IPU80R750P7AKMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

на замовлення 1498 шт:

термін постачання 140-149 дні (днів)

3+	119.19 грн
10+	96.65 грн
100+	65.14 грн
500+	55.21 грн
1000+	54.34 грн
1500+	44.92 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPU80R750P7AKMA1

800V CoolMOS P7 Power Transistor

товар відсутній

IPU80R750P7AKMA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 51W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 51W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPU80R750P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товар відсутній

IPU80R750P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	111.29 грн
10+	87.93 грн
100+	68.35 грн
500+	54.37 грн
1500+	44.29 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPU80R750P7AKMA1

товар відсутній

IPU80R750P7AKMA1-ND

Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO-251-3-341
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V

на замовлення 1497 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

420+	55.65 грн

Мінімальне замовлення: 420

IPU80R900P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товар відсутній

IPU80R900P7AKMA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

на замовлення 344 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	63.4 грн
8+	52.83 грн
22+	40.76 грн
60+	38.49 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPU80R900P7AKMA1

Description: INFINEON - IPU80R900P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1489 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	39.5 грн
24+	35.19 грн
100+	35.11 грн
500+	32.53 грн
1000+	29.96 грн

Мінімальне замовлення: 21

IPU80R900P7AKMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	104.82 грн
10+	84.15 грн
100+	57.09 грн
500+	48.33 грн
1000+	44.78 грн
1500+	37.1 грн
4500+	35.28 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPU80R900P7AKMA1

P7 Power Transistor

товар відсутній

IPU80R900P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товар відсутній

IPU80R900P7AKMA1

на замовлення 344 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	76.08 грн
5+	65.84 грн
22+	48.91 грн
60+	46.19 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPU80R900P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V

на замовлення 1485 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	97.97 грн
10+	76.98 грн
100+	59.86 грн
500+	47.62 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPU95R1K2P7AKMA1

Description: INFINEON - IPU95R1K2P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 6 A, 1.03 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.03ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1708 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	79.81 грн
13+	65.43 грн
100+	50.96 грн
500+	37.28 грн
1000+	34.28 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPU95R1K2P7AKMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

на замовлення 1275 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.12 грн
10+	62.07 грн
100+	45.72 грн
500+	44.99 грн
1000+	44.7 грн
1500+	44.63 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPU95R1K2P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товар відсутній

IPU95R1K2P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	92.55 грн
10+	80.13 грн
25+	78.72 грн
100+	58.35 грн
500+	45.81 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPU95R1K2P7AKMA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 3.7A; 52W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 52W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPU95R1K2P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 950V 6A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V

на замовлення 1468 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	109.72 грн
10+	86.64 грн
100+	67.39 грн
500+	53.6 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPU95R1K2P7AKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU95R1K2P7AKMA1 - IPU95R1K2P7 950V COOLMOS N-CHANNEL POWE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

445+	56.08 грн

Мінімальне замовлення: 445

IPU95R1K2P7AKMA1

товар відсутній

IPU95R2K0P7AKMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 621-630 дні (днів)

3+	114.96 грн
10+	101.65 грн
100+	69.48 грн
500+	57.24 грн
1000+	44.63 грн
1500+	41.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPU95R2K0P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товар відсутній

IPU95R2K0P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товар відсутній

IPU95R2K0P7AKMA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 2.4A; 37W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Case: IPAK
Mounting: THT
Power dissipation: 37W
Technology: CoolMOS™ P7
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of package: tube
Gate charge: 10nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.4A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 950V
On-state resistance: 2Ω
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1271 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

5+	66.32 грн
6+	47.02 грн
24+	42.57 грн
25+	41.66 грн
66+	39.85 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPU95R2K0P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 950V 4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V

товар відсутній

IPU95R2K0P7AKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU95R2K0P7AKMA1 - IPU95R2K0P7 950V COOLMOS N-CHANNEL POWE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1501 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

568+	43.97 грн

Мінімальне замовлення: 568

IPU95R2K0P7AKMA1

на замовлення 1271 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	55.27 грн
10+	37.74 грн
24+	35.47 грн
25+	34.72 грн
66+	33.21 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPU95R2K0P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

на замовлення 1040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	32.29 грн
20+	31.73 грн

