IPU80R2K8CEBKMA1

IPU80R2K8CEBKMA1 Infineon


Infineon-IPX80R2K8CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402f5e5f1f274f
Код товару: 105297
Виробник: Infineon
Uds,V: 800 V
Idd,A: 1,9 A
Rds(on), Ohm: 2,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/12
Монтаж: THT
у наявності 1 шт:

1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
1+38 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPU80R2K8CEBKMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPU80R2K8CEBKMA1 IPU80R2K8CEBKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipx80r2k8ce-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товар відсутній
IPU80R2K8CEBKMA1 IPU80R2K8CEBKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPX80R2K8CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402f5e5f1f274f Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V
товар відсутній
IPU80R2K8CEBKMA1 IPU80R2K8CEBKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPX80R2K8CE_DataSheet_v02_03_EN-1732015.pdf MOSFET N-Ch 800V 1.9A IPAK-3
товар відсутній

З цим товаром купують

STTH3R06S
Код товару: 41627
en.CD00005137.pdf
STTH3R06S
Виробник: ST
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SMC/DO-214AB
Vrr, V: 600 V
Iav, A: 3 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 35 ns
у наявності: 16 шт
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна без ПДВ
3+9 грн
10+ 8.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
HER307
Код товару: 30484
description her307.pdf
HER307
Виробник: Yangjie/MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-201AD
Vrr, V: 800 V
Iav, A: 3 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 70 ns
у наявності: 262 шт
37 шт - РАДІОМАГ-Київ
223 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
6+3.5 грн
10+ 3.1 грн
100+ 2.7 грн
Мінімальне замовлення: 6
BZV55-C16
Код товару: 19144
BZV55.pdf
BZV55-C16
Виробник: YJ/NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації, Vz: 16 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 12.4mV/K
у наявності: 1005 шт
576 шт - склад
33 шт - РАДІОМАГ-Київ
105 шт - РАДІОМАГ-Львів
190 шт - РАДІОМАГ-Харків
33 шт - РАДІОМАГ-Одеса
68 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
10+2 грн
19+ 1.1 грн
100+ 0.8 грн
1000+ 0.6 грн
Мінімальне замовлення: 10
4,7 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-4R7-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 4784
RC_series.pdf
4,7 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-4R7-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 4,7 Ohm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 8990 шт
8130 шт - склад
858 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
100+0.2 грн
1000+ 0.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
470 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-470R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 4283
RC_series.pdf
470 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-470R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 470 Ohm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 27155 шт
19050 шт - склад
2220 шт - РАДІОМАГ-Київ
3485 шт - РАДІОМАГ-Львів
2400 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
100+0.2 грн
1000+ 0.15 грн
10000+ 0.12 грн
Мінімальне замовлення: 100