Продукція > INFINEON > IPU95R3K7P7AKMA1
IPU95R3K7P7AKMA1

IPU95R3K7P7AKMA1 INFINEON

INFN-S-A0006116883-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPU95R3K7P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 3.11 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.11ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+68.43 грн
21+ 39.7 грн
100+ 31.31 грн
Мінімальне замовлення: 12
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPU95R3K7P7AKMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPU95R3K7P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 3.11 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 22W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.11ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPU95R3K7P7AKMA1 за ціною від 25.9 грн до 77.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPU95R3K7P7AKMA1 IPU95R3K7P7AKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPU95R3K7P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c3bd81e57e6 Description: MOSFET N-CH 950V 2A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 400 V
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+73.14 грн
10+ 57.55 грн
100+ 44.75 грн
500+ 35.6 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPU95R3K7P7AKMA1 IPU95R3K7P7AKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPU95R3K7P7_DataSheet_v02_01_EN-3362830.pdf MOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+77.29 грн
10+ 46.82 грн
100+ 34.96 грн
500+ 32.01 грн
1000+ 28.85 грн
1500+ 27.41 грн
4500+ 25.9 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPU95R3K7P7AKMA1 IPU95R3K7P7AKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipu95r3k7p7-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товар відсутній
IPU95R3K7P7AKMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPU95R3K7P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c3bd81e57e6 IPU95R3K7P7 THT N channel transistors
товар відсутній