Мінімальне замовлення: 19

IPU95R2K0P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 950V 4A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V

на замовлення 6957 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

594+	36.77 грн

Мінімальне замовлення: 594

IPU95R3K7P7AKMA1

Description: INFINEON - IPU95R3K7P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 3.11 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.11ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1139 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	68.92 грн
21+	39.99 грн
100+	31.54 грн

Мінімальне замовлення: 12

IPU95R3K7P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

на замовлення 1255 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	30.45 грн
100+	27.49 грн
500+	24.87 грн
1000+	20.89 грн

Мінімальне замовлення: 20

IPU95R3K7P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 950V 2A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 400 V

на замовлення 797 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	73.67 грн
10+	57.96 грн
100+	45.07 грн
500+	35.85 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPU95R3K7P7AKMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

на замовлення 1468 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.85 грн
10+	47.16 грн
100+	35.21 грн
500+	32.24 грн
1000+	29.05 грн
1500+	27.6 грн
4500+	26.08 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPU95R3K7P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товар відсутній

IPU95R3K7P7AKMA1

IPU95R3K7P7 THT N channel transistors

товар відсутній

IPU95R450P7

Infineon LOW POWER_NEW

товар відсутній

IPU95R450P7AKMA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 104W; IPAK
Mounting: THT
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 8.6A
On-state resistance: 0.45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 35nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: IPAK

товар відсутній

IPU95R450P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

товар відсутній

IPU95R450P7AKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU95R450P7AKMA1 - IPU95R450P7 MOSFET N-CHANNEL SINGLE 950
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

244+	102.41 грн

Мінімальне замовлення: 244

IPU95R450P7AKMA1

товар відсутній

IPU95R450P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	218.19 грн
10+	160.4 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPU95R450P7AKMA1

Description: INFINEON - IPU95R450P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 14 A, 0.38 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1349 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	208.07 грн
10+	147.93 грн
100+	117.04 грн
500+	76.23 грн
1000+	63.12 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPU95R450P7AKMA1

MOSFETs N

на замовлення 2688 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	190.19 грн
10+	150.81 грн
100+	107.96 грн
250+	103.61 грн
500+	91.29 грн
1000+	77.53 грн
1500+	73.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPU95R450P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

товар відсутній

IPU95R450P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 950V 14A TO251-3

на замовлення 972 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	271.18 грн
10+	234.79 грн
100+	188.74 грн
500+	145.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPU95R750P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

на замовлення 2332 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	110.93 грн
10+	95.7 грн
100+	76.39 грн
500+	63.11 грн
1000+	49.64 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPU95R750P7AKMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

на замовлення 2274 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	208.79 грн
10+	185.81 грн
100+	128.97 грн
500+	105.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPU95R750P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 950V 9A TO251-3

товар відсутній

IPU95R750P7AKMA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 73W; IPAK
Mounting: THT
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 73W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 23nC
Technology: CoolMOS™ P7
Case: IPAK
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V

товар відсутній

IPU95R750P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товар відсутній

IPU95R750P7AKMA1

Description: INFINEON - IPU95R750P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1465 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	133.3 грн
10+	119.48 грн
25+	101.6 грн
100+	76.98 грн
500+	52.74 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPU95R750P7AKMA1

Laird Performance Materials

товар відсутній

IPUD3340151M-10

Power Inductors - SMD

товар відсутній

IPUH6N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 50A IPAK

товар відсутній

IPUH6N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

товар відсутній

IPUSB-180029-01A

Description: CUSTOM IPUSB

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPUSB-180029-02A

Description: CUSTOM IPUSB

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPUSB-2AABHD

Description: ADAPTER USB A RCPT TO USB A RCPT
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount, Bulkhead - Front Side Nut
Convert From (Adapter End): USB-A (USB TYPE-A), Receptacle
Convert To (Adapter End): USB-A (USB TYPE-A), Receptacle
Part Status: Active

товар відсутній

IPUSB-2BABHD

Description: ADAPTER USB B RCPT TO USB A RCPT
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount, Bulkhead - Front Side Nut
Convert From (Adapter End): USB-B (USB TYPE-B), Receptacle
Convert To (Adapter End): USB-A (USB TYPE-A), Receptacle
Part Status: Active

