IPU80R900P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 60.98 грн |
| 8+ | 50.82 грн |
| 22+ | 39.2 грн |
| 60+ | 37.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPU80R900P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - IPU80R900P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPU80R900P7AKMA1 за ціною від 33.94 грн до 109.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPU80R900P7AKMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.9A Power dissipation: 45W Case: IPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: THT Gate charge: 15nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 344 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPU80R900P7AKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO251-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA Supplier Device Package: PG-TO251-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V |
на замовлення 1485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPU80R900P7AKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET LOW POWER_NEW |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPU80R900P7AKMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPU80R900P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, TO-251, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1489 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPU80R900P7AKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
P7 Power Transistor |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IPU80R900P7AKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPU80R900P7AKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
товар відсутній |