IPU95R450P7AKMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPU95R450P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 14 A, 0.38 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 182.13 грн |
| 10+ | 134.04 грн |
| 100+ | 98.56 грн |
| 500+ | 82.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPU95R450P7AKMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPU95R450P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 14 A, 0.38 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPU95R450P7AKMA1 за ціною від 71.69 грн до 263.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPU95R450P7AKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N |
на замовлення 1208 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPU95R450P7AKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 950V 14A TO251-3 |
на замовлення 972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPU95R450P7AKMA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU95R450P7AKMA1 - IPU95R450P7 MOSFET N-CHANNEL SINGLE 950 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
IPU95R450P7AKMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 104W; IPAK Mounting: THT Drain-source voltage: 950V Drain current: 8.6A On-state resistance: 0.45Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 104W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 35nC Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: IPAK кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPU95R450P7AKMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 104W; IPAK Mounting: THT Drain-source voltage: 950V Drain current: 8.6A On-state resistance: 0.45Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 104W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 35nC Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: IPAK |
товар відсутній |