товар відсутній

IPUSB-2JAFL

Description: JACK, PNL USB W 2.0 A/0.5M FL

на замовлення 218 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPUSB-2JAFL

Description: JACK, PNL USB W 2.0 A/0.5M FL

на замовлення 436 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPUSB-2JAPC

Description: JACK, PNL USB W 2.0 A/PC TAIL
Packaging: Box
Features: Circular Threaded Coupling
Voltage - Rated: 30V
Number of Contacts: 4
Connector Type: USB-A (USB TYPE-A)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Panel Mount, Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 80°C
Specifications: USB 2.0
Termination: Solder
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Bulkhead - Front Side Nut; Vertical
Mating Cycles: 1000
Part Status: Active
Number of Ports: 1

на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	751.62 грн
10+	600 грн

IPUSB-2JBFL

Description: JACK, PNL USB W 2.0 B/0.5M FL

на замовлення 62 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPUSB-2JBPC

Description: CONN RCPT USB2.0 TYPEB 4POS PCB
Features: Circular Threaded Coupling
Packaging: Bulk
Number of Contacts: 4
Connector Type: USB-B (USB TYPE-B)
Gender: Receptacle
Mounting Type: Panel Mount, Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 2.0
Termination: Solder
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Bulkhead - Front Side Nut
Number of Ports: 1

товар відсутній

IPUSB-2WJAPA-05M

Description: CA, USB A W PNL / A STD 0.5M

на замовлення 58 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPUSB-2WJAPA-1M

Description: CA, USB A W PNL / A STD 1M

на замовлення 151 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPUSB-2WJAPA-1M

Description: CA, USB A W PNL / A STD 1M

на замовлення 302 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPUSB-2WJAPA-3M

Description: CA, USB A W PNL / A STD 3M

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPUSB-2WJAPA-5M

Description: CA, USB A W PNL / A STD 5M
Features: Data Transfer and Charge, Industrial Environments - IP67, Panel Mount
Packaging: Bulk
Color: Black
Length: 16.40' (5.00m)
Wire Gauge: 24 AWG, 28 AWG
Shielding: Shielded
Configuration: A Female to A Male (Circular Coupling)
Specifications: USB 2.0
Transfer Rate: 480Mbps

товар відсутній

IPUSB-2WJBPA-05M

Description: CA, USB B W PNL / A STD 0.5M

на замовлення 544 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPUSB-2WJBPA-05M

Description: CA, USB B W PNL / A STD 0.5M

на замовлення 272 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPUSB-2WJBPA-1M

Description: CA, USB B W PNL / A STD 1M

на замовлення 754 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPUSB-2WJBPA-1M

Description: CA, USB B W PNL / A STD 1M

на замовлення 377 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPUSB-2WJBPA-2M

Description: CA, USB B W PNL / A STD 2M

на замовлення 189 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPUSB-2WJBPA-2M

Description: CA, USB B W PNL / A STD 2M

на замовлення 378 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPUSB-2WJBPA-3M

Description: CA, USB B W PNL / A STD 3M

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPUSB-2WPAPB-1M

Description: CA, USB AP W / B STD 1M

на замовлення 520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPUSB-2WPAPB-1M

Description: CA, USB AP W / B STD 1M

на замовлення 260 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPUSB-2WPAPB-2M

Description: CA, USB AP W / B STD 2M

на замовлення 378 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPUSB-2WPAPB-2M

Description: CA, USB AP W / B STD 2M

на замовлення 189 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPUSB-2WPAWPB-1M

Description: CA, USB AP W / BP W 1M

на замовлення 275 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPUSB-2WPAWPB-1M

Description: CA, USB AP W / BP W 1M

на замовлення 550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPUSB-2WPAWPB-2M

Description: CA, USB AP W / BP W 2M

на замовлення 190 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPUSB-2WPAWPB-2M

Description: CA, USB AP W / BP W 2M

на замовлення 380 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPUSB-2WPBPB-1M

Description: CA, USB BP W / B STD 1M

на замовлення 494 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPUSB-2WPBPB-1M

Description: CA, USB BP W / B STD 1M

на замовлення 247 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPUSB-2WPBPB-2M

Description: CA, USB BP W / B STD 2M

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPUSB-2WPBPB-2M

Description: CA, USB BP W / B STD 2M

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPUSB-2WPBPB-5M

Description: CA, USB BP W / B STD 5M

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPUSB-31JCPC

Description: JACK, PNL USB W 3.1 A/PC TAIL
Packaging: Box
Features: Circular Bayonet Coupling
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Mounting Type: Panel Mount, Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Bulkhead - Front Side Nut; Vertical
Part Status: Active
Number of Ports: 1

товар відсутній

IPUSB1CS

Description: CBL A PLUG TO MINI B PLUG 4.92'
Packaging: Box
Color: Black
Length: 4.92' (1.50m)
Configuration: A Male to Mini B Male
Part Status: Active

на замовлення 479 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	309.58 грн
10+	268.45 грн
25+	241.99 грн
100+	203.57 грн
250+	183.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPUSB1CS-RW

USB Cables / IEEE 1394 Cables USBA to Mini-B USB USB Cable 1.5M

на замовлення 87 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	298.39 грн
10+	278.29 грн
25+	223.88 грн
100+	211.56 грн
180+	207.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPUSB1M5LD-R

Description: CABLE A PLUG TO MCR B PLUG 4.92'

на замовлення 7278 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	612.89 грн
10+	530.95 грн
25+	478.22 грн
100+	403.77 грн
250+	363.18 грн
500+	359.86 грн

IPUSB1M5LD-RW

USB Cables / IEEE 1394 Cables USBA to MicroB 24AWG Low Drop 1.5 meter

на замовлення 803 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	537.6 грн
10+	488.26 грн
25+	409.36 грн
50+	408.64 грн
100+	357.92 грн

IPUSB1M5LD-RW
Код товару: 183208

Кабель, провід, шлейф, мережеві шнури > Кабель

товар відсутній

IPUSB1MS

Description: CABLE A PLUG TO MCR B PLUG 4.92'
Packaging: Box
Color: Black
Length: 4.92' (1.50m)
Configuration: A Male to Micro B Male

на замовлення 8237 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	315.07 грн
10+	284 грн
25+	268.44 грн
100+	213.12 грн
250+	202.94 грн
500+	184.49 грн

IPUSB1MS-RW

USB Cables / IEEE 1394 Cables USBA to Micro-B USB USB Cable 1.5M

на замовлення 143 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	366.01 грн

IPUSB1MSW

USB Cables / IEEE 1394 Cables USBA to Micro B USB Cable 1.5m white

товар відсутній

IPUSB1MSW

Description: USB CABLE A TO MICRO B 1.5M WHT

товар відсутній

IPUSB1P5

Description: CABLE A PLUG TO MCR B PLUG 4.92'
Packaging: Bulk
Color: Black
Length: 4.92' (1.50m)
Configuration: A Male to Micro B Male

товар відсутній

IPUSB1P5-RW

USB Cables / IEEE 1394 Cables USBA to Micro B USB Cable 1.5m AWG24 blk

на замовлення 257 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	267.11 грн
10+	235.8 грн
25+	197.07 грн
100+	188.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPUSB1P5W

Description: CABLE A PLUG TO MCR B PLUG 4.92'
Packaging: Bulk
Color: Black
Length: 4.92' (1.50m)
Configuration: A Male to Micro B Male

товар відсутній

IPUSB1P5W

USB Cables / IEEE 1394 Cables USBA to Micro B USB Cable 1.5m AWG24 wht

товар відсутній

IPUSBM-2AABHD

товар відсутній

IPUSBM-2ASTB

Description: JACK PNL USB 2.0 A MTL / STB
Packaging: Box
Features: Circular Threaded Coupling
Voltage - Rated: 30V
Number of Contacts: 4
Connector Type: USB-A (USB TYPE-A)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Panel Mount
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 80°C
Specifications: USB 2.0
Termination: Terminal Block
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Bulkhead - Front Side Nut; Vertical
Mating Cycles: 1000
Part Status: Active
Number of Ports: 1

на замовлення 57 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1627.85 грн
10+	1298.58 грн
25+	1108.54 грн
50+	947.85 грн

IPUSBM-2JAFL

Description: CBL USB2.0 A RCPT-OPEN W/COUPL

на замовлення 245 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPUSBM-2JAPC